【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电路结构，尤其是一种峰值电流电路输出电压自动调节的电路结构，具体地说是用于电流模DC-DC变换器峰值电流电路输出电压自动调节的电路结构，属于电流模DC-DC变换器的
技术介绍
DC-DC变换器根据所采用的反馈方式可以分为电压模和电流模两种类型。其中， 电压反馈控制是开关电源最基本的一种控制技术，属于单环反馈控制方式。电压反馈控制只通过一个电压反馈信号实现整个电路的负反馈，整个控制电路中只有一个反馈环路，是一种单环控制系统。电流控制可以分为平均电流和峰值电流反馈控制，由于平均电流反馈控制电流放大器在开关频率处的增益有最大限制，而且双闭环放大器带宽、增益等参数设计调试复杂，因此在实际中很少采用。通常所说的电流反馈控制都是只峰值电流反馈控制。 DC-DC变换器中的峰值电流电路能够避免整个电路电流过大造成的损坏，但是相应峰值电流电路一般会设计一个固定的峰值电流限制，但一般峰值电流电流限制较整个电路正常工作时的最大负载电流都要大很多。而开关管导通电阻以及整个变换器功耗散热等一般都按照实际工作负载电流来考虑。但当变换器工作在异常状况，例如短路时，会长时候保持在最大峰值电流工作，则会导致变换器的损坏，影响变换器的正常使用。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种峰值电流电路输出电压自动调节的电路结构，其结构简单，调节方便，确保变换器的使用安全，降低变换器的使用成本，安全可靠。按照本专利技术提供的技术方案，所述峰值电流电路输出电压自动调节的电路结构， 包括运算放大器，所述运算放大器的输出端与第三MOS管的栅极端相连，第...
【技术保护点】
１．一种峰值电流电路输出电压自动调节的电路结构，其特征是：包括运算放大器（１），所述运算放大器（１）的输出端与第三ＭＯＳ管（Ｍ３）的栅极端相连，第三ＭＯＳ管（Ｍ３）的源极端与运算放大器（１）的反相端相连后通过第一电阻（Ｒ１）接地，第三ＭＯＳ管（Ｍ３）的漏极端分别与第一ＭＯＳ管（Ｍ１）的漏极端、第一ＭＯＳ管（Ｍ１）的栅极端及第二ＭＯＳ管（Ｍ２）的栅极端相连；第一ＭＯＳ管（Ｍ１）与第二ＭＯＳ管（Ｍ２）的源极端对应相连后与电源ＩＤＣ相连，电源ＩＤＣ对应于与第二ＭＯＳ管（Ｍ２）源极端相连的另一端与第二ＭＯＳ管（Ｍ２）的漏极端相连；第二ＭＯＳ管（Ｍ２）的漏极端通过第二电阻（Ｒ２）接地。
【技术特征摘要】
1.一种峰值电流电路输出电压自动调节的电路结构，其特征是包括运算放大器(1)， 所述运算放大器(1)的输出端与第三MOS管(M3)的栅极端相连，第三MOS管(M3)的源极端与运算放大器(1)的反相端相连后通过第一电阻(Rl)接地，第三MOS管(M3)的漏极端分别与第一 MOS管(Ml)的漏极端、第一 MOS管(Ml)的栅极端及第二 MOS管(M2)的栅极端相连；第一 MOS管(Ml)与第二 MOS管(M2)的源极端对应相连后与电源IDC...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱波，
申请(专利权)人：无锡新硅微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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