硅麦克风的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种硅麦克风的制造方法，该方法是采用氧化硅作为支撑层的材料，这样可以把背板与支撑层固定连接的一端垫高，进而降低产品的寄生电容、提高绝缘电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种麦克风的制造方法，尤其涉及一种能适用于多数电子产品的。
技术介绍
随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。而目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mech anical-System Microphone)，又称硅麦克风。其封装体积比传统的驻极体麦克风小，应用越来越广。硅麦克风通常设有硅基底、受硅基底支撑的振膜、支撑层及与支撑层相连并与振膜相隔一定距离的背板，而相关技术的通常采用掺了杂质的氧化硅 (例如磷硅玻璃)来作为支撑层的材料，如此方法不利于背板的成型，会使背板与支撑层连接的一端距离振膜很近，例如相关技术中的“桥式”背板结构，这样结构，会加大振膜和背板间的寄生电容，从而降低绝缘电阻，影响麦克风的性能。因此，有必要提供一种新的硅麦克风用以改善或解决上述的问题。
技术实现思路
本专利技术需解决的技术问题在于提供一种能降低寄生电容、提高绝缘电阻的。本专利技术通过这样的技术方案解决上述的技术问题一种制造硅麦克风的方法，其特征在于该方法包括如下步骤步骤1 提供一硅基底，硅基底表面上沉积第一绝缘层，在第一绝缘层上沉积振膜；步骤2 在第一绝缘层和振膜上沉积一定厚度的氧化硅以作为支撑层，在该支撑层上沉积第二绝缘层；步骤3 在所述第二绝缘层上沉积背板，在背板上刻蚀出贯穿背板的声孔，在背板边缘沉积金属电极；步骤4 在硅基底底部刻蚀出背腔；步骤5 通过声孔释放与振膜振动部分相对的支撑层以形成振动空间。作为本专利技术的一种改进，所述背板设有与振动空间相对的主体部、自主体部延伸而出并与支撑层固定连接的第一边缘部及位于第一边缘部外侧的第二边缘部，所述支撑层沉积的厚度使得第一边缘部与主体部同处一个平面。作为本专利技术的一种改进，所述振膜和基底相互平行。作为本专利技术的一种改进，在支撑层上利用光刻形成若干凹槽，第二绝缘层沉积入凹槽并在朝向振膜的一侧形成突起。本专利技术具有以下优点由于用没有掺杂的氧化硅来做支撑层，使得背板与支撑层连接的一端的高度升高，从而能降低背板与振膜、背板与硅基底之间的寄生电容，从而提高绝缘电阻。附图说明图1(a)至图l(j)为本专利技术硅麦克风制造方法的工艺流程图。具体实施方式下面结合附图和实施方式对本专利技术作进一步说明。如图1(a)至图l(j)所示，为本专利技术硅麦克风制造方法的工艺流程图，该方法包括如下步骤步骤1 如图1 (a)至图1 (c)所示，提供一硅基底11，硅基底11表面上沉积第一绝缘层15，在第一绝缘15层上沉积振膜12，其中，振膜12与硅基底11刚好平行；步骤2 如图1 (d)和图1 (e)所示，在硅基底11和振膜12上沉积一定厚度的氧化硅以作为支撑层13，利用光刻技术在支撑层13上刻蚀出若干凹槽147，在刻蚀过凹槽147 的支撑层13上沉积第二绝缘层16 ；步骤3 如图1 (f)至图1 (h)所示，在所述第二绝缘层16上沉积背板14，在背板14 上刻蚀出贯穿背板14的若干声孔145，其中，声孔145与凹槽147间隔分布，在背板14边缘沉积金属电极18 ；步骤4 如图l(i)所示，在硅基底11和第一绝缘层上刻蚀出贯穿二者的背腔110 ；步骤5 如图1 (j)所示，通过声孔145释放与振膜12振动部分相对的支撑层13以形成振动空间124，其中，释放溶液采用氟化酸及氟化铵的混合溶液。在本实施例中，背板14设有与振动空间IM相对的主体部140、自主体部140延伸而出并与支撑层13固定连接的第一边缘141部及位于第一边缘141部外侧的第二边缘部 142，作为本专利技术的一种较佳的实施方式，支撑层13沉积的厚度刚好使得第一边缘部141与主体部140同处一个平面。由于凹槽147的存在，使得第二绝缘层16部分沉积入凹槽147并在朝向振膜12 的一侧形成与凹槽147相对应的突起148，以防止振膜12背板14在振动过程中吸附在背板 14上而造成短路；。刻蚀声孔145的同时可以刻蚀一部分氧化硅支撑层13，以便提高释放支撑层13的速率。再使部分背板14沉积入凹孔148以在背板14上形成朝向振膜14的突起。以上所述的仅振膜是本专利技术的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制造硅麦克风的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：步骤１：提供一硅基底，硅基底表面上沉积第一绝缘层，在第一绝缘层上沉积振膜；步骤２：在第一绝缘层和振膜上沉积一定厚度的氧化硅以作为支撑层，在该支撑层上沉积第二绝缘层；步骤３：在所述第二绝缘层上沉积背板，在背板上刻蚀出贯穿背板的声孔；步骤４：在硅基底和第一绝缘层上刻蚀出贯穿二者的背腔；步骤５：通过声孔释放与振膜振动部分相对的支撑层以形成振动空间。

【技术特征摘要】
1.一种制造硅麦克风的方法，其特征在于该方法包括如下步骤步骤1 提供一硅基底，硅基底表面上沉积第一绝缘层，在第一绝缘层上沉积振膜； 步骤2 在第一绝缘层和振膜上沉积一定厚度的氧化硅以作为支撑层，在该支撑层上沉积第二绝缘层；步骤3 在所述第二绝缘层上沉积背板，在背板上刻蚀出贯穿背板的声孔；步骤4 在硅基底和第一绝缘层上刻蚀出贯穿二者的背腔；步骤5 通过声孔释放与振膜振动部分相对的支撑层以形成振动空间。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜毅林，张小麟，孟珍奎，杨斌，张睿，葛舟，王琳琳，
申请(专利权)人：瑞声声学科技深圳有限公司，瑞声科技新加坡有限公司，
类型：发明
国别省市：94