【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于存储器
，具体涉及存储器的刷新操作，尤其涉及一种通过监测冗余单元来自动调整存储器刷新操作频率的电路、方法及其存储器。
技术介绍
任何存储器都具有一定的数据保持(Data Retention)特性，也即数据在存储单元中的保持时间，不同的存储器数据保持特性不同，例如，有的存储器数据可以保持10年以上，有的存储器的数据保持时间只有短短的几分钟或者更短。同样，对于同样的存储器，其制造形成的工艺条件的差异也会导致存储器的数据保持特性不同，例如同一存储阵列中， 由于工艺波动性的影响，会导致工艺条件较差的单元数据保持特性较差。进一步，对于同一存储单元，不同的工作条件、数据存储特性也会有所差异，存储数据“0”和存储数据“ 1”也会有所差异，例如，存储器的工作温度越高数据保持特性越差，数据保持特性还会与工作电压等因素有影响。通常，对于数据保持特性相对较差的存储器，需要在所存储的数据失效前对存储器进行刷新操作。存储器的数据保持时间越长，所选择的刷新频率相对越低。对于包括多个存储单元的存储阵列，由于单元之间的数据保持时间是存在或大或小的差异的(例如， 形成的工艺条...
【技术保护点】
１．一种自动调整存储器刷新操作频率的电路，其特征在于，包括：分别存储数据“０”和数据“１”的冗余存储单元；冗余存储单元的定时读写电路模块；电流差模块，用于对存储“１”的冗余单元的读电流和存储“０”的冗余单元的读电流两者求电流差；比较模块，用于对所述电流差与基准电流进行比较；以及刷新脉冲产生电路模块，用于根据比较模块的输出结果输出刷新脉冲信号。
【技术特征摘要】
1.一种自动调整存储器刷新操作频率的电路，其特征在于，包括分别存储数据“0”和数据“ 1，，的冗余存储单元；冗余存储单元的定时读写电路模块；电流差模块，用于对存储“1”的冗余单元的读电流和存储“0”的冗余单元的读电流两者求电流差；比较模块，用于对所述电流差与基准电流进行比较；以及刷新脉冲产生电路模块，用于根据比较模块的输出结果输出刷新脉冲信号。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述刷新脉冲产生电路模块在输出刷新脉冲信号时，也输出反馈信号至所述定时读写电路模块，以对冗余存储单元进行重新写“0”或 “1”操作。3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述冗余存储单元为两个以上，并设置于所监测的存储阵列的每行首末和每列首末。4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，冗余存储单元中的存储值交替地写为“1 ”和 “0”，所述存储“1”的冗余单元的读电流为所所有存储“1”的冗余单元的读电流的平均值， 所述存储“0”的冗余单元的读电流为所有存储“0”的冗余单元的读电流的平均值。5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述冗余存储单元设置在所监测的存储阵列的中部，或者随机设置在所监测的存储阵列的中部。6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述冗余存储单元的数据保持特性相对差于所监测的存储阵列的存储单元的数据...
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