掩膜版及掩膜版组制造技术

本实用新型专利技术属于显示技术的曝光领域，公开了一种掩膜版，包括正常曝光区域和拼接区域，拼接区域设置在掩模版的至少一侧；正常曝光区域包括第一透光区域和第一遮光区域，第一透光区域用于对光刻胶进行全曝光，拼接区域包括第二透光区域和第二遮光区域，第二透光区域用于对光刻胶进行半曝光，第二透光区域的光透过率是所述第一透光区域光透过率的50％。还公开了一种由若干个上述掩膜版组成的掩膜版组。本实用新型专利技术通过在掩膜版拼接区域上设置狭缝或涂覆半透膜，实现50％的透光率，使光刻胶经拼接区域两次曝光之后均一性良好，与光刻胶经正常曝光区域曝光之后的关键尺寸完全相同，提高低世代线生产显示器的质量，降低大尺寸显示器面板的制造成本。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示技术中的曝光领域，特别是涉及一种掩膜版及由其组成的掩膜版组。
技术介绍
在薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor-Liquid CrystalDisplay, TFT-LCD)制造中，目前使用低世代线生产大的液晶面板，由于受到掩膜版(MASK)大小的限制，需要对曝光图形进行拼接，在拼接时，为了避免发生断线等情况，拼接区域要进行重复曝光，即拼接区域曝光量就是其他区域曝光量的2倍，局部的曝光量不等造成光刻胶感光不均勻，在显影过后会出现重复曝光区域关键尺寸的不等，在显示时会出现一条暗线，造成显示器次品出现，严重影响显示器生产质量。图1示出了掩膜版拼接区的结构示意图，使用低世代线对大尺寸的液晶面板进行曝光时，可以利用多块MASK进行拼接，相邻的MASK的相邻区域设置为完全相同的拼接区域，如图中所示的第一掩膜版2和第二掩膜版2’中的掩膜版拼接区域1，该区域的透光区域和遮光区域完全相同。利用图加和2b中所示的两次曝光机构对光刻胶进行两次曝光， 以实现曝光的有效拼接。图中所示的两次曝光的具体过程为在第一掩膜版2的玻璃板，即 MASK玻璃板5上设置第一掩膜版拼接区域4，MASK玻璃板5上的其他区域为正常曝光区域， 其上的遮光区域涂有铬膜6，利用第一掩膜版2对光刻胶进行曝光，完成玻璃基板3上光刻胶10的第一次曝光，形成曝光图形拼接区域7 ；玻璃基板3包括玻璃板8，设置在玻璃板8 上的金属层9以及涂覆在金属层9上的光刻胶10，曝光图形拼接区域7由第一掩膜版2完成第一次曝光之后，由第二掩膜版2’对光刻胶10继续曝光，同时由第二掩膜版拼接区域4’ 再次对曝光图形拼接区域7进行曝光，由此使得曝光图形拼接区域7被曝光两次。图3示出了经上述曝光之后玻璃基板3上未被曝光区域a、正常被曝光区域b和拼接被曝光区域c形成的图形示意图，拼接被曝光区域c的关键尺寸明显与正常被曝光区域 b不同，从而导致显示器生产中的次品出现。现在TFT-LCD面板向大型化发展，要生产大型液晶面板，一个必要条件就是光刻面积的加大。然而高世代线的曝光机价格昂贵，一条高世代线的曝光设备，需要上亿元的投资。因此，用低世代线生产大的液晶面板是一个明智的方法，但是其生产质量问题的解决刻不容缓。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是如何克服低世代线生产大尺寸显示器面板时对光刻胶曝光的不均勻性。( 二 )技术方案为了解决上述技术问题，本技术提供一种掩膜版，其包括正常曝光区域和拼接区域，所述拼接区域设置在所述掩模版的至少一侧；所述正常曝光区域包括第一透光区域和第一遮光区域，所述第一透光区域用于对光刻胶进行全曝光，所述拼接区域包括第二透光区域和第二遮光区域，所述第二透光区域用于对光刻胶进行半曝光，所述第二透光区域的光透过率是所述第一透光区域光透过率的50%。其中，所述第二透光区域上设置有若干条狭缝，所述狭缝由铬膜间隔开。其中，所述狭缝间隔的宽度为掩膜版配套曝光机的解析度的1/5。其中，所述第二透光区域上设置有半透膜，所述半透膜的光透过率为50%。其中，所述半透膜为铬膜。本技术还提供了一套掩膜版组，其包括若干块如上任一所述的掩膜版。其中，相邻的两块所述掩膜版上，相邻接的拼接区域的第二透光区域和第二遮光区域的图案分别相同。(三)有益效果上述技术方案所提供的掩膜版及由其组成的掩膜版组中，通过在掩膜版拼接区域上设置狭缝或涂覆半透膜，实现50%的透光率，使光刻胶经拼接区域两次曝光之后均一性良好，与光刻胶经正常曝光区域曝光之后的关键尺寸完全相同，提高低世代线生产显示器的质量，降低大尺寸显示器面板的制造成本。附图说明图1是曝光机掩膜版拼接区的结构示意图；图加是现有技术中对光刻胶进行第一次曝光的结构示意图；图2b是对图加中的曝光图形拼接区域进行第二次曝光的结构示意图；图3是图2b中玻璃基板正常曝光区域和拼接曝光区域形成的图形示意图；图如是本技术实施例一中对光刻胶进行第一次曝光的结构示意图；图4b是对图如中的曝光图形拼接区域进行第二次曝光的结构示意图；图fe是本技术实施例二中对光刻胶进行第一次曝光的结构示意图；图恥是对图fe中的曝光图形拼接区域进行第二次曝光的结构示意图；图6是图4b和图恥中玻璃基板正常曝光区域和拼接曝光区域形成的图形示意图。其中，1 掩膜版拼接区域；2 第一掩膜版；2’ 第二掩膜版；3 玻璃基板；4 第一掩膜版拼接区域；4’ 第二掩膜版拼接区域；5 =MASK玻璃板；6 铬膜；7 曝光图形拼接区域；8 玻璃板；9 金属膜；10 光刻胶；11 狭缝；12 半曝光光刻胶；13 半透膜；a 未被曝光区域；b 正常被曝光区域；c 拼接被曝光区域。具体实施方式以下结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。实施例一本实施例的掩膜版包括正常曝光区域和拼接区域，拼接区域设置在掩模版的至少一侧；正常曝光区域包括第一透光区域和第一遮光区域，第一透光区域用于对光刻胶进行全曝光，拼接区域包括第二透光区域和第二遮光区域，第二透光区域用于对光刻胶进行半曝光，第二透光区域的光透过率是第一透光区域光透过率的50%，以实现通过拼接区域对光刻胶进行两次曝光和通过正常曝光区域对光刻胶进行一次曝光的效果完全相同。为了实现对大尺寸的光刻胶进行曝光，需要设计一套掩膜版组，该套掩膜版组包括若干块具有上述特征的掩膜版，通过整套掩膜版组可以实现大尺寸玻璃基板上光刻胶的均一性曝光。图如示出了本实施例中对光刻胶进行第一次曝光的结构示意图，图4b是对图如中的曝光图形拼接区域进行第二次曝光的结构示意图。如图所示，本实施例以若干块掩膜版中相邻的两块为例，第一掩膜版2包括MASK玻璃板5，MASK玻璃板5其中一侧区域设置为第一掩膜版拼接区域4，其余区域为正常曝光区域，MASK玻璃板5上的遮光区域通过涂覆铬膜6实现，第一掩膜版拼接区域4设置有若干条狭缝11，通过狭缝的设置，实现拼接区域的光透过率为正常曝光区域光透过率的50% ；第二掩膜版2’的结构与第一掩膜版2的结构类似，其区别之处在于，第二掩膜版拼接区域4’位于第二掩膜版2’与第一掩膜版2相邻的一侧，第一掩膜版拼接区域4和第二掩膜版拼接区域4’完全相同，以实现对同一处光刻胶进行两次相同的曝光；被曝光的光刻胶所在的玻璃基板3包括玻璃板8，设置在玻璃板8 上的金属层9和涂在金属层9上的光刻胶10。为了实现掩膜版拼接区域的光透过率为非拼接区域光透过率的50%，根据拼接区域尺寸大小不同，可以改变狭缝11的数目，狭缝11的宽度取决于曝光机(图中未示出)和光刻胶10的解析度，主要取决于曝光机，优选将狭缝11的宽度设置为曝光机解析度的1/5， 例如Nikon FX601F曝光机，缝间隔的宽度设置为0. 5um。使用上述掩膜版对光刻胶进行曝光时，首先使用第一掩膜版2进行曝光，设置在第一掩膜版2上的第一掩膜版拼接区域4对光刻胶进行第一次曝光，光透过率控制在50 %， 这样第一次曝光完毕，光刻胶10上对应第一掩膜版拼接区域4的曝光图形拼接区域7感光 50%，剩余半曝光光刻胶12 ；接下来，使用第二掩膜版2’对曝光图形拼接区域7进行第本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种掩膜版，其特征在于，包括正常曝光区域和拼接区域，所述拼接区域设置在所述掩模版的至少一侧；所述正常曝光区域包括第一透光区域和第一遮光区域，所述第一透光区域用于对光刻胶进行全曝光，所述拼接区域包括第二透光区域和第二遮光区域，所述第二透光区域用于对光刻胶进行半曝光，所述第二透光区域的光透过率是所述第一透光区域光透过率的５０％。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括正常曝光区域和拼接区域，所述拼接区域设置在所述掩模版的至少一侧；所述正常曝光区域包括第一透光区域和第一遮光区域，所述第一透光区域用于对光刻胶进行全曝光，所述拼接区域包括第二透光区域和第二遮光区域，所述第二透光区域用于对光刻胶进行半曝光，所述第二透光区域的光透过率是所述第一透光区域光透过率的50%。2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二透光区域上设置有若干条狭缝， 所述狭缝由铬膜间隔开。3.如权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宁，郭炜，王路，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11