装载锁定装置，包括该装置的光刻设备及制造基底的方法制造方法及图纸

装载锁定装置，包括该装置的光刻设备及制造基底的方法用于光刻设备的装载锁定装置，被设置用来把类似于基底（Ｗ）的物体转移到光刻设备和从光刻设备中转移出来。装载锁定装置的外壁（３８；４０）限定装载锁定装置容积的至少一部分，以便当物体在所述装载锁定装置中时，该容积可容纳支承物体（Ｗ）的支承部件（３３；１４１）。该装载锁定装置还包括温度调节结构，用来至少在物体从装载锁定装置向光刻投射装置转移之前，控制物体的温度达到要求的温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于光刻设备的装载锁定装置(load lock)中的温度控制。“装载锁定装置”是帮助物体例如基底从第一环境转移到第二环境的设备，其中一个环境可能有比另一环境更低的压力。在物体从第一环境转移到第二环境的过程中，装载锁定装置的内部被降低到更低的压力或提高到更高的压力。其他的可能性是两个环境有不同的温度或者不同的气氛，例如不同的气体成分。 
技术介绍
光刻设备是把要求的图案施加到基底的靶区上的设备。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况中，图案形成装置例如掩模可以用来产生相应于IC单层的电路图案，该图案可以成像在已涂覆辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(例如，硅片)的靶区(例如，包括一个或多个电路小片的部分)上。一般而言，单基底将包含相邻靶区的整个网格(network)，该相邻靶区被逐个相继照射。已知的光刻设备包括通常称作的分档器，其中通过将整个掩模图案一次曝光到靶区上来照射每一靶区，和通常称作的扫描装置，其中通过在投射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描图案，同时沿与该方向平行或反平行的方向同步扫描基底来照射每一靶区。光源可以是UV，DUV，EUV光或电子束。 此处使用的术语“图案形成装置”应当广义地理解为涉及能够使入射辐射光束在横截面内有组成图案的装置，其中所述图案与将在基底靶区上形成的图案一致：术语“光阀”也用于本文中。通常，所述图案与在靶区中形成的器件的特殊功能层相应，例如集成电路或其它器件(见下文)。这类图案形成装置的例子包括： -掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括的掩模类型例如有二元型，交替相移型，和衰减相移型，及各种混合掩模类型。在辐射光束中设置这种掩模使照射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性透射(在透射性掩模的情形下)或反射(在反射性掩模的情形下)。在使用掩模的情况下，支 承结构通常是一掩模台，确保掩模能够被保持在入射辐射光束中的希望位置处，并且如果需要该台可以相对光束移动。 -程控反射镜阵列。这类设备的一个例子是带有粘弹性控制层的可寻址矩阵面和反射面。这类装置的基本原理是(例如)反射面的寻址区域反射入射光作为衍射光，而未寻址区域反射入射光作为非衍射光。采用合适的滤光器，所述的非衍射光能够从反射光束中滤除，只剩下衍射光；这样，根据可寻址矩阵面的寻址图案，该光束形成图案。程控反射镜阵列的另一实施例采用微反射镜的矩阵排列，通过施加合适的局部电场，或使用压电致动装置，其中的每一个微反射镜各自沿轴倾斜。再次，这些反射镜是矩阵可寻址的，从而寻址反射镜以不同的方向将入射辐射光束反射到未寻址反射镜上；这样，根据可寻址矩阵反射镜的寻址图案，反射光束形成图案。所需的矩阵寻址可以使用合适的电子装置来实现。在上述的两种情况中，图案形成装置可以包括一个或多个程控反射镜阵列。有关此处提到的反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US 5,296,891和US 5,523,193，及PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096获得，这些文献在此结合作为参考。在程控反射镜阵列的-->情况中，所述支承结构可以具体化为例如随要求固定或可移动的框架或台；和 -程控LCD阵列。这类结构的一个例子在美国专利US 5,229,872中给出，其在此结合作为参考。同上，这种情况中的支承结构可以具体化为例如随要求固定或可移动的框架或台。 为了简化的目的，本文其余部分在某些位置明确给出了包括掩模和掩模台的例子；然而，在这些例子中所讨论的一般原理应当理解为在如上所述图案形成装置的更宽的范围内。 光刻投射装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况中，图案形成装置产生相应于IC单层的电路图案，该图案可以成像在已涂覆辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶区(例如，包括一个或多个电路小片)上。一般而言，单晶片将包含相邻靶区的整个网格(network)，该相邻靶区经由投射系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模形成图案的装置中，在两种不同类型的机器间存在差别。在一种类型的光刻投射装置中，通过将整个掩模图案一次曝光到靶区上来照射每一靶区；这类装置通常被称作晶片分档器或者分步重复装置。在另一种装置-通常被称作分步扫描装置中，通过在投射 光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)渐进地扫描掩模图案，同时沿与该方向平行或反平行的方向同步扫描基底台来照射每一靶区；由于一般来说，投射系统具有放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。有关此处描述的光刻设备的更多信息可以从例如US 6,046,792中获得，其在此结合作为参考。 在使用光刻投射装置的制作过程中，图案(例如，在掩模中)成像在至少部分覆盖有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底上。在该成像步骤之前，对基底进行各种处理，例如涂底层，涂覆抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，对基底进行其它的处理，例如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工序为基础，在例如IC器件的单层形成图案。然后，对这种图案层进行各种处理，例如蚀刻，离子注入(掺杂)，金属喷镀，氧化，化学机械抛光等，完成单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每个新的层重复全部步骤或者变化的步骤。最终，器件阵列出现在基底(晶片)上。然后通过例如切割或锯开技术将这些器件彼此分开，从而单个器件可以安装在载体上，与管脚连接等。关于这些过程的进一步信息可从例如“微型芯片制造：半导体加工实践指南(Microchip Fabrication：A Practical Guide to Semiconductor Processing)”一书(第三版，作者：Peter van Zant，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，其在此结合作为参考。 为了简化，在下文中投射系统被称作“透镜”；但是，该术语应广义地解释为包含各种类型的投射系统，包括例如折射光学系统，反射光学系统，和折反射光系统。辐射系统也包括根据任一设计类型操作的部件，这些类型为引导，整形或者控制辐射的投射光束，这些部件也在下文中共同的或单个的称为“透镜”。此外，光刻设备可以是具有两个或多个基底台(和/或两个或多个掩模台)的类型。在这种“多级”设备中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或多个台上进行准备步骤，同时一个或多个其它台用于曝光。例如，在US5,969,441和WO 98/40791中描述的双级光刻设备，都在此结合作为参考。 在典型的光刻设备中，基底经由基底轨道和基底处理器传送到光刻投射装置的基底台。在基底轨道中，基底表面被预处理。基底的预处理典型地包括至少部分地用辐射敏感材料(抗蚀剂)层涂覆基底。进一步，在成像步骤前，基底可能接受各种其它的预处理工-->艺，例如涂底层，和软烘烤。在基底的预处理 后，基底经由基底处理器从基底轨道传送到基底台。 典型地，基底处理器适合精确地把基底定位在基底台上，和控制基底的温度。 对于特定的光刻投射装置，例如使用远紫外辐射(在短EUV辐射中)的装置，在基底上的投射仅能在真空条件下成功地进行。因此基底处理器应该适合于把预处理的基底转移到真空。这就典型地意味着至少在基底轨道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备中的支承结构，所述支承结构包括支承基底的主体，以及包括供给管线，用来在所述基底和所述支承结构间的容积中供给气体，该支承结构被设置用来经由所述容积中的所述气体控制基底温度；所述支承结构包括固定主体，且所述支承结构被设置成使用中在所述固定主体中旋转所述主体，所述主体和所述固定主体在它们之间限定了与所述容积连通的间隙，所述的固定主体具有允许温度受控流体在其中流过的管线。

【技术特征摘要】
EP 2003-3-11 03075703.3;EP 2003-7-23 03077319.61.一种光刻设备中的支承结构，所述支承结构包括支承基底的主体，以及包括供给管线，用来在所述基底和所述支承结构间的容积中供给气体，该支承结构被设置用来经由所述容积中的所述气体控制基底温度；所述支承结构包括固定主体，且所述支承结构被设置成使用中在所述固定主体中旋转所述主体，所述主体和所述固定主体在它们之间限定了与所述容积连通的间隙，所述的固定主体具有允许温度受控流体在其中流过的管线。2.如权利要求1所述的支承结构，其特征在于，在使用中，所述容积中的所述气体具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：AJH克洛普，JF胡格坎普，R维斯塞，JCJA乌格特斯，HJLM乌林斯，LWM奎佩斯，JHG弗兰斯森，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]