显示器及其制造方法技术

公开了一种显示器及其制造方法。所述显示器包括基板主体和位于所述基板主体上的薄膜晶体管（ＴＦＴ），所述ＴＦＴ包括顺次堆叠在彼此顶部的氧化物半导体层和金属氧化物膜。

【技术实现步骤摘要】
显示器及其制造方法显示器及其制造方法
实施例涉及一种显示器。更具体地说，实施例涉及一种具有氧化物半导体层的 OLED显示器。
技术介绍
OLED显示器是通过使用发射光的有机发光元件来显示图像的自发射型显示装 置。与液晶显示器(LCD)不同，OLED显示器不需要单独的光源，因而OLED显示器更 薄且更轻。另外，由于OLED显示器具有诸如低功耗、高亮度、快响应速度之类的高质 量特性，因此OLED显示器作为例如移动电子设备的下一代显示装置正受到诸多关注。OLED显示器可以包括氧化物薄膜晶体管(TFT)，即具有氧化物半导体的TFT。 然而，因为氧化物半导体内氧的缺乏增加了载流子的供给，所以氧化物半导体可以具有 高的载流子密度。因此，氧化物半导体的电学特性可能是不稳定的。在此
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解， 因此，上述信息可以包含并不构成在本国对于本领域普通技术人员已知的现有技术的信 肩、ο
技术实现思路
实施例致力于一种具有氧化物半导体层的显示器，这种显示器基本上克服了由 于相关技术的限制和缺点所导致的问题中的一个或多个问题。因此，实施例的一个特征在于提供一种具有氧化物半导体层的显示器，其中所 述氧化物半导体层覆盖有用于稳定地保护氧化物半导体层的保护膜。因此，实施例的另一特征在于提供一种制造在氧化半导体层上具有保护膜的显 示器的方法。上述以及其它特征和优点中的至少一个可以通过提供一种显示器实现，所述显 示器包括基板主体和形成在所述基板主体上的TFT。所述TFT可以具有氧化物半导体层 和金属氧化物膜顺次堆叠的结构。所述TFT可以进一步包括栅极以及分别与所述氧化物半导体层相接触并且被布 置为隔开的源极和漏极。所述氧化物半导体层可以与所述栅极绝缘。所述金属氧化物 膜可以形成在所述氧化物半导体层上并且具有暴露所述氧化物半导体层的部分的多个开 口。所述源极和所述漏极可以通过所述开口与所述氧化物半导体层相接触。所述氧化物 半导体层的长度和所述金属氧化物膜的长度可以基本相同，并且所述氧化物半导体层和 所述金属氧化物膜彼此重叠，所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜的长度都沿着所 述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜的各自的最外面边缘之间的第一方向测得。上述以及其它特征和优点中的至少一个还可以通过提供一种显示器实现，所述 显示器包括基板主体；形成在所述基板主体上的栅极；形成在所述栅极上的栅绝缘 层；形成在所述栅极上的氧化物半导体层，所述栅绝缘层介于所述氧化物半导体层与所4述栅极之间；直接形成在所述氧化物半导体层上并且具有暴露所述氧化物半导体层的部 分的多个开口的金属氧化物膜；以及通过所述金属氧化物膜的所述开口与所述氧化物半 导体层相接触并且被布置为隔开的源极和漏极。所述显示器可以进一步包括形成在所述金属氧化物膜与所述源极和漏极之间的 层间绝缘层。所述层间绝缘层可以具有与所述金属氧化物膜的开口一起暴露所述氧化物 半导体层的部分的多个接触孔。在所述显示器中，除了所述多个开口外，所述氧化物半导体层和所述金属氧化 物膜可以具有相同的图案。所述氧化物半导体层的长度可以被限定在其两个第一最外面 边缘之间，并且所述金属氧化物膜的长度可以被限定在其两个第二最外面边缘之间，所 述氧化物半导体层的长度和所述金属氧化物膜的长度基本相同，并且第一最外面边缘与 相应的第二最外面边缘对准。所述金属氧化物膜的部分以及所述金属氧化物膜的开口中 所述源极和漏极的部分可以被布置为与所述氧化物半导体层完全重叠。所述氧化物半导体层可以包含镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中 的一种或多种以及氧(O)。所述金属氧化物膜可以由铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、银(Ag)、铬(Cr)、钛 (Ti)和钽CTa)中的金属之一或者包括所述金属中的一种或多种的合金制成。所述金属氧 化物膜可以具有从50 A到2000A范围的平均厚度。所述金属氧化物膜可以通过对金属膜 进行加热或者通过等离子体氧化而形成。上述以及其它特征和优点中的至少一个还可以通过提供一种制造显示器的方法 实现，所述方法包括在基板主体上形成栅极；在所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅 绝缘层上顺次堆叠氧化物半导体层和金属膜；氧化所述金属膜以产生金属氧化物膜；图 案化所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜，使得它们具有相同的形状；去除所述金 属氧化物膜的部分以形成暴露所述氧化物半导体层的部分的多个开口 ；以及形成源极和 漏极使得所述源极和漏极通过所述金属氧化物膜的所述开口与所述氧化物半导体层相接 触并且被布置为隔开。所述氧化物半导体层和所述金属膜可以在真空环境下被连续沉积。所述金属氧化物膜和所述氧化物半导体层可以通过刻蚀工艺连续图案化。图案化后的氧化物半导体层和金属氧化物膜可以被形成为使得所述氧化物半导 体层和所述金属氧化物膜中的至少部分与所述栅极重叠。所述方法可以进一步包括在所述金属氧化物膜与所述源极和漏极之间形成层间绝缘层。所述方法可以进一步包括在所述层间绝缘层上形成多个接触孔，其中所述多个 接触孔和所述金属氧化物膜的多个开口可以通过刻蚀工艺连续形成。所述金属氧化物膜可以用作刻蚀停止层，用于防止所述氧化物半导体层在通过 所述刻蚀工艺形成所述多个接触孔的工艺中被损伤或者被部分刻蚀。所述氧化物半导体层可以包含镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中 的一种或多种以及氧(O)。所述金属氧化物膜可以由铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、银(Ag)、铬(Cr)、钛 (Ti)、钽(Ta)中的一种或多种或者包括所述金属中的一种或多种的合金制成。所述金属氧化物膜可以具有从50A到2000A范围的平均厚度。所述金属氧化物 膜可以通过对所述金属膜进行加热或者通过等离子体氧化形成。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，上述以及其它特征和优点对于本领域普 通技术人员来说将变得更明显，其中图1示出根据示例性实施例的显示器的示意性平面图2示出图1的显示器中的像素电路的电路图3示出图1的显示器中的TFT的详细横截面图；以及图4至图6示出在图3的TFT的制造工艺中各阶段的横截面图。具体实施方式下文中，将参照附图更充分地描述示例性实施例；然而，这些实施例可以具体 实现为不同的形式，并且不应当被解释为限于这里所记载的实施例。相反，提供这些实 施例的目的在于，使得本公开内容全面且完整，并且向本领域技术人员充分地传达本发 明的范围。附图中，为了图示的清楚起见，层和区域的尺寸可能被放大。还应当理解，当 提到一个层或元件在另一层或基板“上”时，它可能直接位于另一层或基板上，或者也 可能存在中间层。另外，还应当理解，当提到一个层在两层“之间”时，该层有可能是 这两层之间唯一的一层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的附图标记始终表示 相同的元件。现将参照图1至图3描述OLED显示器的示例性实施例。如图1中所示，OLED显示器101可以包括划分成显示区(DA)和非显示区(NA) 的基板主体111。多个像素可以形成在基板主体111的显示区DA上以显示图像，并且各 种驱动电路可以形成在非显示区(NA)上。图2中示出OLED显示器101的多个像素中 的一个像素(PE)。如图2中所示，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器，包括：基板主体；位于所述基板主体上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括顺次堆叠在彼此顶部的氧化物半导体层和金属氧化物膜。

【技术特征摘要】
KR 2009-9-22 10-2009-00898021.一种显示器，包括基板主体；位于所述基板主体上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括顺次堆叠在彼此顶部的氧 化物半导体层和金属氧化物膜。2.根据权利要求1所述的显示器，其中所述薄膜晶体管进一步包括栅极，所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜顺次堆叠在所述栅极上，并且所述 氧化物半导体层与所述栅极绝缘；以及源极和漏极，彼此隔开并且通过所述金属氧化物膜中的多个开口与所述氧化物半导 体层相接触。3.根据权利要求1所述的显示器，其中所述氧化物半导体层的长度和所述金属氧化物 膜的长度相同，并且所述氧化物半导体层与所述金属氧化物膜彼此重叠，所述氧化物半 导体层和所述金属氧化物膜的长度都沿着所述氧化物半导体层和所述金属氧化物膜的各 自的最外面边缘之间的第一方向测得。4.一种显示器，包括基板主体；位于所述基板主体上的栅极；位于所述栅极上的栅绝缘层；位于所述栅极上的氧化物半导体层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物半导 体层之间；直接位于所述氧化物半导体层上的金属氧化物膜，包括暴露所述氧化物半导体层的 部分的多个开口；以及源极和漏极，彼此隔开并且通过所述金属氧化物膜中的开口与所述氧化物半导体层 相接触。5.根据权利要求4所述的显示器，进一步包括位于所述金属氧化物膜与所述源极和漏 极之间的层间绝缘层。6.根据权利要求5所述的显示器，其中所述层间绝缘层具有暴露所述氧化物半导体层 的部分的多个接触孔，所述多个接触孔与所述金属氧化物膜中的开口对准。7.根据权利要求4所述的显示器，其中所述氧化物半导体层的长度被限定在所述氧化物半导体层的两个第一最外面边缘之 间，以及所述金属氧化物膜的长度被限定在所述金属氧化物膜的两个第二最外面边缘之间， 所述氧化物半导体层的长度和所述金属氧化物膜的长度相同，并且第一最外面边缘与相 应的第二最外面边缘对准。8.根据权利要求4所述的显示器，其中所述金属氧化物膜的部分以及所述金属氧化物 膜的开口中所述源极和漏极的部分被布置为与所述氧化物半导体层完全重叠。9.根据权利要求4所述的显示器，其中所述氧化物半导体层包括氧以及镓、...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔钟炫，卢智龙，任章淳，李大宇，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]