【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体存储器
，具体涉及一种电阻随机存储器、读电路及其读操作方法，尤其涉及一种2T2R结构的、用于抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法。
技术介绍
半导体存储器使用“0”或者“1”的数据组合来存储信息的，组成大容量存储器的每个存储器件单元可以存储一个数据(“0”或者“1”)。通常，以掉电后存储器的数据是否继续存储在存储器中判断，存储器可以而分为挥发存储器和非挥发存储器，其中非挥发存储器掉电后数据能继续保持。同时，在信息安全领域，存储器所存储的信息的安全保密性是重要的一个方面。例如，用来存储密码的存储器，需要高度的安全性。而功耗分析(Power Analysis)攻击是黑客最常用的攻击手段之一，即通过对存储单元进行读操作，根据对每个存储单元进行读操作时的功耗大小，可以分析判断出每个存储单元所存储的数据状态。以上的功耗分析攻击的基本原理是基于现有技术的存储器在读“0”和读“1”时的功耗是不相同的。图1所示为现有技术提出的抗功耗分析攻击的存储器。该存储器是由美国专利号为US5917754的美国专利所公开。如图1所示，该存储器包括灵敏...
【技术保护点】
１．一种抗功耗分析攻击的电阻随机存储器，其特征在于该电阻随机存储器包括：第一存储电阻，用于选通所述第一存储电阻的第一选通管，第二存储电阻，以及用于选通所述第二存储电阻的第二选通管；第一存储电阻处于高阻态且第二存储电阻处于低阻态时，所述电阻随机存储器存储第一数据状态；第一存储电阻处于低阻态且第二存储电阻处于高阻态时，所述电阻随机存储器存储第二数据状态；其中，所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物，所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。
【技术特征摘要】
1.一种抗功耗分析攻击的电阻随机存储器，其特征在于该电阻随机存储器包括：第一存储电阻，用于选通所述第一存储电阻的第一选通管，第二存储电阻，以及用于选通所述第二存储电阻的第二选通管；第一存储电阻处于高阻态且第二存储电阻处于低阻态时，所述电阻随机存储器存储第一数据状态；第一存储电阻处于低阻态且第二存储电阻处于高阻态时，所述电阻随机存储器存储第二数据状态；其中，所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物，所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。2.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述第一选通管与第二选通管的控制端并联连接于同一条字线。3.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，第一存储电阻和第二存储电阻都处于高阻态时，所述电阻随机存储单元处于初始状态。4.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述第一选通管与第二选通管均为MOS管。5.根据权利要求4所述的电阻随机存储器，其特征在于，作为第一选通管的MOS管的源端与作为第二选通管的MOS管的源端同时并联连接于同一源线。6.根据权利要求5所述的电阻随机存储器，其特征在于，作为第一选通管的MOS管的漏端与第一存储电阻串联连接，作为第二选通管的MOS管的漏端与第二存储电阻串联连接。7.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述金属氧化物是铜的氧化物、镍的氧化物、钛的氧化物、锆的氧化物、铝的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物、铪的氧化物、钼的氧化物、锌的氧化物之一。8.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述第一存储电阻和第二存储电阻结构参数相同，所述第一选通管和第二选通管结构参数相同。9.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，读取所述电阻随机存储器的第一数据状态或第二数据状态时，从第一位线和第二位线上分别同时施加读操作信号于第一存储电阻、第二存储电阻，第一位线上流过的电流与第二位线上流过的电流之和相同。10.根据权利要求9所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述读操作信号为电流信号或者电压信号。11.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述第一选通管与第二选通管为三极管或者二极管。...
【专利技术属性】
技术研发人员：林殷茵，金钢，张佶，解玉凤，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。