【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于不挥发存储器
，具体涉及一种电阻随机存储器(ResistiveRandom Access Memory，RRAM)及其操作方法，尤其涉及一种通过实时反馈控制初始化(Forming)或者置位(Set)操作以降低功耗的电阻随机存储器及其相应的初始化或者置位(Set)操作方法。
技术介绍
电阻随机存储器(RRAM)是利用存储介质(如某些二元金属氧化物)具有明显的双稳态的特性来存储信息的。电阻随机存储器的存储介质在电信号(电流脉冲信号或者电压脉冲信号)的作用下，使存储介质在高电阻状态(High Resistance State，HRS)和低电阻(Low Resistance State，LRS)状态之间可逆转换，从而实现存储功能。这两个状态可以在一定条件下方便的进行互相转换，由此可以分别用这两个状态来存储0、1信息。现有技术报道中，CuxO(1＜x≤2)、WOx(1＜x≤3)、镍的氧化物、钛的氧化物、锆的氧化物、铝的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物、铪的氧化物、钼的氧化物、锌的氧化物、SrZrO3、PbZrTiO3、Pr1-xCaxMnO3等金属氧化物...
【技术保护点】
１．一种电阻随机存储器，包括用于对存储单元进行初始化操作或者置位操作的写驱动模块，其特征在于，还包括：与所述存储单元耦接的反馈电阻，用于反馈存储单元中存储电阻的状态变化；以及比较器，用于控制所述写驱动模块输出，反馈存储电阻状态变化的信息输入至该比较器。
【技术特征摘要】
1.一种电阻随机存储器，包括用于对存储单元进行初始化操作或者置位操作的写驱动模块，其特征在于，还包括：与所述存储单元耦接的反馈电阻，用于反馈存储单元中存储电阻的状态变化；以及比较器，用于控制所述写驱动模块输出，反馈存储电阻状态变化的信息输入至该比较器。2.如权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述写驱动模块还用于对存储单元进行复位操作。3.如权利要求2所述的电阻随机存储器，其特征在于，还包括与所述反馈电阻并联的开关，复位操作或者读操作时，所述开关导通。4.如权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述存储单元包括选通管和存储电阻。5.如权利要求4所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述存储单元为1T1R结构、1D1R结构、2T2R结构、或者2D2R结构。6.如权利要求1或4所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述存储电阻为具有存储特性的CuxO、WOy、镍的氧化物、钛的氧化物、锆的氧化物、铝的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物、铪的氧化物、钼的氧化物、锌的氧化物、SrZrO3或PbZrTiO3，其中，1＜x≤2、1＜y≤3。7.如权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述比较器的第一输入端输入反馈存储电阻状态变化的信息，所述比较器的第二输入端输入参考电压。8.如权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述比较器的输入端耦接写驱动模块的使能端。9.一种如权利要求1所述电阻随机存储器的初始化操作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)写驱动模块输出初始化电压信号，其同时偏置于存储单元和反馈电阻；(2)存储单元中的存储电阻发生初始化转变；(3)反馈存储电阻状态变化的信息输入至比较器，比较器同时输出信号以中断写驱动模块输出初始化电压信号。10.一种如权利要求1所述电阻随机存储器的置位操作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)写驱动模块输出置位电压信号，其同时偏置于存储单元和反馈电阻；(2)存储单元中的存储电阻发生置位转变；(3)反馈存储电阻状态变化的信息输入至比较器，比较器同时输出信号以中断写驱动模块输出置位电压信号。11.一种电阻随机存储器，包括用于对存储单元进行初始化操作或者置位操作的写驱动模块，其特征在于，还包括：置于位线上的反馈电阻，用于反馈存储单元中存储电阻的状态变化；置于所述反馈电阻和写驱动模块的输出端之间的开关；以及比较器，反馈存储电阻状态变化的信息输入至该比较器，使该比较器输出信息控制所述开关转变为关断状态。12.如权利要求11所述的电阻随机存储器，其特征在于，还包括：第一MOS管，其与所...
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