带电阻随机存储器模块的单芯片结构可编程逻辑器制造技术

本发明专利技术属于可编程逻辑器技术领域，具体为一种可编程逻辑器。该可编程逻辑器包括地址电路模块（３１０）、比较单元（３２０）、ＳＲＡＭ模块（３８０）、逻辑阵列（３９０）以及用于克服ＳＲＡＭ模块中软错误率的电阻随机存储器模块（３７０），所述电阻随机存储器模块与地址电路模块、比较单元、ＳＲＡＭ模块、逻辑阵列实现单芯片集成。该可编程逻辑器不但能克服ＳＲＡＭ中的ＳＥＲ问题，还具有单芯片、体积小、抗辐射、功耗低、成本低的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于可编程逻辑器
，具体涉及一种通过非挥发(Nonvolatile)存储器模块克服挥发(Volatile)存储器模块中的软错误率(Soft Error Rate，SER)问题的可编程逻辑器，尤其涉及所述非挥发存储器为电阻随机存储器的、单芯片结构的可编程逻辑器。
技术介绍
PLD是可编程逻辑器(Programmable Logic Device)的简称，广义的可编程逻辑器还包括FPGA(Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)与CPLD(ComplexProgrammable Logic Device，复杂可编程逻辑器件)等。可编程逻辑器能完成任何数字器件的功能，上至高性能CPU，下至简单的74电路，都可以用PLD来实现。可编程逻辑器如同一张白纸或是一堆积木，工程师可以通过传统的原理图输入法，或是硬件描述语言自由的设计一个数字系统。通过软件仿真，可以事先验证设计的正确性。在PCB(PrintedCircuitBoard，印刷电路板)完成以后，还可以利用可编程逻辑器的在线修改能力，随时修改设计而不必改动硬件电路。使用可编程逻辑器来开本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种可编程逻辑器，其特征在于包括地址电路模块（３１０）、比较单元（３２０）、ＳＲＡＭ模块（３８０）、逻辑阵列（３９０）以及用于克服ＳＲＡＭ模块中软错误率的非挥发存储器模块，所述非挥发存储器模块为电阻随机存储器模块（３７０），所述电阻随机存储器模块与地址电路模块、比较单元、ＳＲＡＭ模块、逻辑阵列实现单芯片集成。

【技术特征摘要】
1.一种可编程逻辑器，其特征在于包括地址电路模块(310)、比较单元(320)、SRAM模块(380)、逻辑阵列(390)以及用于克服SRAM模块中软错误率的非挥发存储器模块，所述非挥发存储器模块为电阻随机存储器模块(370)，所述电阻随机存储器模块与地址电路模块、比较单元、SRAM模块、逻辑阵列实现单芯片集成。2.根据权利要求1所述的可编程逻辑器，其特征在于，所述电阻随机存储器为基于CuxO的电阻随机存储器，其中1＜x≤2。3.根据权利要求1所述的可编程逻辑器，其特征在于，所述地址电路模块通过地址线同时发送地址信号给SRAM模块和电阻随机存储器模块，分别选择电阻随机存储器模块和SRAM模块的相应的列。4.根据权利要求1所述的可编程逻辑器，其特征在于，所述电阻随机存储器模块通过写线与SRAM模块连接，并通过写线向SRAM模块写入电阻随机存储器模块所存储的数据。5.根据权利要求1所述的可编程逻辑器，其特征在于，所述电阻随机存储器模块通过所述写线读出相应地址的数据并输入比较单元，所述SRAM模块通...

【专利技术属性】
技术研发人员：林殷茵，陈凤娇，薛晓勇，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]