一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法技术

本发明专利技术属于电阻型存储器技术领域，具体为一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法。本发明专利技术的制备方法中以在钨金属层上直接形成厚度小于或等于１０纳米的硅层、然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层，从使其氧化钨基电阻型存储器的制备具有工艺简单、制备成本低的特点，同时其制备的氧化钨基电阻型存储器成品率高、功耗低，抗读干扰性能和高疲劳特性均得以提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电阻型存储器
，具体涉及一种氧化钨基电阻型存储器，尤其涉及一种通过对钨金属和所覆盖的薄层硅同时进行氧化形成氧化钨基存储介质层的存储器及其制备方法。
技术介绍
存储器在半导体市场中占有重要的地位，由于便携式电子设备的不断普及，不挥发存储器在整个存储器市场中的份额也越来越大，其中90％以上的份额被FLASH占据。但是由于存储电荷的要求，FLASH的浮栅不能随技术代发展无限制减薄，有报道预测FLASH技术的极限在32nm左右，这就迫使人们寻找性能更为优越的下一代不挥发存储器。最近电阻转换存储器件(Resistive Switching Memory)因为其高密度、低成本、可突破技术代发展限制的特点引起高度关注，所使用的材料有相变材料、掺杂的SrZrO3、铁电材料PbZrTiO3、铁磁材料Pr1-xCaxMnO3、二元金属氧化物材料、有机材料等。电阻型存储器通过电信号的作用，使存储介质在高电阻状态(High ResistanceState，HRS)和低电阻(Low Resistance State，LRS)状态之间可逆转换，从而实现存储功能。电阻型存储器使用的存储介质材本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制备氧化钨基电阻型存储器的方法，其特征在于，通过在钨金属层上直接形成厚度小于或等于１０纳米的硅层，然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层。

【技术特征摘要】
1.一种制备氧化钨基电阻型存储器的方法，其特征在于，通过在钨金属层上直接形成厚度小于或等于10纳米的硅层，然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述氧化钨基存储介质之上构图形成上电极；所述钨金属层构图形成于下电极之上、或者将所述钨金属层设置为下电极。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅层为连续的非晶硅薄膜层。4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述硅层的厚度范围为1至5纳米。5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氧化处理是等离子氧化、热氧化、离子注入氧化之一。6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述上电极是TaN、Ta、TiN、Ti、W、Al、Ni或Co，或者是它们之中几种的复合层。7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氧化钨基存储介质层为WSiO层，或者为WSiO层和WOx层的复合层，或者为氧化硅层、WSiO层和WOx层的复合层，或者为氧化硅层和WSiO层的复合层；其中，1＜x≤3。8.一种根据权利要求1所述方法制备的氧化钨基电阻型存储器，其特征在于，包括：下电极；包括WSiO层的氧化钨基存储介质层；以及上电极。9.如权利要求8所述的氧化钨基电阻型存储器，其特征在于，所述氧化钨基存储介质层仅为WSiO层。10.如权利要求8所述的氧化钨基电阻型存储器，其特征在于，所述氧化钨基存储介质层为...

【专利技术属性】
技术研发人员：林殷茵，宋雅丽，王明，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]