输入电路制造技术

提供一种输入电路，可在短时间内转移到接收输入信号的状态。输入端子（Ｐ１）接收来自外部的输入信号（Ｓ１）。输入晶体管（Ｍ１）的控制端子连接到输入端子（Ｐ１），且状态根据输入信号（Ｓ１）而变化。初始化晶体管（Ｍ２）设置在输入端子（Ｐ１）和接地端子（Ｐ２）之间。控制电路（１２）在接通对于输入电路（１０）的电源时，导通初始化晶体管（Ｍ２），之后截止初始化晶体管（Ｍ２）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体集成电路中，接收来自外部的信号的输入电路。
技术介绍
在半导体集成电路中，从外部输入数字信号的情况下，一般在半导体集成电路的输入级设置输入阻抗高的输入电路(输入缓冲器)。作为输入电路的代表性的结构，可以举出反相器(inverter)、差动放大器、射极跟随电路、源极跟随电路等。图1是表示电容式话筒和接收它的输出信号的信号处理电路200的结构的电路图。电容式话筒2由包括电容器Cmic的等效电路示出。电容式话筒2是声电变换元件，输出对应于输入的声音的电信号S1。信号处理电路200包括输入电路210和信号处理单元220。输入电路210作为以高阻抗接收来自电容式话筒2的电信号S1的所谓的缓冲器起作用。输入电路210包括P沟道MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的输入晶体管M1。在输入晶体管M1中流过对应于电信号S1的电流，或者在其源极产生对应于电信号S1的电压。输入电路210将对应于电信号S1的电流Is或电压Vs(以下，检测信号S2)输出到后级的信号处理单元220。【专利文献1】(日本)特开平7-212148号公报本申请人认识到在使用了图1的输入电路210的情况下，产生以下的问题。若接通信号处理电路200的电源，则电源电压Vdd上升，并且随之输入晶体管M1的源极电位上升。由于在输入晶体管M1的栅极源极之间存在寄生电容Cgs，所以随着源极电位Vs上升，栅极电位Vg上升。为了接收来自电容式话筒2的信号S1，输入晶体管M1的栅极电位Vg需要被偏置为接地电位附近，所以若就在启动之后栅极电压Vg上升，则不能正常地接收信号S1。由于电容式话筒2输出数十Hz～20kHz的音频带的信号S1，所以由电容器Cmic(例如数pF)和偏置电阻Rbias(例如数GΩ)决定的时间常数会非常长。因此，若一旦栅极电位Vg上升，则用于该栅极电位Vg降低至接地电位附近需要数秒程度的非常长的时间。这意味着就在启动之后长时间期间不能接受声音输入。这样的问题并不限定于在接收来自电容式话筒的信号的输入电路中，在用于其它用途的各种输入电路中产生。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的课题而完成的，其一个方式的例示性的目的在于，提供一种能够在启动之后短时间内动作的输入电路。本专利技术的一个方式涉及输入电路。输入电路包括：输入端子，接收来自外部的信号；输入晶体管，其控制端子连接到输入端子，且状态根据信号而变化；初始化晶体管，设置在输入端子和接地端子之间；以及控制电路，在接通对于该输入电路的电源时，导通初始-->化晶体管，之后截止初始化晶体管。在这个方式中，由于就在启动之后初始化晶体管导通，所以输入端子的电位被固定为接地电位附近。之后，在电源电压稳定的状态下截止初始化晶体管，从而成为能够接收输入信号的状态。即，提供能够在短时间内动作的输入电路。控制电路也可以在导通初始化晶体管之后，经过规定的时间之后截止初始化晶体管。控制电路也可以包括：电容器，连接到初始化晶体管的控制端子；开关，在接通电源时，将电容器的电位设定为初始化晶体管导通的电平；以及放电电路，向初始化晶体管截止的方向改变电容器的电荷量。放电电路可以是从电容器抽出电流(电荷)的恒流电路。放电电路可以是从电容器抽出电流(电荷)的电阻元件。也可以在输入端子上连接设备，该设备包括在该输入端子和接地端子之间设置的电容器。也可以在输入端子上连接电容式话筒。在一个方式中，输入电路也可以包括设置在输入端子和接地端子之间的偏置电阻。也可以在输入端子中输入音频信号。另外，将以上的结构要素的任意的组合和将本专利技术的结构要素或表现在系统等之间相互置换的结果，作为本专利技术的方式也是有效的。根据本专利技术的一个方式，提供一种在启动后能够在短时间内动作的输入电路。附图说明图1是表示电容式话筒和接收其输出信号的信号处理电路的结构的电路图。图2(a)是表示包括本专利技术的实施方式的输入电路的信号处理电路的结构的图，图2(b)是表示变形例的输入电路的结构的电路图。图3(a)是表示图2(a)的信号处理电路的动作的定时图，图3(b)是表示图1的信号处理电路的动作的定时图。图4是表示包括变形例的输入电路的信号处理电路的结构的电路图。图5是表示包括变形例的输入电路的信号处理电路的结构的电路图。标号说明2……电容式话筒、100……信号处理电路、P1……输入端子、P2……接地端子、10……输入电路、12……控制电路、14……放电电路、18……偏置电路、20……信号处理单元、22……差动放大器、24……A/D转换器、26……数字信号处理电路、M1……输入晶体管、M2……初始化晶体管、M3……开关、S1……输入信号、C1电容器具体实施方式以下，参照附图说明本专利技术的优选的实施方式。对于在各个附图中示出的相同或等同的结构要素、构件、处理，赋予相同的标号，适当地省略重复的说明。此外，实施方式只是例示，并不是用于限定专利技术，在实施方式中记载的所有特征和其组合并不一定是专利技术的本质性的特征。-->此外，在本说明书中，“构件A与构件B连接”的状态包括构件A与构件B在物理上直接连接的情况，以及构件A与构件B经由不影响电连接状态的其他构件间接连接的情况。同样地，“在构件A与构件B之间设置了构件C的状态”，除了构件A与构件C或构件B与构件C直接连接的情况之外，还包括经由不影响电连接状态的其他构件间接连接的情况。图2(a)是表示包括本专利技术的实施方式的输入电路10的信号处理电路100的结构的图。信号处理电路100包括输入电路10和信号处理单元20。信号处理电路100在输入端子P1中接收来自外部的输入信号S1。接地端子P2接地。在输入端子P1与接地端子P2之间设置了偏置电阻Rbias。输入晶体管M1是P沟道MOSFET，其控制端子(栅极)与输入端子P1连接，且输入输入信号S1。输入晶体管M1的状态(导通程度)根据输入信号S1而变化。图2(a)的输入晶体管M1可作为所谓的源极跟随电路来理解，在输入晶体管M1的源极产生对应于输入信号S1的检测电压Vs，或者在输入晶体管M1中流过对应于输入信号S1的检测电流Is。检测电压Vs或者检测电流Is(以下，将它们称为检测信号S2)输入到后级的信号处理单元20。在图2(a)中，输入信号S1是来自电容式话筒2的音频信号。电容式话筒2由包括并联连接的电容Cmic的等效电路示出。初始化晶体管M2设置在输入端子P1和接地端子P2之间。具体地说，初始化晶体管M2是N沟道MOSFET，其源极连接到接地端子P2，其漏极连接到输入端子P1。控制电路12在接通对于该输入电路10的电源时，导通初始化晶体管M2，之后截止初始化晶体管M2。具体地说，控制电路12在导通初始化晶体管M2之后，经过规定的时间τ1之后，截止初始化晶体管M2。规定的时间τ1，最好设定为对于输入电路10(信号处理电路100)的电源电压Vdd稳定所需的时间程度或者比该时间长。控制电路12包括电容器C1、开关M3、以及放电电路14。电容器C1设置在初始化晶体管M2的控制端子(栅极)和接地端子P2之间。在接通电源时，开关M3将电容器C1的电位Vc设定为初始化晶体管M2导通的电平。例如，开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种输入电路，其特征在于，包括：输入端子，接收来自外部的信号；输入晶体管，其控制端子连接到所述输入端子，且状态根据所述信号而变化；初始化晶体管，设置在所述输入端子和接地端子之间；以及控制电路，在接通对于该输入电路的电源时，导通所述初始化晶体管，之后截止所述初始化晶体管。

【技术特征摘要】
JP 2009-8-7 184860/09;JP 2010-7-7 154815/101.一种输入电路，其特征在于，包括：输入端子，接收来自外部的信号；输入晶体管，其控制端子连接到所述输入端子，且状态根据所述信号而变化；初始化晶体管，设置在所述输入端子和接地端子之间；以及控制电路，在接通对于该输入电路的电源时，导通所述初始化晶体管，之后截止所述初始化晶体管。2.如权利要求1所述的输入电路，其特征在于，所述控制电路包括：电容器，连接到所述初始化晶体管的控制端子；开关，在接通所述电源时，将所述电容器的电位设定为所述初始化晶体管导通的电平；以及放电电路，向所述初始化晶体管截止的方向改变所述电容器的电荷量。3.如权利要求2所述的输入电路，其特征在于，所述放电电路是从所述电容器抽出电流的恒流电路。4.如权利要求2所述的输入电路，其特征在于，所述放电电路是从所述电容器抽出电流的电阻元件。5.如权利要求1至4的任一项所述的输入电路，其特征在于，在所述输入端子上连接了设备，该设备包括在该输入端子和接地端子之间设置的电容器。6.如权利要求1至4的任一项所述的输入电路，其特征在于，在所述输入端子上连接了电容式话筒。7.如权利要求5或6所述的输入电路，其特征在于，还包括：偏置电阻，设置在所述输入端子和接地端子之间。8.如权利要求1至4的任一项所述的输入电路，其特征在于，在所述输入端子中输入音频信号。9.一种输入电路，其特征在于，包括：输入端子，接收来自外部的信号；输入晶体管，其控制端子连接到所述输入端子，且状态根据所述信号而变化；初始化晶体管，设置在所述输入端子和接地端子之间；控制电...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川彻弥，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]