基于级联的去嵌入方法技术

技术编号:6240173 阅读:177 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
实施例是一种用于去嵌入的方法。该方法包括:在半导体芯片中形成主结构;以及在半导体芯片中形成辅助结构。辅助结构复制主结构的第一部分。该方法还包括:基于测量确定用于主结构和辅助结构中的每一个的传输矩阵;以及通过确定主结构的传输矩阵和辅助结构的传输矩阵的逆矩阵的积,提取主结构的第一组件的传输矩阵。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总的来说涉及一种用于去嵌入的方法,更具体地,涉及用于去嵌入级联网络的组件(component)的方法。
技术介绍
通常,去嵌入(de-embedding)是提取电网络中组件的寄生行为以确定电网络中特定组件的电行为。通过从所测量的网络行为中提取寄生值,特定组件可以与网络的其他组件隔离并且独立地被评价。去嵌入在半导体工业中尤其有用,例如在晶片接受度测试(WAT)期间,隔离集成电路内的结构以确定该结构是否正确操作。例如,在WAT期间,可以期望提取由来自还包括受测器件(DUT)的网络的焊盘、互连和传输线所引起的寄生现象(parasitics),以独立于网络分析DUT。典型的去嵌入技术通常要求诸如通过本领域已知的参数,使用组件中模型寄生的等效电路,以及使用网络和模型的表示的数学操作来测量网络的行为,确定网络的一些表示,以确定期望组件的行为。然而,这些技术具有一些缺点。一个缺点是所使用的模型在网络的电特性不能通过等效电路模拟时可能变得无效,或者诸如如果互连或传输线的长度变得太长或者工作频率变得太高,则难以获得或使用准确的等效电路。另一个缺点是模型可以假设通常在结构中使用的接地片可对结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于去嵌入的方法,所述方法包括:在半导体芯片中形成主结构;在所述半导体芯片中形成辅助结构,其中,所述辅助结构复制所述主结构的第一部分;基于测量确定用于所述主结构和所述辅助结构中的每一个的传输矩阵;以及通过确定所述主结构的传输矩阵和所述辅助结构的传输矩阵的逆矩阵的积,提取所述主结构的第一组件的传输矩阵。

【技术特征摘要】
US 2009-12-17 12/640,1381.一种用于去嵌入的方法,所述方法包括:在半导体芯片中形成主结构;在所述半导体芯片中形成辅助结构,其中,所述辅助结构复制所述主结构的第一部分;基于测量确定用于所述主结构和所述辅助结构中的每一个的传输矩阵;以及通过确定所述主结构的传输矩阵和所述辅助结构的传输矩阵的逆矩阵的积,提取所述主结构的第一组件的传输矩阵。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述辅助结构复制所述主结构的所述第一部分和第二部分,使得所述主结构是对称的。3.根据权利要求1所述的方法,还包括附加辅助结构,所述附加辅助结构复制所述主结构的第二部分,其中,所述第一部分和所述第二部分是不同的,使得所述主结构是非对称的。4.根据权利要求1所述的方法,还包括:通过确定所述辅助结构的传输矩阵与所述第一组件的所述传输矩阵的逆矩阵的积,提取第二组件的传输矩阵。5.一种用于去嵌入级联网络的方法,所述方法包括:测量主结构和第一辅助结构的电特性,以确定所述主结构和所述第一辅助结构中的每一个的传输矩阵,其中,所述主结构和所述第一辅助结构形成在半导体芯片中,以及所述辅助结构复制所述主结构的第一部分;以及通过将所述主结构的所述传输矩阵与所述辅助结构的所述传输矩阵的逆矩阵相乘,提取所述主结构的第一组件的传输矩阵。6.根据权利要求5所述的方法,还包括:在所述半导体芯片中形成所述主结构和所述第一辅助结构;和/或响应于所述主结构的所述第一组件的传输矩阵,在附加半导体芯片中形成改进的主结构;所述第一辅助结构还复制所述主结构的第二部分。7.根据权利要求5所述的方法,其中,所述主结构是对称的或...

【专利技术属性】
技术研发人员:卓秀英
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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