研磨液组合物制造技术

本发明专利技术提供一种能够抑制端面下垂的研磨液组合物，其含有共聚物以及研磨材料，所述共聚物具有下述式(I)表示的结构单元和下述式(II)-(III)表示的一种以上的结构单元。作为用于形成下述式(I)表示的结构单元的单体，可列举出甲基丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯等，作为用于形成下述式(II)表示的结构单元的单体，可列举出甲基丙烯酸硬脂酸酯等，作为用于形成下述式(III)表示的结构单元的单体，可列举出甲基丙烯酸聚丙二醇酯等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及研磨液组合物及使用该组合物的基板的制造方法。
技术介绍
随着计算机的迅速普及和数字播放等的开始等，希望增大硬盘驱动的记录容量。 为了实现该记录容量的增大，例如，在用于硬盘驱动的存储硬盘的研磨工序中，实施了抑制端面下垂(rolloff)的产生、增大记录面积的方法。作为抑制端面下垂的研磨液组合物，提出了含有聚氧乙烯的单体化合物和酸的研磨液组合物(特开2002-167575号)和含有聚氧乙烯山梨醇酐脂肪酸酯等的单体化合物的研磨液组合物(特开2003-160781号)。但是，随着信息化社会的扩大，要求进一步增大记录容量，所以由以往的研磨液组合物产生的抑制效果不足，要求可以进一步抑制端面下垂的研磨液组合物。
技术实现思路
本专利技术涉及一种研磨液组合物，其含有共聚物和研磨材料，上述共聚物是具有下述式(I)表示的结构单元、和选自下述式(II)-(IV)表示的结构单元中的至少一种结构单元的共聚物。本专利技术还涉及基板的制造方法，其包含使用上述研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。权利要求1. 一种研磨液组合物，其含有共聚物以及研磨材料，所述共聚物具有下述式(I)表示的结构单元和选自下述式(II)和(III)表示的结构单元中的至少一种结构单元，2.根据权利要求1记载的研磨液组合物，其中所述共聚物中的式(I)表示的结构单元与式(II)和(III)表示的结构单元的重量比为25/75-97. 5/2. 5。3.根据权利要求2记载的研磨液组合物，其中所述共聚物中的式(I)表示的结构单元与式(II)和(III)表示的结构单元的重量比为65/35-85/15。4.根据权利要求1记载的研磨液组合物，其中所述共聚物的重均分子量为5000-50万。5.根据权利要求1 4中任何一项记载的研磨液组合物，其中所述研磨材料是氧化铝。6.根据权利要求1 4中任何一项记载的研磨液组合物，其中所述式(II)中，X是氧原子。7.根据权利要求1 4中任何一项记载的研磨液组合物，其中所述式(II)中，R4是碳原子数为4-30的烷基。8.一种基板的制造方法，其包括使用权利要求1 7中任何一项记载的研磨液组合物对被研磨基板进行研磨的工序。9.根据权利要求8记载的基板的制造方法，其中所述基板是硬盘用基板。全文摘要本专利技术提供一种能够抑制端面下垂的研磨液组合物，其含有共聚物以及研磨材料，所述共聚物具有下述式(I)表示的结构单元和下述式(II)-(III)表示的一种以上的结构单元。作为用于形成下述式(I)表示的结构单元的单体，可列举出甲基丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯等，作为用于形成下述式(II)表示的结构单元的单体，可列举出甲基丙烯酸硬脂酸酯等，作为用于形成下述式(III)表示的结构单元的单体，可列举出甲基丙烯酸聚丙二醇酯等。文档编号C08F290/06GK102153990SQ201110130439公开日2011年8月17日 申请日期2007年9月7日 优先权日2006年9月8日专利技术者山胁有希子, 本间祐一, 铃木真彦 申请人:花王株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种研磨液组合物，其含有共聚物以及研磨材料，所述共聚物具有下述式（Ｉ）表示的结构单元和选自下述式（ＩＩ）和（ＩＩＩ）表示的结构单元中的至少一种结构单元，所述式（Ｉ）中，Ｒ１是氢原子或者甲基，Ｒ２是碳原子数为１－４的烷基，ＡＯ是碳原子数为１－８的氧化烯基，ｐ是０或１，ｎ是ＡＯ的总平均加成摩尔数，且是６－３００的数，（ＡＯ）ｎ中的氧化乙烯基所占的比例是８０摩尔％以上，所述式（ＩＩ）中，Ｒ３是氢原子或者甲基，Ｘ是氧原子或者ＮＨ基，Ｒ４是碳原子数为４－３０的烷基或者碳原子数为６－３０的芳基，所述式（ＩＩＩ）中，Ｒ５是氢原子或者甲基，Ｒ６是氢原子或者碳原子数为１－３的烷基，ＡＯ是碳原子数为２－４的氧化烯基，ｍ是ＡＯ的总平均加成摩尔数且是３－１５０的数，（ＡＯ）ｍ中的氧化丙烯基和氧化丁烯基所占的比例是８０摩尔％以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：铃木真彦，本间祐一，山胁有希子，
申请(专利权)人：花王株式会社，
类型：发明
国别省市：JP