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一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法技术

技术编号:6156578 阅读:391 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法,包括:将有机溶剂在氮气保护下搅拌升温至120~130℃,并于120~130℃稳定0.5~2h,然后升温到200~360℃,向有机溶剂中注入0.02~1mol/L二乙基二硫代氨基甲酸锡前躯体的有机胺溶液,其中,锡前驱体溶液与有机溶剂体积比为1~5∶3,反应2-60min后,自然冷却至室温,洗涤分离沉淀,即得SnS2纳米六方片。本发明专利技术操作简单,无设备要求;所使用的各种溶剂均对环境友好,无高毒性物质产生;所得产物可制成“墨水”,用于印刷太阳能电池,容易规模化,具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于SM2薄膜太阳能电池材料的制备领域,特别涉及一种注射法高温液相 制备SM2纳米六方片的方法。
技术介绍
在目前人类的能源消费结构中,石油、煤炭、天然气等矿物资源占到了人类能源供 给量的80%以上。而此类传统的初级能源除了不可再生所造成的有限性外,另一个弊端就 是使用后对环境的污染性,这也是人类面临的能源和环境两大难题。因此,能源安全和温室 气体减排已经成为全球太阳能光伏发电产业发展背后的根本动力。目前市场上应用的太阳电池仍以单晶硅/多晶硅电池为主,但薄膜太阳电池因其 具有能量回收期短、生产制造成本低、可被制成柔性可卷曲形状、便于大面积连续生产等突 出优势,被公认为未来太阳电池发展的主要方向,并已成为国际上研究最多的太阳电池技 术之一。SnS2作为一种η型半导体,宽带能隙大约为2. leV,较宽的带隙使之具有良好的光 学和电学特性;同时,SruS两种元素地球含量丰富、无毒,因此SM2是一种很有前景的薄膜 太阳能电池材料。一般地讲,制备半导体薄膜的方法都可以用来制备SM2薄膜,如化学气 相沉积、电化学沉积、真空蒸发法等。但总体上,SnS2薄膜的制法研究还比较少。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种注射法高温液相制备SnS2纳米六方片的方法,包括:将有机溶剂在氮气保护下搅拌升温至120~130℃,并于120~130℃稳定0.5~2h,然后升温到200~360℃,向有机溶剂中注入0.02~1mol/L二乙基二硫代氨基甲酸锡前躯体的有机胺溶液,其中,锡前躯体溶液与有机溶剂体积比为1~5∶3,反应2-60min后,自然冷却至室温,洗涤分离沉淀,即得SnS2纳米六方片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈志钢唐明华杨健茂蒋扉然田启威李文尧
申请(专利权)人:东华大学
类型:发明
国别省市:31

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