一种半导体功率模块制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体功率模块，包括：散热器；覆金属陶瓷基板，安装于所述散热器上，包括：具有正表面和背表面的陶瓷基板、设于所述陶瓷基板正表面的正面金属板、以及设于所述陶瓷基板背表面的背面金属板；半导体元件，焊接于所述正面金属板上；壳体，内置并密封所述半导体元件；其中，所述散热器朝向背面金属板的一端设有冷却槽，所述背面金属板固定于散热器上并密封所述冷却槽。本实用新型专利技术的半导体功率模块结构简单、散热迅速，在实现优异的散热性能的同时能够有效的缓和半导体功率模块在冷热循环过程中产生的热应力，提高了模块整体的可靠性。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体领域，更具体的说，涉及一种半导体功率模块。
技术介绍
半导体功率模块(例如IGBT功率模块)的性能会由于半导体元件通电产生的热 量而受到影响，因而，通常将安装有半导体元件的覆金属陶瓷基板固定于散热器(或散热 板)上，并通过散热器来进行有效散热。当半导体元件工作时，由半导体元件发出的热传递 至散热器的过程中，覆金属陶瓷基板和散热器的温度变高，产生热膨胀；当半导体元件停止 发热时，覆金属陶瓷基板和散热器中的温度降低至室温，产生冷收缩。如果将覆金属陶瓷基 板直接安装在散热器上，在冷热循环过程中，由于覆金属陶瓷基板(包括陶瓷基板、正面 金属板和背面金属板等部分)以及散热器的线性热膨胀系数的差异会产生热应力，并导致 散热器、覆金属陶瓷基板发生变形或者在两者的结合界面处产生分裂，因而需要在散热器 与覆金属陶瓷基板之间设置具有两者中间的线膨胀率的应力缓冲层。目前常见的半导体功率模块在产生热量的元件下方依次铺设双面覆金属陶瓷基 板、应力缓冲层和散热器。其中，应力缓冲层选择线膨胀系数在陶瓷基板和散热器之间、且 散热良好的材料，例如氧化铝覆铜基板(或者氮化铝覆铜基板)和铝制散热器之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体功率模块，包括：散热器（７）；覆金属陶瓷基板，安装于所述散热器（７）上，包括：具有正表面和背表面的陶瓷基板（３）、设于所述陶瓷基板（３）正表面的正面金属板（２）、以及设于所述陶瓷基板（３）背表面的背面金属板（４）；半导体元件（１），焊接于所述正面金属板（２）上；壳体（９），内置并密封所述半导体元件（１）；其特征在于，所述散热器（７）朝向背面金属板（４）的一端设有冷却槽（６），所述背面金属板（４）固定于散热器（７）上并密封所述冷却槽（６）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林勇钊，林信平，陈永恒，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]