本发明专利技术提出一种新型超宽带电磁带隙结构，属于信息技术领域，其主要用途在于取代现有的高速电路/微波电路的电源层，以抑制在这些结构中存在的地弹噪声，实现较好的电源完整性。该结构具有典型的三层电路板结构，中间介质层，上下两层金属，其中电磁带隙结构位于上层。针对一个典型实例进行了验证：将实验制备的样品通过网络分析仪测试，证实了本发明专利技术能够在从500MHz到5.5GHz的频段内，对任意两个端口实现优于-30dB的噪声抑制。
Ultra wideband electromagnetic band gap structure for suppressing noise of high speed circuit / microwave circuit
The invention provides a novel ultra wideband electromagnetic bandgap structure, which belongs to the technical field of information, its main purpose is to replace the existing high-speed circuit / power microwave circuit layer, ground bounce noise suppression to exist in these structures, realize the power integrity better. The structure has a typical three - layer circuit board structure with an intermediate dielectric layer and two upper and lower layers, wherein the electromagnetic band gap structure is located on the upper layer. For a typical example: the sample prepared by the network analyzer, the invention can be confirmed in the frequency range from 500MHz to 5.5GHz, for any two port noise better than -30dB suppression.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新型超宽带电磁带隙结构，属于信息
，其主要用途在于 取代现有的高速电路/微波电路的电源层，从而抑制在这些结构中存在的地弹噪声，实现 较好的电源完整性。
技术介绍
现在电子技术，特别是芯片和封装技术正逐渐具有高速率，密集成，低功耗等特 性，其对于电源完整性的需求也随之加大。传统的电路板由于工作频段较低，电源供电系统 一般采用普通电源线供电，欧姆损耗也很小，因此具有非常好的电源完整性。但是随着诸如 处理器，内存等电子器件工作频段的逐渐上升，电源线本身的欧姆损耗和周围器件的电磁 干扰将有可能干扰其它芯片的供电电压，从而影响系统的电源完整性，严重之时甚至妨碍 电路的正常工作。为了克服这个问题，电源线逐渐演变为电源层，后者具有更小的欧姆损 耗。但是随着工作频率进一步提高，到了超过500MHz进入微波频段之时，一种新的问题，即 地弹噪声进一步影响电源层的供电效率。地弹噪声一般认为起源于芯片和封装技术上的感 性元件，微小的电流扰动产生较大的电压波动，这个电压波动对整个系统来讲是有害的，因 此称为地弹噪声。而在微波频段，除了感性元件而外，电路板自身的谐振则成为地弹噪声更 重要的诱因，在某些处于谐振的频率，一块芯片的电流变化将很容易在电路板中传播，引起 其他芯片供电电压的变化，从而破坏了整个系统的电源完整性。本专利技术即提出一种方案，以 解决在高速电路/微波电路上存在的这一问题。
技术实现思路
专利技术目的本专利技术针对现有技术的问题，提出一种新型超宽带电磁带隙结构，其 要用途在于取代现有的高速电路/微波电路的电源层，以抑制在这些结构中存在的地弹噪 声，实现较好的电源完整性。技术方案本专利技术所述的超宽带电磁带隙结构具有典型的微带结构。主体结构分 三层，其中，中间层为高速电路/微波介质板，可以为聚四氟乙烯，FR4，Roger系列等介质， 介质厚度可以为0. 2mm到2mm不等，上下两层分别作为供电系统的电源层和地层，均覆金属 铜，铜箔厚度为标准的18um或35um，下层作为地层，不作刻蚀，上层为电源层，需要刻蚀出 电磁带隙结构。性能评估传统上讲，有一种简单的方案，即看任意两个端口之间的转移阻抗，如 果这个阻抗值低于一个设定的阈值，我们认为电源完整性良好，一片芯片上可能产生的较 大电流波动将不会影响到其他芯片上。而在现实测量中，我们通常采用另一种指标，即两个 端口之间的插入损耗S21，它和转移阻抗具有相同的变化趋势，即S21越接近1，插入损耗越 小，转移阻抗越大，一个端口的变动将更容易地传播到另外一个端口之上。要保证合理的抑 制地弹噪声，我们设定的插入损耗阈值为_30dB，即只有低于此阈值，我们才认为电源完整 性良好，实现较好的噪声抑制。有益效果我们首先制备了一个技术方案中提出的三层结构的典型样品。其中中 间的介质板为FR4，其介电常数为4. 4，典型厚度为0. 4mm,两面覆铜，一面不刻蚀，保持连 续，一面需要刻蚀成需要的电磁带隙结构。为了验证其性能，我们制备了一个典型样品，并 通过我校购买的Agilent公司的E8363的矢量网络仪的进行实验验证，结果证实本专利技术能 够在从500MHz到5. 5GHz的频段内，对任意两个端口都能实现优于_30dB的效果，有效地抑 制处于该频段内地弹噪声，实现良好的电源完整性。附图说明图1是本专利技术的用于取代普通电源层的电磁带隙结构的整体示意图。分为三层结 构，中间为介质层；下层为地层，覆铜，结构连续；上层为电源层，覆铜，需要刻蚀成电磁带 隙结构，并加入外围金属。图2是本专利技术的电源层上超宽带电磁带隙结构版图主视图。其中图a为单元结构 的主视图，为了验证其具体性能，我们给出一个典型实例，具体参数为a = 30mm, W = 0. 5mm, g = 0. 5mm,ρ = lmm,图b为整个结构的主视图，它实际上是9个单元结构叠拼后，再在外围 加入一圈宽为IOcm的金属铜。图3是通过实验验证了的本专利技术的具体性能，测试样品具有图1给出典型参数。 具体实施例方式首先需制备如技术方案中提出的三层结构的样品。中间为介质板，材料可以选择 如聚四氟乙烯，FR4，Roger系列等介质，上下两层覆铜，一面连续，一面需要刻蚀成如图2的 电磁带隙结构。加工完毕之后，需要通过具体的实验验证，当证实其在一定的的频段内，对任意两 个端口都能实现低于-30dB的插入损耗，即可将其拿作普通高速电路/微波电路的电源层 的替代，以实现对地弹噪声的抑制。权利要求1.一种新型的宽带电磁带隙(以下简称EBG，Electromagnetic Bandgap)结构。包括 三层电路板结构，其中，中间层为高速电路/微波介质板(1)；下层覆铜，作为地层O)，不需 要刻蚀，；上层覆铜，作为电源层(3)，需要刻蚀成EBG结构。2.根据权利要求1提出的结构，中间层介质板(1)材料可以但不限于聚四氟乙烯， PMMA, FR4等介质。3.根据权利要求1提出的结构，下层地层O)，所覆铜箔厚度可以但不限于标准的18 微米或35微米。4.根据权利要求1提出的结构，上层电源层(3)，所覆铜箔厚度可以但不限于标准的18 微米或35微米。5.根据权利要求4所述，完整的电源层(3)需要刻蚀出具有双环EBG结构的单元 结构，再将若干单元结构合成一个整体，在外围进一步覆一定宽度的铜(5)，才能最终形成。全文摘要本专利技术提出一种新型超宽带电磁带隙结构，属于信息
，其主要用途在于取代现有的高速电路/微波电路的电源层，以抑制在这些结构中存在的地弹噪声，实现较好的电源完整性。该结构具有典型的三层电路板结构，中间介质层，上下两层金属，其中电磁带隙结构位于上层。针对一个典型实例进行了验证将实验制备的样品通过网络分析仪测试，证实了本专利技术能够在从500MHz到5.5GHz的频段内，对任意两个端口实现优于-30dB的噪声抑制。文档编号H05K1/02GK102131343SQ20111006452公开日2011年7月20日 申请日期2011年3月17日 优先权日2011年3月17日专利技术者冯一军, 凡金龙, 张欢, 徐晓非, 赵俊明, 黄慈 申请人:南京大学 本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种新型的宽带电磁带隙（以下简称ＥＢＧ，Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｂａｎｄｇａｐ）结构。包括三层电路板结构，其中，中间层为高速电路／微波介质板（１）；下层覆铜，作为地层（２），不需要刻蚀，；上层覆铜，作为电源层（３），需要刻蚀成ＥＢＧ结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓非，冯一军，凡金龙，黄慈，张欢，赵俊明，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84
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