一种锑化铟纳米晶体的制备方法技术

本发明专利技术是涉及一种锑化铟纳米晶体的制备方法，属复合纳米微晶材料技术领域。本发明专利技术产物为锑化铟纳米晶体。本发明专利技术的制备方法是：将Sb2O3、In(NO3)3·9/2H2O、PEG200和乙二醇在250mL的三颈烧瓶中混和作为生长溶液；将NaBH4溶于乙二胺作为储备液。在氮气保护气氛下将生长溶液油浴到140℃，保持30分钟磁力搅拌。然后将油裕温度调至反应温度(120℃～180℃)。用针筒将储备液迅速注入到生长溶液当中(～2S)，保持油浴温度和磁力搅拌。从反应5min到5h中间对反应液进行抽样。向抽取反应液中加入适量乙醇，以15000rpm转速离心20min分离产物(InSb)。本制备方法是一种低温(120-180℃)制备InSb纳米晶体的高效、廉价、无需催化剂、相对安全的液相制备方法；所得产物性质稳定、颗粒均匀；它可用于提供一种适用于高速电子元件、磁性元件和远红外波段的光电元件的锑化铟纳米晶体。

A preparation method of InSb nano crystal

The invention relates to a preparation method of InSb nano crystal, which belongs to the field of composite nanocrystalline materials technology. The present invention is the product of InSb nanocrystals. The preparation method of the invention is that Sb2O3, In (NO3) 3, 9/2H2O, PEG200 and ethylene glycol are mixed in the three necked flask of 250mL as a growth solution, and NaBH4 is dissolved in ethylenediamine as a reserve solution. In the nitrogen atmosphere, the solution is heated to 140 DEG C for 30 minutes and stirred by magnetic force. The oil margin is then adjusted to the reaction temperature (120 DEG C to 180 DEG C). The storage fluid is rapidly injected into the growth solution (2S) with a syringe to keep oil bath temperature and magnetic agitation. The reaction medium was sampled from reaction 5min to 5h. The amount of ethanol was extracted from the reaction liquid, and the product was separated by centrifugation at 15000rpm 20min (InSb). The preparation method is a kind of low temperature (120-180 DEG C) the preparation of InSb nano crystal, high efficiency and low cost without catalyst, the relative safety of the liquid phase preparation method; the product has stable properties, uniform particles; it can be used for InSb nano crystal provides a suitable for high-speed electronic components, magnetic components and far infrared band photoelectric element.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于III - V族纳米晶体材料制备

技术介绍
InSb是III - V族半导体中带隙最窄、载流子迁移率最高的半导体材料，在红外探测己有很好的应用，然而，由于其纳米尺度的量子点、阱和低维半导体量子体系表现出许多特殊的光、电和磁等物理性能，在超高密度磁头、医学成像、近距离通讯等领域有着巨大的应用前景。当今半导体业界，降低产品功耗是发展的一项重要内容，使用新材料来代替旧材料则是其中的重要突破口——而^Sb能够补充硅元素的不足，在降低芯片功耗的同时，能将速度提高50%以上。这使得人们对MSb和整个III - V族半导体产生了浓厚的兴趣。但是，对于III - V族化合物来说，由于它们有较强的共价性，表面原子的键的结合能较大，因此用常规的方法合成III- V族化合物纳米粒子都有很大的困难。目前，制备^Sb 纳米晶体的主要方法有有机金属气相外延法、激光辅助催化生长法和液相法。它们各有自己的特点，但同时也存在一些局限性。例如，它们三者都需要较高的反应温度(有机金属气相外延法400-70(TC ；激光辅助催化生长法 800°C ；液相法240-360°C )；锑源剧毒或处本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．本专利技术一种锑化铟纳米晶体的制备方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：　　　　ａ．　将１０５～１１５ｍｇ　Ｓｂ２Ｏ３、２８２～２９４ｍｇ　Ｉｎ（ＮＯ３）３·９／２　Ｈ２Ｏ、５０ｍｇ　ＰＥＧ２００和２５ｍＬ乙二醇在２５０ｍＬ的三颈烧瓶中混和作为生长溶液；　　　　ｂ．　将２００ｍｇ　ＮａＢＨ４溶于５ｍＬ乙二胺作为储备液；　　　　ｃ．　在氮气保护气氛下将生长溶液油浴到１４０℃，保持３０分钟磁力搅拌；然后将油裕温度调至反应温度１２０℃～１８０℃；用针筒将储备液在２～３秒们迅速注入到生长溶液当中，并保持油浴温度和磁力搅拌；　　　　ｄ．　从反应时间为５ｍｉｎ～３０ｍｉｎ中间对反应液进行抽样；向抽...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李冬梅，傅腾飞，姚亚玲，徐天胜，施昕，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31