晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆制造技术

晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆，符合新型高效太阳能电池制造工艺对Ag浆“高导、低杂、低腐蚀、低扩散、共烧成膜”的配套要求，在太阳能电池烧结曲线温度范围内，有效穿透PEVCD法制备的Si3N4减反射膜，并保护其功能；在电池的正硅面，到达的Ag与Si共晶合金化烧结，形成的金属化电极，实现AgSi欧姆接触；由烧结活化材料所实现的受控的有限活化的方法和作用元素，有利于Ag扩散的减少，不破坏周边的Si3N4减反射膜，可阻止Ag浆中玻璃对硅面的浸蚀，防止Ag浆中复杂成分进入电池内部，扩大了快烧工艺的适应性；选择的Ag粉及其改性方法有利于颗粒的空间堆砌和覆盖作用，有利于Ag厚膜电极印烧精细度和高宽比的提高，所述正栅电极Ag浆以其良好的电性能和工艺性能，可提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率，能稳定适用于高效太阳能电池产品的大规模工业化生产。

Special Ag paste for positive grid electrode of crystalline silicon solar cells

The crystal silicon solar cell front gate line electrode special Ag slurry, meet the matching requirements of new high efficiency solar cell manufacturing process for Ag slurry \high conductivity, low noise, low corrosion and low diffusion, CO firing film, solar cells in the temperature range of sintering curve, effective penetration PEVCD method for preparing Si3N4 antireflection film, and protect its function; in silicon solar cells, Ag and Si to eutectic alloy sintered metal electrode is formed, the realization of AgSi ohmic contact; method and limited role activation elements by sintering activation controlled to achieve the material, reduce the benefit of Ag diffusion, does not damage the surrounding Si3N4 antireflection film, can prevent the Ag plasma etching on the silicon glass surface, prevent Ag slurry in complex components into the battery, expand the fast sintering process adaptability; selection of Ag powder and its modified method for air particles Packing and covering effect, conducive to Ag thick film electrode printing and firing precision and high aspect ratio increased, the positive Ag gate electrode slurry with good electrical properties and processing performance, can improve the photoelectric conversion efficiency of crystalline silicon solar cell, can be applicable to large-scale industrial production stable high efficiency solar cell products.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新能源领域中太阳能光伏技术相关的新材料制造，作为半导体技术应用的新发展，厚膜微电子技术中最重要的电子浆料制造，已成为太阳能电池制造工艺中必不可少的重要部分，尤其是本专利技术涉及晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ag浆的制造技术。
技术介绍
金属Ag以其优良的导电性，若能在太阳能电池正面实现欧姆接触，必将成为晶体硅太阳能电池正面栅线电极材料的首选。早在上世纪90年代，我国的科研单位(昆明贵金属研究所)就研制了用于单晶硅太阳能电池的上下电极Ag浆和背场AL浆，AL浆已在国内全面推广，Ag浆则无法追赶太阳能电池技术的快速发展。正面Ag浆技术壁垒较高，需掌握半导体、金属学、高分子材料、无机材料、纳米材料，电子信息材料多学科交叉的先进技术， 正面Ag浆产品的开发尚未取得突破。近年来，全球太阳能电池市场发展很快，我国的产量已占世界的40%，2009年达到2. 6GW，2010年将超过6GW。但是，到目前为止，硅太阳能电池Ag浆的核心技术，紧紧掌握在美国杜邦(DuPont)、福禄(FERRO)、德国贺利氏(Hereans)、ECI公 司以及加拿大Targrag 五个公司手中。中国制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．晶体硅太阳能电池正面栅线电极专用Ａｇ浆，其特征在于：在用Ａｇ粉、烧结粘接剂和有机黏合剂制备的浆料中，为在硅面烧成Ａｇ－Ｓｉ欧姆接触，添加了晶体硅太阳能电池正面Ａｇ栅电极专用的烧结活化材料，特别是这种烧结活化材料含有金属元素Ｍｇ，含量占浆料重量的１００ＰＰＭ～５％（ｗｔ），加人的Ｍｇ元素的存在形式包括：Ｍｇ的单质，例如超细Ｍｇ粉；含Ｍｇ的合金：例如Ａｇ－Ｍｇ，Ａｇ－Ｍｇ－Ｎｉ以及Ｍｇ－Ｐｂ，Ｍｇ－Ｓｎ，Ｍｇ－Ｚｎ，Ｍｇ－Ｎｉ系的二元及多元合金；Ｍｇ的金属化合物，例如含ＡｇＭｇ，Ａｇ３Ｍｇ，Ｍｇ２Ｐｂ，Ｍｇ２Ｓｎ的材料，以及所述各类的混合料、复合材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张振中，张煜，
申请(专利权)人：张振中，张煜，
类型：发明
国别省市：53