一种多层透明导电薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用技术

本发明专利技术涉及半导体材料制备领域，提供一种多层透明导电薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用，其方法包括如下步骤：将Ga2O3粉体和ZnO粉体混合，烧结作为GZO靶材，Ga2O3粉体与ZnO粉体的质量比为1/99～1/19；提供Cu靶材；将GZO靶材和Cu靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空，交替在衬底上溅射GZO层和Cu层，得到三文治结构的GZO-Cu-GZO透明导电薄膜。本发明专利技术还提供采用此方法获得的多层透明导电薄膜及其在半导体光电器件中的应用。

Method for preparing multilayer transparent conductive film and its prepared film and Application

The present invention relates to a semiconductor material preparation field, thin film and preparation method and application of the transparent conductive film provides a multilayer, the method comprises the following steps: Ga2O3 powder and ZnO powder mixing, sintering as GZO target, the quality of Ga2O3 powder and ZnO powder ratio of 1/99 to 1/19; Cu target; GZO target and Cu target in the magnetron sputtering chamber, vacuum pumping, alternating sputtering GZO layer and Cu layer on the substrate, get the sandwich structure of GZO-Cu-GZO transparent conductive films. The invention also provides a multilayer transparent conductive film obtained by the method and its application in the semiconductor photoelectric device.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体光电材料制备领域，具体涉及一种多层透明导电薄膜的制备方 法及其制备的薄膜和应用。
技术介绍
透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一体的光电材料，由于其具有 优异的光电特性，成为近年来的研究热点和前沿课题，可广泛应用于太阳能电池，LED, TFT, LCD及触摸屏等屏幕显示领域。虽然ITO薄膜是目前综合光电性能优异、应用最为广泛 的一种透明导电薄膜材料，但是铟有毒，价格昂贵，稳定性差，在氢等离子体气氛中容易被 还原等问题，人们力图寻找一种价格低廉且性能优异的ITO替换材料。其中，掺镓氧化锌 (Ga-doped SiO，简称GZO薄膜)具有材料廉价，无毒，可以同ITO相比拟的电学和光学性能 等特点，已成为最具竞争力的透明导电薄膜材料。采用磁控溅射方法制备GZO薄膜，具有沉积速率高、薄膜附着性好、易控制并能实 现大面积沉积等优点，因而成为当今工业化生产中研究最多、工艺最成熟和应用最广的一 项方法。但是，低温下制备，不加热处理，难以得到低电阻率的GZO薄膜。超薄导电金属层也可以作为透明导电膜，但目前能应用的只有金、银和钼等电阻 率低且化学稳定性好的贵金属，成本昂本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将Ｇａ２Ｏ３粉体和ＺｎＯ粉体混合，烧结作为ＧＺＯ靶材，所述Ｇａ２Ｏ３粉体与所述ＺｎＯ粉体的质量比为１／９９～１／１９；提供Ｃｕ靶材；将所述ＧＺＯ靶材和所述Ｃｕ靶材装入磁控溅射腔体内，交替在衬底上溅射ＧＺＯ层和Ｃｕ层，得到三文治结构的ＧＺＯ－Ｃｕ－ＧＺＯ透明导电薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，黄辉，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94