腔体滤波器制造工艺参数选择方法技术

技术编号:6064099 阅读:247 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术属于腔体滤波器的制造领域,具体是在腔体滤波器的制造过程中对加工工艺参数的一种选择方法,确切说是腔体滤波器制造工艺参数选择方法,其方法是:至少包括:步骤101至110,运用最小二乘回归的方法建立了加工工艺参数与耦合矩阵之间的函数关系,采用反推得到的工艺参数将得到更加接近设计要求的滤波器,减少了研制成本和调试时间。它满足了对腔体滤波器更高的电性能要求。

Cavity filter manufacturing process parameter selection method

The invention belongs to the field of manufacturing cavity filter, in particular in the manufacturing process of cavity filter a selection method of process parameters, the exact cavity filter manufacturing process parameter selection method, the method is: at least comprises the following steps: 101 to 110, function by using the method of least-squares regression was established between processing the process parameters and the coupling matrix, the process parameters derived will be closer to the filter design requirements, reduce the cost of development and debugging time. It meets the requirement of higher electrical performance for cavity filter.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于腔体滤波器的制造领域,具体是在腔体滤波器的制造过程中对加工工 艺参数的一种选择方法,确切说是,用于减少或者消除 制造误差对腔体滤波器电性能带来的影响,有助于降低研制成本,缩短研制周期,减少调试 时间。
技术介绍
在腔体滤波器的制造过程中,不同的工艺参数会带来不同的制造误差。制造误差 是影响其电性能的主要因素。然而长期以来,在工程中对于腔体滤波器的研究多集中在滤 波器理论和滤波器设计方法上,并未对滤波器的制造误差与电性能之间的关系进行深入的 分析,对滤波器的制造工艺的选择由于受到加工条件和加工成本的影响,均采用一般的工 艺参数选择方法,没有进行合理的选择或者优化,使加工后的滤波器的电性能与设计要求 的电性能差距较大,必须通过附加的调试环节凭经验进行复杂的调试,才能达到要求的指 标,从而造成滤波器的调试周期长,研制成本高等问题。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题,本专利技术提供一种合理选择腔体滤波器加工工艺参数的 方法,确切说是,以满足对腔体滤波器更高的电性能要 求。为实现上述目的,,其方法是它包括步骤101,通过给定的腔体滤波器模型参数,依据公式计算需要加工的滤波器腔体和滤 波器内导体误差;步骤102,依据上述公式计算的含有加工误差滤波器模型输入到电磁场仿真软件HFSS 中建立含有加工误差滤波器模型;步骤103,由HFSS仿真得到S曲线; 步骤104,从仿真得到的S曲线得到传输函数表达式; 步骤105,通过滤波器等效电路推导出导纳函数的第一表达式; 步骤106,由传输、反射函数多项式经过同等变换得到导纳函数第二种形式的表达式; 步骤107,比较第一表达式和第二表达式提取出耦合矩阵; 步骤108,通过步骤101步至步骤107步选取工艺参数,得到耦合矩阵样本集; 步骤109,运用最小二乘回归分析法,依据耦合矩阵样本集建立模型,得到加工工艺参 数与耦合矩阵之间的函数表达式; 步骤110,根据设计要求的滤波器的电性能参数反推出加工工艺参数。所述的从仿真得到的S曲线得到传输函数表达式是运用改进的柯西法得到传输 函数表达式。所述的依据公式计算需要加工滤波器内导体误差通过如下四种公式之一计算,两顶尖装卡的内导体误差计算公式权利要求1.,其方法是它包括步骤101,通过给定的腔体滤波器模型参数,依据公式计算需要加工的滤波器腔体和滤 波器内导体误差;步骤102,依据上述公式计算的含有加工误差滤波器模型输入到电磁场仿真软件HFSS 中建立含有加工误差滤波器模型;步骤103,由HFSS仿真得到S曲线; 步骤104,从仿真得到的S曲线得到传输函数表达式; 步骤105,通过滤波器等效电路推导出导纳函数的第一表达式; 步骤106,由传输、反射函数多项式经过同等变换得到导纳函数第二种形式的表达式; 步骤107,比较第一表达式和第二表达式提取出耦合矩阵; 步骤108,通过步骤101步至步骤107步选取工艺参数,得到耦合矩阵样本集; 步骤109,运用最小二乘回归分析法,依据耦合矩阵样本集建立模型,得到加工工艺参 数与耦合矩阵之间的函数表达式;步骤110,根据设计要求的滤波器的电性能参数反推出加工工艺参数。2.根据权利要求1所述的,其方法是所述的从仿 真得到的S曲线得到传输函数表达式是运用改进的柯西法得到传输函数表达式。3.根据权利要求1所述的,其方法是所述的依据 公式计算需要加工滤波器内导体误差通过如下四种公式之一计算,两顶尖装卡的内导体误差计算公式4.根据权利要求2所述的,其方法是所述的两顶 尖装卡的内导体误差计算公式其建立力学模型具体步骤过程是先求出支座反力和IW 5.根据权利要求2所述的,其方法是所述的一端 三爪卡盘一端顶尖装卡的内导体误差计算公式其建立力学模型具体步骤过程是利用B点的挠度为0,用叠加法求解支座反力:Fay和Fby 6.根据权利要求2所述的,其方法是所述加跟刀 架后两顶尖装卡的内导体误差计算公式其建立力学模型具体步骤过程是求解方法参照两顶尖装卡的内导体误差计算公式,最终得到的挠曲线微分方程为7.根据权利要卞L所述的,其方法是所述的加跟 刀架后一端三爪卡盘一端顶尖装卡的内导体误差计算公式其建立力学模型具体步骤过程 是求解方法参照一端三爪卡盘一端顶尖装卡的内导体误差计算公式,最终得到的挠曲线 微分方程为8.根据权利要求1所述的,其方法是所述的依据 公式计算需要加工的滤波器腔体误差是通过对铣刀的受力分析得到腔体内壁铣削后的误 差模型表达式获取9.根据权利要求1所述的,其方法是所述的得到S 曲线是通过间接的方法完成。10.根据权利要求1所述的,其方法是所述的HFSS 依据滤波器腔体加工误差和滤波器内导体加工误差生成滤波器模型所需记录语句的编写 流程,分为如下步骤步骤111,计算腔体内壁铣削后表面误差的周期;步骤112,根据精度要求,将一个周期内的曲面分割成小曲面; 步骤113,用小平面代替112步中分割后的小曲面; 步骤114,编写一个周期内的所有小平面所对应的记录语句;步骤115,编写将一个周期内的小平面结合在一起组成一个周期的近似曲面的记录语句;步骤116,编写将一个周期的近似曲面复制并结合在一起组成整块曲面的记录语句; 步骤117,用步骤111到步骤116的方法编写创建腔体另外三个曲面并添加上下底面的 记录语句;步骤118,编写将腔体六个面组合在一起形成一个完整腔体的记录语句; 步骤119,编写将步骤118得到的完整腔体复制三次得到四个腔体的记录语句; 步骤120,编写添加内导体、矩形框以及耦合环的记录语句; 步骤121,编写将上述所有部件组合在一起形成一个完整的四腔滤波器的记录语句; 通过步骤111步到步骤121步就得到创建腔体滤波器的完整的记录语句文件; 然后设置好腔体材料以及激励,对模型进行仿真即可得到S曲线。全文摘要本专利技术属于腔体滤波器的制造领域,具体是在腔体滤波器的制造过程中对加工工艺参数的一种选择方法,确切说是,其方法是至少包括步骤101至110,运用最小二乘回归的方法建立了加工工艺参数与耦合矩阵之间的函数关系,采用反推得到的工艺参数将得到更加接近设计要求的滤波器,减少了研制成本和调试时间。它满足了对腔体滤波器更高的电性能要求。文档编号H01P11/00GK102148418SQ201110043920公开日2011年8月10日 申请日期2011年2月24日 优先权日2011年2月24日专利技术者王景, 黄进 申请人:西安电子科技大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.腔体滤波器制造工艺参数选择方法,其方法是:它包括:步骤101,通过给定的腔体滤波器模型参数,依据公式计算需要加工的滤波器腔体和滤波器内导体误差;步骤102,依据上述公式计算的含有加工误差滤波器模型输入到电磁场仿真软件HFSS中建立含有加工误差滤波器模型;步骤103,由HFSS仿真得到S曲线;步骤104,从仿真得到的S曲线得到传输函数表达式;步骤105,通过滤波器等效电路推导出导纳函数的第一表达式;步骤106,由传输、反射函数多项式经过同等变换得到导纳函数第二种形式的表达式;步骤107,比较第一表达式和第二表达式提取出耦合矩阵;步骤108,通过步骤101步至步骤107步选取工艺参数,得到耦合矩阵样本集;步骤109,运用最小二乘回归分析法,依据耦合矩阵样本集建立模型,得到加工工艺参数与耦合矩阵之间的函数表达式;步骤110,根据设计要求的滤波器的电性能参数反推出加工工艺参数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄进王景
申请(专利权)人:西安电子科技大学
类型:发明
国别省市:87

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