The invention belongs to the technical field of preparation of semiconductor nanowire arrays, in particular to a method for preparing a nanowire array of an Si/NiSi core shell structure. The surface of etched silicon substrate were soaked in NiCl2 solution vertically aligned silicon nanowire arrays, after removing dried; then dried into the silicon substrate of alumina porcelain boat, and placed in the center of the heating tube furnace; in the heating process, introducing inert gas as protective gas, finally obtained Si/NiSi nanowires with core-shell structure array on silicon substrate. The preparation method of the invention is simple and easy, and the prepared Si/NiSi core shell structure nanowire array has extremely low resistivity, and has great potential application value in the field of Si nanowire devices.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体纳米线阵列的制备
，特别涉及Si/MSi核壳结构纳米 线阵列的制备方法。
技术介绍
Si纳米线在集成电子器件、化学和生物传感器、能源等多种领域的应用引起了人 们极大地关注。为使这些器件能达到最优的性能，与这些器件之间形成可靠的接触是非常 重要的(Y. ffu, J. Xiang, C. Yang, W. Lu, C. Μ. Lieber, Nature, 2004,430,61-65.)。为 了达到 这个目的，多种过渡金属硅化物已被用来和Si形成低的电阻率以及少的界面缺陷的接触。 因此，制备合适的纳米尺度的过渡金属硅化物与Si纳米线形成接触是非常重要的。某些 过渡金属硅化物，如TiSi2和CoSi2,它们的成核需要高的温度，这就限制了 Si纳米线器件 的力口工工艺(H. Jeon, C. A. Sukow, J. W. Honeycutt, G. A. Rozgonyi, R. J. Nemanich, J. Appl. Wiys.，1992，71,4269-4276.)。另外，这些过渡金属硅化物在低维尺度容易形成高电阻率 相。镍的硅化...
【技术保护点】
１．一种Ｓｉ／ＮｉＳｉ核壳结构纳米线阵列的制备方法，其特征是，该方法包括以下步骤：１）采用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列；２）将步骤１）得到的表面刻蚀出垂直定向排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于ＮｉＣｌ２溶液中进行浸泡，取出后晾干；将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中，再将氧化铝瓷舟放入管式炉的中心；向管式炉中通入惰性气体作为保护气体，管式炉内的压强为４０～７０Ｐａ；将管式炉加热到６００～７５０℃，并保温１００～３００分钟；待反应完毕，管式炉降温至室温，在单晶硅基片上得到Ｓｉ／ＮｉＳｉ核壳结构纳米线阵列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：师文生，刘海龙，佘广为，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：11
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