The present invention provides a photoresist composition, the photoresist composition comprising: (IA) contains a type sulfonium salt anion said, wherein R1 and R2 independently represent a hydrogen atom, C1-C12, C3-C20 saturated aliphatic hydrocarbon ring alkyl, C6-C20 aromatic alkyl or aralkyl C7-C21. And the aliphatic hydrocarbon, the saturated hydrocarbon, the aromatic hydrocarbon ring and the aryl alkyl substituents can have one or more selected from hydroxyl, cyano, fluorine atom, three fluorine and nitro group, and one or more of the aliphatic hydrocarbon in -CH2- can be -O- or -CO- instead, or R1 and R2 combined with nitrogen atom and they are connected together to form a C4-C20 nitrogen ring; acrylic resin, which has acid labile groups, and insoluble or hardly soluble in alkaline solution, but the acid becomes Soluble in alkaline aqueous solution; and acid generator.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光致抗蚀剂组合物。
技术介绍
光致抗蚀剂组合物用于采用光刻工艺的半导体微型制造。US 2008/0166660A1公开了一种光致抗蚀剂组合物，其包含树脂、酸生成剂、猝灭剂和溶剂，所述树脂具有衍生自甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯的结构单元，衍生自甲基丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯的结构单元，衍生自甲基丙烯酸-2- (5-氧代-4-氧杂三环 壬-2-基氧基)-2-氧代乙酯的结构单元和衍生自α -甲基丙烯酰氧基-Y-丁内酯的结构单元，所述酸生成剂包含4-氧代金刚烷-1-基氧基羰基(二氟)甲磺酸三苯锍， 所述猝灭剂包含2，6- 二异丙基苯胺。US 5，998，099Α公开了作为光致抗蚀剂组合物用添加剂的环己烷氨基磺酸双(叔丁基苯基)碘锡盐和包含环己烷氨基磺酸双(叔丁基苯基)碘锡盐的光致抗蚀剂组合物。
技术实现思路
本专利技术在于提供一种光致抗蚀剂组合物。本专利技术涉及下列各项<1> 一种光致抗蚀剂组合物，所述的光致抗蚀剂组合物包含具有由式(IA)表示的阴离子的锍盐权利要求1.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含 具有由式(IA)...
【技术保护点】
１．一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：具有由式（ＩＡ）表示的阴离子的锍盐：其中Ｒ１和Ｒ２独立地表示氢原子、Ｃ１－Ｃ１２脂族烃基、Ｃ３－Ｃ２０饱和环烃基、Ｃ６－Ｃ２０芳族烃基或Ｃ７－Ｃ２１芳烷基，并且所述脂族烃基、所述饱和环烃基、所述芳族烃基和所述芳烷基可以具有一个或多个选自由羟基、氰基、氟原子、三氟甲基和硝基组成的组中的取代基，并且所述脂族烃基中的一个或多个－ＣＨ２－可以被－Ｏ－或－ＣＯ－代替，或Ｒ１和Ｒ２相互结合以与它们连接的氮原子一起形成Ｃ４－Ｃ２０含氮环，丙烯酸类树脂，其具有酸不稳定基团，并且不溶或难溶于碱性水溶液，但是通过酸的作用变得可溶于碱性水溶液，和酸生成剂。
【技术特征摘要】
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