一种制备石墨烯的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备石墨烯的方法。该方法，包括如下步骤：1)将基底在非氧化性气氛中升温至800-1200℃保持10-20分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的基底上进行反应，反应完毕关闭碳源，在非氧化性气氛下冷却到室温得到所述石墨烯。该石墨烯可以为离散的纳米薄片，也可以为连续的石墨烯膜。在石英基底上生长石墨烯可以直接用于高性能透明导电电极。在带有二氧化硅层的硅基底上生长石墨烯，不需要转移可直接用于电子器件组装，工艺简单，并且和现有半导体工业兼容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石墨烯的制备方法，特别是涉及一种在非金属材料上制备石墨烯的方法。
技术介绍
石墨烯材料作为零维富勒烯，一维碳纳米管和三维石墨晶体的结构基础，具有优异的机械、电学、光学和化学性能，在微电子学、复合材料、透明导电薄膜和能量储存等领域具有广泛的应用前景。自从2004年曼彻斯特大学的科斯提亚·诺沃谢夫和安德烈·盖姆小组发现石墨烯以来，许多物理、化学方法被用来制备高质量的石墨烯材料。这些方法包括机械剥离法、碳化硅外延生长法、氧化石墨还原法、超声辅助分散法、溶剂热法、化学气相沉积法、有机合成法。(K. S. Novoselov，A. K. Geim，Science 2004，306，666. ；C. Berger, Ζ. Song, Χ. Li, Science 2006，312，1191. ；V. C. Tung,Μ. J. Allen, Nat. Nanotechnol. 2009，4， 25. ；Y. Hernandez, V. Nicolosi, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 563. ；K. S. Kim, Y. Zhao, Nature 200本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：１）将基底在非氧化性气氛中升温至８００－１２００℃，保持１０－３０分钟；２）保持所述步骤１）中的温度不变，向步骤１）反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤１）处理完毕的基底上进行反应，反应完毕关闭碳源，在非氧化性气氛下冷却到室温得到所述石墨烯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘云圻，陈建毅，黄丽平，武斌，薛运周，耿德超，于贵，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：11