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声波器件及其制作方法技术

技术编号:6030124 阅读:262 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种声波器件及其制作方法,一个或多个串联声波谐振器包括在基底上形成的底部电极、在底部电极上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层;一个或多个并联声波谐振器包括在基底上形成的底部电极、在底部电极上形成的质量负载层、在质量负载层上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层;一个或多个的串联声波谐振器和一个或多个的并联声波谐振器以栅格或梯形结构相互耦合。制作方法:提供带有牺牲层的基底;在牺牲层上形成多层结构,多层结构包括底部电极和质量负载层;在多层结构上形成压电层;在压电层上形成顶部电极;移除牺牲层以形成空气腔。本发明专利技术使声波器件中的质量负载效应与修正过程几乎无关。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种声波器件。特别是涉及一种具有一个或多个声波谐振器的声波器 件及其制作方法,这些声波谐振器利用在基底和压电层之间形成的质量负载层来减小修正 工序对质量负载效应的影响,并且/或者优化声波器件的特性。
技术介绍
移动通信产品,例如移动电话和手持设备,正迅速向小型化和轻便化发展。这样的 产品需要射频(RF)滤波器的频率范围大致覆盖0. 5GHz IOGHz以保护接收的信号不受干 扰影响,其中干扰信号可能来自于同一个手持设备中的发射器或者来自外部形成的非需要 信号。这些滤波器必须具有较低的通带插入损耗(通常小于2dB)以达到合适的信噪比。由 于薄膜体声波(BAW)谐振器和滤波器具有高品质因数、较高的功率承受能力、低成本的硅 片封装技术以及与IC技术的兼容性,使得它们广泛应用于无线移动通信设备中。一个最简 单的BAW谐振器结构包括两个金属电极以及夹在两电极间压电材料层,如氮化铝(AlN)、氧 化锌(zinc oxide)和压电陶瓷(PZT)。BAW谐振器通常使用声隔离器与支撑基底进行声学 隔离,声隔离器可能包括在支撑BAW谐振器的薄膜下方形成的空气腔或者由高、低声阻抗 材料交本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声波器件,其特征在于:包括:(a)基底;(b)一个或多个串联声波谐振器,每个串联声波谐振器的结构包括在基底上形成的底部电极、在底部电极上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层;(c)一个或多个并联声波谐振器,每个并联声波谐振器的结构包括在基底上形成的底部电极、在底部电极上形成的质量负载层、在质量负载层上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层;其中,所述的一个或多个的串联声波谐振器和所述的一个或多个的并联声波谐振器以栅格或梯形结构相互耦合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张浩庞慰
申请(专利权)人:张浩
类型:发明
国别省市:44

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