一种制备硒化镉纳米线的方法技术

本发明专利技术公开的制备硒化镉(CdSe)纳米线的方法，采用新颖的升华夹层法，步骤如下：先将镉粉(Cd)和硒粉(Se)分别放置在同一个圆柱形容器中，这个容器由高纯石墨加工而成。容器盖上设计有两个孔。Si衬底表面用磁控溅射法镀一层金(Au)薄膜。将镀金Si衬底的镀金表面倒扣向下放置在容器盖上。在CdSe纳米线生长过程中，将腔体抽真空后，通入一定量的保护气氩气(Ar)，最后将容器温度升至750～950℃温度范围，并保温30-90分钟。等温度降至室温，取出样品可得黑色的沉积产物为CdSe纳米线。本发明专利技术方法工艺简单易操作，成本低，效率高，制得的产物纯度高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机材料硒化镉(CdSe)的制备领域，尤其是硒化镉纳米线的制备方法。
技术介绍
硒化镉(CdSe)纳米线是一个典型II -VI型的直接带隙半导体(室温下带宽 为1.7eV)，具有不同寻常的光学特性和高折射指数，具有良好的光电特性。例如，硒化镉 (CdSe)纳米线在太阳能电池，光化学电池，纳米传感器，光探测器，激光二极管，光发射二极 管以及生物医疗成像等方面具有广泛的应用前景。目前制备硒化镉(CdSe)纳米线的方法 主要有离子交换法，溶剂热合成法，溶液/液相/固相法，溶剂热裂解法，化学气相沉积法， 金属有机化学气相沉积法以及分子束外延生长法。升华夹层法(sublimation sandwich method, SSM)作为一种改良的升华法，最早被用来快速，高效地生长高质量单晶碳化硅厚 膜。最近，升华夹层法逐渐发展成为生长氮化镓纳米线的有效方法，但是利用升华夹层法制 备Cdk纳米线还没有报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种工艺简单，成本低，效率高的制备Cdk纳米线的方法。本专利技术的制备Cdk纳米线的方法，采用新颖的升华夹层法，步骤如下(1)先将镉粉和硒粉分别放置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备硒化镉纳米线的方法，其特征是步骤如下：（１）先将镉粉和硒粉分别放置在同一个容器中，镉粉与硒粉相距４－８ｃｍ；这个容器由石墨加工而成，在容器上有两通气用的缺口，在容器上面有一个盖子，在盖子上开有两个孔；（２）惰性保护气从这缺口进入容器中，在硅衬底表面用磁控溅射法镀一层厚度为８－１２纳米的金薄膜，将镀金硅衬底的镀金表面倒扣向下放置在容器盖上；（３）在硒化镉纳米线生长过程中，将容器腔体内抽真空，通入一定量的保护气氩气，氩气的流量为２５０－３５０标准毫升／分钟；并以８－１２℃／分钟的升温速度，将容器温度升至７５０～９５０℃，并保温３０－９０分钟；（４）然后把容器温度降至室温，取出样品在硅衬底表...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李培刚，朱晖文，雷鸣，王顺利，崔灿，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：86