一种GaN基光子晶体模板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种大面积高有序度的GaN基光子晶体模板及其制备方法，属于半导体光子晶体的制备领域。本发明专利技术制备GaN基光子晶体的模板为具有有序纳米孔阵列的氧化铝膜，其中孔间距均匀且大小为460±10纳米，纳米孔形状为圆柱状或圆锥状。其制备方法是通过周期性重复调节电压技术，进行多次阳极氧化、扩孔。利用本发明专利技术提供的模板制备的GaN基光子结构具有增透或者减反射作用，特别适合于GaN基材料的生长LED及LD光电器件，可提高材料质量及光子的出射效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备ＧａＮ基光子晶体的模板，其特征在于，该模板为具有有序纳米孔阵列的氧化铝膜，其中孔间距均匀且大小为４６０±１０纳米，纳米孔形状为圆柱状或圆锥状。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：康香宁，付星星，章蓓，熊畅，于彤军，张国义，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11