(0，1，2和非整数)维数锗纳米可控结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及到一种简单的、形貌可控的、微结构奇异的、重复性良好的(0,1,2和非整数)维数半导体锗纳米可控结构的制备方法，属于半导体纳米材料制备工艺技术领域。本发明专利技术方法的主要要点是：将高纯锗（纯度：99.9wt.%）和高纯金（纯度：99.99wt.%）分别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上。当真空度在室温下优于2?10-5Torr时，先蒸发半导体锗，然后在不破坏真空度的条件下，后蒸发金属金。衬底选择单晶氯化钠（100）晶面。蒸发源到衬底的距离设计为10厘米。锗和金的薄膜厚度均设计为25纳米。真空退火温度分别为50?C，75?C，100?C，120?C，150?C，180?C和210?C，退火时间分别30分钟，40分钟和60分钟，即可得到不同形貌特征的锗纳米结构。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种（０，　１，　２和非整数）维数半导体锗纳米可控结构的制备方法，其特征在于具有以下步骤：　　ａ．　根据热蒸发公式，锗和金的薄膜厚度均设计为２５纳米；将纯度为９９．９ｗｔ．％的高纯锗和纯度为９９．９９ｗｔ．％的高纯金按质量比ｍ↓［Ａｕ］：ｍ↓［Ｇｅ］　＝　１９．３：５．３２３分别放置于真空热蒸发装置中的钨丝花篮上；衬底选择单晶氯化钠（１００）晶面，蒸发源到衬底的距离设计为１０厘米；当真空度在室温下优于２×１０↑［－５］　Ｔｏｒｒ时，在室温条件下先蒸发半导体锗，然后在保持真空度的条件下，后蒸发金属金，即可得到二维金／锗双层膜；　　ｂ．　将室温条件下制备的金／锗双层膜置于真空炉中，在真空度优于２×...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志文，李全宝，潘登余，张海娇，焦正，吴明红，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31