【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别是采用VB技术(垂直Bridgman技术)或 VGF(垂直梯度凝固)技术生长具有挥发性组元的单晶时，并使用包覆剂的情况下，将坩埚 与晶体分离的方法。
技术介绍
在使用昂贵的氮化硼坩埚生长晶体时，为保证坩埚的重复利用，延长坩埚使用寿 命，需采用特殊的脱埚方法，来保护晶体和坩埚在分离过程中不受损伤。在专利CN 100387759C中，通过热脱埚和超声甲醇冷脱埚相结合的手段进行晶体 和氮化硼坩埚的分离，在此专利中虽然采取了加热的方法让氏03包覆剂在重力作用下熔化 流出，但由于未采用相应的保护支撑器件，当坩埚与晶体之间的B2O3粘结力小于晶体的重 力时，晶体可能连带化03从氮化硼坩埚上剥落，从而对坩埚和晶体均造成损伤；另外，晶体 在与坩埚分离的过程中，在没有支撑保护的情况下，籽晶很容易被折断，留在籽晶腔内，延 长了脱埚时间。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种热脱埚器及其使用方法，使用本专利的热脱埚器晶体不 会在包覆剂融化后期从氮化硼坩埚剥落，从而有效的保证氮化硼坩埚的完整性；籽晶从坩 埚底部顺利脱出，不会折断而留在坩埚内。为达到上述...
【技术保护点】
１．一种热脱埚器，其特征在于，它包括：位于中心的石墨底托，呈圆柱形，柱横截面积为晶体横截面的１／２～２／３，圆柱下部有螺纹，在石墨柱外围，有多根细长的石墨棒，长度等于坩埚等径部分的长，以石墨圆柱中心为圆心对称排列，多根细长的石墨棒所在的圆的直径大于坩埚直径，在脱埚器内壁有一层耐高温的高纯石英布。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：屠海令，苏小平，张峰燚，丁国强，杨海，黎建明，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，北京国晶辉红外光学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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