半导体封装件及其制造方法技术

一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括一金属环绕部、一芯片、一封胶、一介电层及一图案化导电层。金属环绕部环绕出一凹部。芯片设于凹部，芯片包括数个接垫。封胶形成于凹部并包覆芯片的侧面并露出接垫。介电层形成于芯片，介电层具有数个开孔，开孔露出接垫。图案化导电层形成于介电层并电性连接接垫。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种芯片被金 属环绕的。
技术介绍
请参照图1(现有技术)，其绘示已知半导体封装件的示意图。半导体封装件10包 括一金属防护层12、一封胶14、一芯片16、数条焊线18及一基板20。芯片16设于基板20，焊线18电性连接芯片16与基板20，封胶14包覆芯片16及 焊线18。金属防护层12包覆封胶14，以防止电磁干扰(Electromagneticlnterference， EMI)。金属防护层12 —般都是另外制作的金属罩，以紧配方式组装至封胶14。或者，金 属防护层12亦可使用涂布的方式形成封胶14上。以涂布方式形成的金属防护层12，于封 胶14转角处的厚度不均。此外，由于金属防护层12全部暴露于大气环境中，故其材质须具备优良的抗氧化 特性。一般来说，金属防护层12由镍或银组成，其价格较昂贵。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种，金属层几乎甚至全部被包覆， 使金属层几乎甚至全部与环境隔离，降低金属层受到大气环境侵害的程度。根据本专利技术的第一方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一金属环绕 部、一芯片、一封胶、一第一介电层及一图案化导电层。金属环绕部环绕出一凹部。芯片设 于凹部，芯片包括数个接垫。封胶形成于凹部并包覆芯片的侧面并露出接垫。第一介电层 形成于芯片，第一介电层并具有数个第一开孔，第一开孔露出接垫。图案化导电层形成于第 一介电层并电性连接接垫。根据本专利技术的第二方面，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下 步骤。提供一第一载板；设置数个金属环绕部于第一载板每个金属环绕部环绕出一凹部； 对应地设置数个芯片于该些凹部，芯片连接于第一载板，每个芯片包括数个接垫，接垫面向 第一载板。以一封胶包覆芯片及金属环绕部，以使封胶、芯片及金属环绕部形成一封胶体； 设置封胶体于一第二载板，接垫背向第二载板；移除第一载板，以露出接垫；形成一第一介 电层于芯片，第一介电层具有数个第一开孔，第一开孔露出接垫；形成一图案化导电层于第 一介电层，图案化导电层电性连接接垫；移除第二载板；以及，切割封胶体，以形成数个半 导体封装件。根据本专利技术的第三方面，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下 步骤。提供一载板；设置数个金属环绕部于载板，每个金属环绕部环绕出一凹槽；对应地设 置数个芯片于该些凹槽，芯片具有相对应的一主动表面与一底面并包括数个接垫，接垫设 于主动表面，底面面向对应的凹槽的一槽底面；以一封胶包覆芯片的侧面并露出接垫；形成一第一介电层于芯片，第一介电层具有数个第一开孔，第一开孔露出接垫；形成一图案化 导电层于第一介电层，图案化导电层电性连接接垫；移除载板；以及，切割封胶体，以形成 数个半导体封装件。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细 说明如下附图说明图1(现有技术)绘示已知半导体封装件的示意图。图2绘示依照本专利技术第一实施例的半导体封装件的示意图。图3绘示图2的金属环绕部的上视图。图4绘示依照本专利技术第一实施例的半导体封装件的制造方法流程图。图5A至5M绘示图3的半导体封装件的制造示意图。图6绘示依照本专利技术第二实施例的半导体封装件的金属环绕部的示意图。图7绘示依照本专利技术第三实施例的半导体封装件示意图。图8绘示依照本专利技术第三实施例的半导体封装件的制造方法流程图。图9绘示依照本专利技术第四实施例的半导体封装件示意图。图10绘示依照本专利技术第四实施例的半导体封装件的制造方法流程图。图IlA至IlM绘示图9的半导体封装件的制造示意图。图12绘示依照本专利技术第五实施例的半导体封装件示意图。图13绘示依照本专利技术第五实施例的半导体封装件的制造方法流程图。图14绘示图12的半导体封装件的另一制造方法示意图。图15绘示依照本专利技术第六实施例的半导体封装件示意图。图16绘示依照本专利技术第六实施例的半导体封装件的制造方法流程图。图17A至17D绘示图15的半导体封装件的制造示意图。图18绘示依照本专利技术第七实施例的半导体封装件示意图。图19绘示依照本专利技术第八实施例的半导体封装件示意图。主要组件符号说明10、100、400、500、600、700、800、900 半导体封装件12、116、416、516 金属防护层14、104、504、604、704、904 封胶16、106:芯片18 焊线20 基板102、202、502、602、702、902 金属环绕部110、510、610、710、810、910 第一介电层112、512、612、712、812、912 图案化导电层114、514、614、714、814、914 第二介电层118、518、618、718、818、918 锡球120,720,820 第一金属表面122、522、622 第二金属表面124、224、524、624、724、924 凹部126 接垫128 侧面130 底面132、532、732 第一开孔134,534 第二开孔136 保护层138 主动表面140、540:开口142、144、146、148、544、546、548、566、646、648、666、746、748、766、942、944、946、 948 外侧壁150 第一载板152、160 黏贴层154,554,654 封胶体156 第二载板558,758 连续金属层260 金属件462 连接层464 封胶表面668 贯穿部770 槽底面772 黏胶832 第一接地开孔834 第二接地开孔872 接地锡球874 接地部P1、P2:切割路径S 空间具体实施例方式以下是提出较佳实施例作为本专利技术的说明，然而实施例所提出的内容，仅为举例 说明之用，而绘制的图式为配合说明，并非作为限缩本专利技术保护范围的用。再者，实施例的 图标亦省略不必要的组件，以利清楚显示本专利技术的技术特点。第一实施例请参照图2，其绘示依照本专利技术第一实施例的半导体封装件的示意图。半导体封 装件100，例如是通讯型的半导体封装件或其它种类的半导体封装件，其包括一金属环绕部 102、一封胶104、一芯片106、一第一介电层110、一图案化导电层112、一第二介电层114、数 个锡球118及一金属防护层116。请同时参照图2及图3，图3绘示图2的金属环绕部的上视图。金属环绕部可102 为一封闭环状体，该封闭环状体环绕出一凹部124。芯片106设于凹部124内。金属环绕部 102具有相对应的一第一金属表面120与一第二金属表面122。由于金属环绕部102被包 覆住而与环境隔离，故金属环绕部102的材质可以是廉价的金属，例如是铜或铝，或者可以 是不具抗腐蚀性的金属。金属防护层116连接于第二金属表面122并遮盖凹部124的开口 140。金属环绕 部102与金属防护层116围绕芯片106，有效防止电磁干扰。芯片106包括数个接垫1 及一保护层136并具有一主动表面138，接垫1 设于 主动表面138上。封胶104形成于凹部124内并包覆芯片106的侧面1 及底面130并露出芯片 106的数个接垫126。其中，封胶104更包覆金属环绕部102的外侧壁142，亦即，本实施例 的半导体封装件100露出封胶104。此外，封胶104的外侧壁144、第一介电层110的外侧壁146及第二介电层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：一金属环绕部，环绕出一凹部；一芯片，设于该凹部，该芯片包括数个接垫；一封胶，形成于该凹部并包覆该芯片的一侧面并露出该些接垫；一第一介电层，形成于该芯片并具有数个第一开孔，该些第一开孔露出该些接垫；以及一图案化导电层，形成于该第一介电层并电性连接该些接垫。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：翁肇甫，韩约翰，蔡丽娟，吴怡婷，府玠辰，欧英德，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]