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常关态场发射型射频微机械开关制造技术

技术编号:5819733 阅读:192 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种新型常关态场发射型射频微机械开关,低损耗衬底,绝缘介质薄膜、共面波导的信号线和地线,信号线有两根,设在低损耗衬底中部,纵向位于同一条直线上,地线也有两根,分别位于信号线的左右两侧,地线及信号线与绝缘衬底之间均有绝缘介质薄膜,其特征在于两根信号线相邻的端部各设有一排金属微尖,两排金属微尖之间有间隔;低损耗衬底与两排金属微尖相对应的位置内凹形成一个空腔,使两排金属微尖处于悬空状态。本实用新型专利技术中的共面波导的信号线结构从物理上进行隔断类似机械开关,因此它的隔离度高;而其无可动结构的通断方式类似半导体开关,因此它的可靠性高且响应速度快;且通过采用尖对尖结构,可获得较低的开关阈值电压。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种新型常关态场发射型射频微机械开关
技术介绍
现有射频开关存在如下问题(1) 一些采用结构的机械运动来达到控制射频信号通断的目的,这些开关将射频 信号从物理上进行隔断,因此隔离度较高。这些开关又可分为接触式和电容式两大类,接触 式开关的可靠性由结构的接触损坏和材料的疲劳特性决定,而电容式开关的可靠性则由电 介质层的电荷注入效应和材料的疲劳特性决定,因此这两种开关的可靠性都不理想。并且 由于采用了机械运动的方式,使得这些开关的响应时间较长。(2)—些则采用半导体PIN结构来控制射频信号的通断,这些开关避免了机械运 动带来的可靠性问题和响应时间长的缺陷,具有高可靠性和快响应速度。这种方法的缺陷 主要是采用半导体PIN结构时,对射频信号的隔离不够彻底,因此隔离度不高。
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的问题,本技术提供一种高隔离度、高可靠性、快响 应速度和低执行电压的常关态场发射型射频微机械开关。本技术包括低损耗衬底,绝缘介质薄膜、共面波导的信号线和地线,信号线有 两根,设在低损耗衬底中部,纵向位于同一条直线上,地线也有两根,分别位于信号线的左 右两侧,地线及信号线与绝缘衬底之间均有绝缘介质薄膜,两根信号线相邻的端部各设有 一排金属微尖,两排金属微尖之间有间隔;低损耗衬底与两排金属微尖相对应的位置内凹 形成一个空腔,使两排金属微尖呈悬空状态。上述两排金属微尖均呈锯齿状,采用尖对尖的位一一对应关系,以达到降低阈值 电压的效果。本技术利用金属微尖在一定场强下会发生场致发射的原理,使两排金属微尖 之间产生电子束流,使原本处于关态的开关通过电子束流来导通射频信号,即达到了控制 射频信号通断的效果。本技术结合了机械开关和半导体开关的优点,即采用物理上隔断的共面波导 的信号线结构,和无可动结构的通断方式,达到了既有高隔离度的同时又有高可靠性和快 响应速度的效果。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是图1的A-A剖视图。具体实施方式参出图1和图2,本技术由低损耗衬底1,绝缘介质薄膜2、金属共面波导的信 号线5和地线3,信号线5有两根,设在低损耗衬底1的中部,纵向位于同一条直线上。两根 地线3分别位于信号线的左右两侧,地线3及信号线5与绝缘衬底1之间均有绝缘介质薄 膜2。两根信号线相邻的端部各设有一排金属微尖,两排金属微尖4之间有间隔;低损耗衬 底1与两排金属微尖相对应的位置内凹形成一个空腔6,使两块金属微尖4的锯齿状端部呈 悬空状态。两排金属微尖4均呈锯齿状,且呈尖对尖的一一对应关系。本技术的制作方法如下首先在低损耗衬底1上生长一层绝缘介质薄膜2,进行第一次光刻并刻蚀介质薄 膜形成腐蚀空腔6所需的窗口 ;进行第二次光刻,然后溅射金属并剥离形成共面波导的地 线3和信号线5和金属微尖4 ;再将低损耗衬底进行各向异性腐蚀,得到空腔6,同时使金属 微尖4悬空。本技术的工作原理是给金属表面施加一定强度的电场后,电场会对金属表层电子进行加速。当金属表层 电子通过电场加速获得的能量超出该金属的逸出功时,金属表层的电子将会从金属中逃逸出 来,并沿着电场方向运动,形成场致发射电子束流。场致发射使原本隔离开的金属通过电子 束流导通,形成比隔离时小得多的阻抗,该小阻抗可将原本隔离开的射频信号进行导通。本技术的工作过程如下将射频信号连接到共面波导的端口,同时在共面波导信号线的两端加上直流偏置 电压。当直流偏置电压为零时,开关处于隔离态,射频信号不导通;当所加直流偏置电压超 过场致发射的阈值电压后,开关处于导通态,可导通射频信号。本技术的使用方法是将射频信号连接到共面波导的端口,同时在共面波导信号线的两端加上直流偏置 电压。用共面波导信号线两端所加的直流偏置电压来控制开关上射频信号的通断。权利要求1.一种常关态场发射型射频微机械开关,包括低损耗衬底(1),绝缘介质薄膜(2)、共 面波导的信号线(5)和地线(3),信号线有两根,设在低损耗衬底中部,纵向位于同一条直 线上,地线也有两根,分别位于信号线的左右两侧,地线(3)及信号线(5)与绝缘衬底之间 均有绝缘介质薄膜(2),其特征在于两根信号线(5)相邻的端部各设有一排金属微尖(4), 两排金属微尖(4)之间有间隔;低损耗衬底(1)与两排金属微尖(4)相对应的位置内凹形成 一个空腔(6 ),使两排金属微尖(4 )处于悬空状态。2.如权利要求1所述的常关态场发射型射频微机械开关,其特征在于两排金属微尖 (4)均呈锯齿状,且呈尖对尖的一一对应关系。专利摘要本技术公开了一种新型常关态场发射型射频微机械开关,低损耗衬底,绝缘介质薄膜、共面波导的信号线和地线,信号线有两根,设在低损耗衬底中部,纵向位于同一条直线上,地线也有两根,分别位于信号线的左右两侧,地线及信号线与绝缘衬底之间均有绝缘介质薄膜,其特征在于两根信号线相邻的端部各设有一排金属微尖,两排金属微尖之间有间隔;低损耗衬底与两排金属微尖相对应的位置内凹形成一个空腔,使两排金属微尖处于悬空状态。本技术中的共面波导的信号线结构从物理上进行隔断类似机械开关,因此它的隔离度高;而其无可动结构的通断方式类似半导体开关,因此它的可靠性高且响应速度快;且通过采用尖对尖结构,可获得较低的开关阈值电压。文档编号H01H36/00GK201886965SQ20102066338公开日2011年6月29日 申请日期2010年12月16日 优先权日2010年12月16日专利技术者唐洁影, 张晓兵, 王立峰, 韩磊, 黄庆安 申请人:东南大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种常关态场发射型射频微机械开关,包括低损耗衬底(1),绝缘介质薄膜(2)、共面波导的信号线(5)和地线(3),信号线有两根,设在低损耗衬底中部,纵向位于同一条直线上,地线也有两根,分别位于信号线的左右两侧,地线(3)及信号线(5)与绝缘衬底之间均有绝缘介质薄膜(2),其特征在于两根信号线(5)相邻的端部各设有一排金属微尖(4),两排金属微尖(4)之间有间隔;低损耗衬底(1)与两排金属微尖(4)相对应的位置内凹形成一个空腔(6),使两排金属微尖(4)处于悬空状态。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄庆安王立峰唐洁影韩磊张晓兵
申请(专利权)人:东南大学
类型:实用新型
国别省市:84[中国|南京]

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