反激式变压器制造技术

一种反激式变压器，包括开关管Ｑ１、原边电感线圈Ｌ３和副边电感线圈Ｌ４、Ｌ５，原边电感线圈一端接有直流电，另一端通过开关管Ｑ１接地，副边电感线圈为第一副边电感线圈Ｌ４和第二副边电感线圈Ｌ５，第一副边电感线圈Ｌ４的一端与地之间依次接有第三二极管Ｄ３和第四电容Ｃ４，第三二极管Ｄ３和第四电容Ｃ４之间连接有电压输出端，第一副边电感线圈Ｌ４的另一端连接地；第二副边电感线圈Ｌ５一端连接另一电压输出端，另一电压输出端与地之间并联有负载Ｒ１和第一电容Ｃ１，第二副边电感线圈Ｌ５的另一端与地之间正向连接有第二二极管Ｄ２，从而提供一种可以过压保护并且能够同时产生正电压和负电压的反激式变压器。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种变压器，特别是一种有过压保护和能同时产生正电压和负电压的反 激式变压器。
技术介绍
参见图1，现有反激式变压器的电路结构和工作原理是由外部的电源所提供的交流电 经过整流及滤波后，转换成直流电为用电器供电，令直流电加在反激式变压器原边电感线圈Ll的上端，反激式变压器原边电感线圈Ll的下端与MOSFET开关管Q相连，控制MOSFET开 关管Q开断的为外部的高频脉冲信号，高频脉冲信号为高电平时，使MOSFET开关管Q导通， 上述直流电压加在原边电感线圈Ll的两端，令原边电感线圈Ll内有电流流通，使在原边电 感线圈L1内的电流产生变化，原边电感线圈Ll的磁通量发生变化而产生磁能，当外部的高 频脉冲信号为低电平时，MOSFET开关管Q截止，此时原边电感线圈L1内无电流流通，所述 原边电感线圈Ll中磁能将转移到副边电感线圈L2中，达到在MOSFET开关管Q导通时，原边 电感线圈L1储存磁能，在MOSFET开关管Q截止时，原边电感线圈Ll储存的磁能释放到副边 电感线圈L2中，并且在异名端产生正的电压。当变压器比例是l:l时，副边电感线圈L2的 两端产生相应的电压，所述电压经过二极管D整流和输出电容C降低纹波，成为直流电源， 作为电源使用，为各个用电器进行供电。然而现有技术的缺点是，由于没有过压保护，容易损坏变压器，并且只能提供正的直流 电，当需要使用利用负电压来供电的用电器时，减少了用电器的寿命。例如在使用陶瓷金齒 灯时，虽然可以将灯点亮，但是灯正常工作时，由正电压进行供电，与灯内带正电子的离子 产生排斥反映，对于灯的寿命影响很大。因此，需求一种可以产生正电压和负电压，是正电 压和负电压可以同时使用，并对使用负电压工作的用电器进行负电压供电的反激式变压器。
技术实现思路
针对上述现有技术的缺陷，本技术的目的是提供一种可以过压保护并且能够同时产 生正电压和负电压的反激式变压器。一种反激式变压器，包括开关管Q1、原边电感线圈L3和副边电感线圈L4、 L5，所述原 边电感线圈L3与所述副边电感线圈相耦合，所述原边电感线圈一端接有直流电，另一端通过 所述开关管Q1接地，所述副边电感线圈为第一副边电感线圈L4和第二副边电感线圈L5，所述第一副边电感线圈L4的一端与地之间依次接有第三二极管D3和第四电容C4，所述第三二 极管D3和第四电容C4之间连接有电压输出端，所述第一副边电感线圈L4的另一端连接地； 所述第二副边电感线圈L5 —端连接另一电压输出端，所述另一电压输出端与地之间并联有负 载R1和第一电容C1，所述第二副边电感线圈L5的另一端与地之间正向连接有第二二极管D2。本技术的反激式变压器，其中所述原边电感线圈L3与所述开关管Ql之间并联有依 次串联的稳压二极管WD和负极相对的第一二极管Dl。本技术的反激式变压器，其中所述第一副边电感线圈L4和第二副边电感线圈L5同 名端相对。本技术的反激式变压器，其中所述开关管Q1的漏极和源极间并联有第三电容C3。 本技术的反激式变压器，其中所述第二二极管D2并联有依次串联的第二电容C2和 电阻R。本技术的反激式变压器，其中所述第一副边电感线圈L4与所述原边电感线圈L3的变压器比例为1: 1;所述第二副边电感线圈L5与所述原边电感线圈L3的变压器比例为1: 1。本技术的反激式变压器，其中所述开关管Ql为M0SFET开关管。 本技术的反激式变压器，其中所述原边电感线圈L3上加有300V的直流电压。 由于在原边电感线圈的两端加入了相对的稳压二极管和二极管，从而起到了过压保护的 作用，又由于令副边电感线圈有两个，可以同时产生正电压和负电压，使第一副边电感线圈 产生300V的正电压，使第二副边电感线圈产生300V的负电压，从而产生600V的压差，在使 用例如陶瓷金卤灯时，可以将灯点亮；当灯正常工作时，采用负电压来进行供电。附图说明图1是现有技术反激式变压器的电路原理图； 图2是本技术反激式变压器的电路原理图。具体实施方式以下结合附图对本技术的实施方式进行详细说明。参见图2,本技术的实施例由外部的电源所提供的交流电经过整流及滤波后，转换 成直流电为变压器的原边电感线圈L3上端加电，在原边电感线圈L3的两端增加了依次相连 负极相对的稳压二极管WD和第一二极管Dl，用于对系统进行过压保护，由于在原边电感线 圈L3上储存磁能，在M0SFET开关管Q1截止时，在原边电感线圈L3的下端会产生高压，此 时如果没有得好很好的保护，会输出很高的电压，损坏负载，因此，当原边电感线圈L3的下 端产生过高的高压后，稳压二极管WD会将电压稳定住，从而保证变压器的正常输出，第一二极管Dl的作用是，在原边电感线圈L3下端没有高压产生时，令原边电感线圈L3上端的电压 在第一二极管Dl处截止，使之通过原边电感线圈L3。在M0SFET开关管Ql的漏极和源极之 间接耐压值高的第三电容C3，在M0SFET开关管Ql截止的瞬间，原边电感线圈L3的下端产 生的高压同时充到第三电容C3中，电容C3中的电能在M0SFET开关管Q1导通时进行放电， 起到保护M0SFET开关管Ql的作用。反激式变压器原边电感线圈L3的下端与M0SFET开关管Ql相连，控制M0SFET开关管Ql 开断的为外部的高频脉冲信号，当高频脉冲信号为高电平时，使M0SFET开关管Q1导通，原 边电感线圈L3上端的300V直流电压加在原边电感线圈L3的两端，使原边电感线圈L3内部 有电流流通，从而在原边电感线圈L3上储存磁能，由于第二二极管D2和第三二极管D3的作 用，此时，在副边电感线圈中不会因为产生感应电压而引起电流流动。当外部的高频脉冲信 号为低电平时，M0SFET开关管Q1截止，此时原边电感线圈L3中储存的磁能向副边电感线圈 中释放，磁能转移到副边电感线圈，所述副边电感线圈的异名端产生相应的高电压。所述副 边电感线圈有两个，第一副边电感线圈L4和第二副边电感线圈L5，第一副边电感线圈(L4) 和第二副边电感线圈(L5)同名端相对，在第一副边电感线圈L4的上端产生高电压，即300V， 通过第三二极管D3进行整流和第四电容C4进行滤波，输出正300V的电压；在第一副边电感 线圈L4的下端接地为0V;在第二副边电感线圈L5的下端产生高电压300V，由于通过整流用 的第二二极管D2接地，经过第二二极管D2后电压降为0，又由于通过接地端与负载R1相连， 并连接到第二副边电感线圈L5的上端，通过第一电容C1滤波成直流负300V输出。其中第二 电容C2和电阻R的作用是瞬间产生高电压的脉冲时，为第二电容C2充电，保护第二二极管 D2。当在第一副边电感线圈L4的上端与第二副边电感线圈的上端L5接有陶瓷金卤灯时，可 以利用正300V与负300V的压差来给电容充电，随之将灯启动点亮，之后通过负电压可以为 灯进行供电。由于在原边电感线圈的两端增加了依次相连负极相对的稳压二极管WD和第一二极管Dl，从而起到了过压保护的作用，又由于令副边电感线圈有两个，可以同时产生正电压和负电压， 使第一副边电感线圈产生300V的正电压，使第二副边电感线圈产生300V的负电压，从而产 生600V的压差，在使用例如陶瓷金卤灯时，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反激式变压器，包括开关管（Ｑ１）、原边电感线圈（Ｌ３）和副边电感线圈（Ｌ４、Ｌ５），所述原边电感线圈（Ｌ３）与所述副边电感线圈相耦合，所述原边电感线圈一端接有直流电，另一端通过所述开关管（Ｑ１）接地，其特征在于，所述副边电感线圈为第一副边电感线圈（Ｌ４）和第二副边电感线圈（Ｌ５），所述第一副边电感线圈（Ｌ４）的一端与地之间依次接有第三二极管（Ｄ３）和第四电容（Ｃ４），所述第三二极管（Ｄ３）和第四电容（Ｃ４）之间连接有电压输出端，所述第一副边电感线圈（Ｌ４）的另一端连接地；所述第二副边电感线圈（Ｌ５）一端连接另一电压输出端，所述另一电压输出端与地之间并联有负载（Ｒ１）和第一电容（Ｃ１），所述第二副边电感线圈（Ｌ５）的另一端与地之间正向连接有第二二极管（Ｄ２）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林忠玲，刘尚伟，吕守平，
申请(专利权)人：山东华鼎伟业能源科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]