ＭＥＭＳ筒式耐高温超高压力传感器制造技术

ＭＥＭＳ筒式耐高温超高压力传感器，包括底座，硅梁敏感元件封装在底座上部承压筒的侧平面上，其测量岛与承压筒的侧面相接触，承压筒配置有高温转接端子，硅梁敏感元件的惠斯通电桥和高温转接端子连接，高温电缆线连接高温转接端子与外部电路，被测压力作用在承压筒上并使其圆周发生膨胀形变，其径向的最大形变扰度传递到测量岛上，硅梁发生形变，惠斯通电桥的四个压敏电阻阻值发生变化，恒定电流或恒定电压经由高温电缆线、高温转接端子和金丝引线加载至电桥输入端，电桥输出与被测压力成正比的电信号并传输至外部电路，实现对被测压力的测量，本发明专利技术具有测量量程大，应用范围广，灵敏度和信噪比好，传感器的温度稳定性好的优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
ＭＥＭＳ筒式耐高温超高压力传感器，包括底座（１），其特征在于：底座（１）下部为螺纹基座，上部为承压筒（２），承压筒（２）的顶部为两侧对称配置有平面的圆柱台（１２），硅梁敏感元件（３）对称封装在圆柱台（１２）侧平面上，硅梁敏感元件（３）的固定端（１１）在圆柱台（１２）侧平面上，而测量岛（８）与承压筒（２）的侧面相接触，承压筒（２）内部的承压孔（１３）孔底不超过圆柱台（１２）的下底面，外壳（６）安装在底座（１）上，承压筒（２）的圆柱台（１２）的顶面配置有高温转接端子（１０），硅梁敏感元件（３）的惠斯通电桥通过金丝引线（４）和高温转接端子（１０）连接，高温电缆线（５）穿过外壳（６）上的固线帽（７）连接高温转接端子（１０）与外部电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立波，郭鑫，赵玉龙，吴婧，苑国英，蒋庄德，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]