一种碲化镉量子点的一步水热合成方法技术

本发明专利技术提供了一种碲化镉量子点的一步水热合成方法，所述方法包括：以亚碲酸碱金属盐为Ｔｅ源，以水溶性镉盐为Ｃｄ源，Ｔｅ源和Ｃｄ源物质的量之为１∶１～１０，以巯基化合物为稳定剂，在二水合柠檬酸三钠和硼氢化钠存在下，以水为溶剂，于１４０～２００℃进行水热反应０．５～２个小时，制得所述碲化镉量子点。本发明专利技术一锅煮水热方法不需要真空线设备，所需原料简单易得，重复性很高，成本低，对环境污染较小，方法简便、快速、同时可以进行大规模的制备，为合成水溶性高质量碲化镉量子点提供了一个切实可行的途径。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
由于尺寸效应，II-VI族半导体量子点(QDs)显示了的独特光学性质，因此从基础 理论研究的角度和从实际应用的角度都引起了人们极大的兴趣。在过去二十年的时间里， 人们发展了很多种合成方法来制备量子点。当前，制备碲化镉量子点主要有两个途径，一种是在高温度下的有机相反应(参 见:C. B.莫瑞，等，美国化学会志，115卷，8706 (1993) ·)，另外一种是水相反应制得的硫醇 保护的CdTe量子点(参见张浩，等，先进材料，15卷，1712(2003))。一般来说，水相合成 成本低，表面电荷和表面性质高度可调，各种官能团很容易引入，避免了毒性有机溶剂的使 用，因此成为量子点合成的重要方法之一。而目前的水相合成碲化镉量子点方法一般需要 两个步骤，第一步合成碲源，在这里所用的碲源一般都采用容易被氧化的H2Te或NaHTe，需 要使用真空线技术(Schlenk line)，合成好的碲源需要立即使用；第二步是将碲源和镉源 在硫醇作为保护剂的条件下反应生成碲化镉量子点。
技术实现思路
本专利技术目的是提供。本专利技术采用的技术方案是，所述方法包括以亚碲酸碱金属盐为Te 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碲化镉量子点的一步水热合成方法，所述方法包括：以亚碲酸碱金属盐为Ｔｅ源，以水溶性镉盐为Ｃｄ源，Ｔｅ源和Ｃｄ源物质的量之为１∶１～１０，以巯基化合物为稳定剂，在二水合柠檬酸三钠和硼氢化钠存在下，以水为溶剂，于１００～２００℃进行水热反应０．５～２个小时，制得所述碲化镉量子点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：包海峰，梁玉洁，吕靖，陈灿，
申请(专利权)人：杭州师范大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]