制造封接区域的方法和由此制造的放电灯技术

本发明专利技术公开了一种用于制造放电灯的封接区域的方法，其中所述封接区域具有第一（１２）和第二（１４）封接区域段，并且在所述第一和第二封接区域段之间制造在被封接的元件上施加由材料制成的包封物（３０）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于制造封接区域，特别是用于放电灯的放电容器的封接区域的方法，并且涉及一种放电灯，特别是具有由此制造的封接区域的高压放电灯。 现有技术 现有技术例如EP 07 679 68公开了一种放电灯的制造方法，其中按如下方法制 造布置在放电容器上的至少一个封接区域形成第一密封和随后形成第二密封，其中所述 第一密封由自身收縮的放电容器材料区域构成，所述第二密封由挤压(quetschen)构成。 所述收縮的密封完全封闭伸入放电容器中的电极和给电极提供电流的供电元件 之间的连接，而所述挤压仅在供电元件的外部区域上延伸。 所述供电元件自身有利地是由钼制造的金属箔，其包含涂层以使钼在与氧接触时 其氧化降至最低。 例如由DE 102 00 005已知这种经涂布的钼箔的制造方法。 然而，这类已知的放电灯的缺点是，使用经涂布的钼箔存在风险，即在制造时污染 电极的纯度或者弄脏放电容器的内部。 然而，如由现有技术已知的，还可以使用制造成两部分的具有涂布侧和未涂布侧 的箔，其中所述未涂布一侧与电极连接，由此避免污染电极。然而，这种箔的制造昂贵且费 时间。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的是提供一种制造放电灯的方法，所述方法一方面是经济 的，另一方面将制造过程中污染的风险降至最低。 所述目的通过一种制造包括第一封接区域段和第二封接区域段的封接区域的方 法来实现，其中在制造所述第一封接区域段和第二封接区域段之间将材料包封物，特别是 涂层施加到待封接到封接区域中的元件上，和/或将气体包封物施加到待封接的元件上。 有利的是，中断的封接过程可以确保防止电极或放电容器被涂覆材料污染，其原 因是第一封接区域段的形成紧密地密封放电容器和供电元件与电极之间的连接。另一方 面，后续涂层的使用和随后第二封接区域段的形成可以可靠地防止钼的氧化过程。 所述封接本身可以根据现有技术中已知的所有方法来进行，特别是通过利用火 焰、激光辐照或等离子体辐照局部加热或者通过形成挤压来进行，所述方法还可以组合进 行。还可以通过不同的方法制造所述第一和第二封接区域。在本专利技术的上下文中，封接区 域是指在成品灯中与待封入的物体直接接触的区域。 除了所述涂层或者代替所述涂层，更有利的是引入气体，所述气体适于在形成第二封接区域段期间与所述供电元件反应。另外有利的是，在形成第一封接区域段和形成第二封接区域段之间留出不熔合在一起且可填充具有任意期望组成的气体的区域。 此外，中断的封接区域制造过程的优点是，对第二封接区域段的形成没有类似于形成第一封接区域段的同样严格的要求。这样，特别是在通过挤压提供第二封接区域段时， 可以以更快和因此更经济的方式进行加工。 其它优点和有利的实施方案在从属权利要求、说明书和附图中说明。 附图说明 下面依据附图更详细地说明本专利技术。所述附图无意将保护范围限制于附图中以举 例方式示出的示例性实施方案，附图中 图1A-1D显示根据本专利技术的制造步骤的示意性说明，其中制造步骤在图A至D中 示出。 优选实施方案 图1示意性地示出了用于制造图A至D中根据本专利技术的封接区域的方法步骤。 为了清楚起见，因为放电灯是对称构造的，所以在图中只示出了其中布置有封接 区域和供电元件的放电容器的右侧。左侧以类似的方式形成。 图1A示出具有放电区域4的放电容器2，电极6、8从相对侧上伸入所述放电区域 4中。有利地，所述放电容器由石英玻璃制成，所述石英玻璃的至少98重量％由5102组成。 图1A还示出布置在放电室右边的管状封接区域IO，其在封接之后包括第一封接 区域段12和第二封接区域段14，不过在图1A中还没有形成这两个封接区域段。图1A还示 出，所述放电容器2在其右端上具有末端16。所述末端可以通过所述管状封接区域的实际 闭合来提供。然而，所述末端还可以只通过例如在制造机器中与阀门连接来间接形成。 供电元件18、20被引入所述管状封接区域10中；供电元件18可以优选形成为钼 箔且供电元件20可以优选形成为载流针，其进而可以提供与放电灯的帽(此处未显示)的 导电连接。 由于所用的石英玻璃非常高的熔点，所以必须将放电容器加热至2000至2500°C 来使其成形。这限制了可用于供电元件18和20及电极6、8的材料。优选使用钼，虽然这 也有缺点，即钼在超过约30(TC的温度时被空气非常强烈地氧化。 为了防止钼被强氧化，有利的是应在供电元件18上优选施加防止氧化的涂层。为 了防止或减少氧化，特别有利的是在所述钼箔上施加铬层。然而，实施其他功能的涂层也是 可以的。已知的涂层例如由钇、镧、镧系元素、钪、镁、f丐、锶、钡、锆、铪、钽、钛、钍、铝、硼或硅 组成。这些涂层尤其可以在形成封接区域时提高粘附作用。然而，这些已知的涂层通常在 装配之前施加到钼箔上，因此它们可能对放电容器或电极造成污染。 然而，为了既不污染电极6、8或者也不污染放电区域4，根据本能专利技术，将未涂布 的钼箔引入所述管状封接区域10中。 如图1A中所示，放电室4和管状封接区域10仍然相互连接，也就是说在图1A中 还没有形成第一封接区域段。有利地，可以将填充物引入所述室中，该填充物在放电灯运行 过程中利用电极6和8发光。 在图1B中示出的第一方法步骤中，通过制造第一封接区域段12而封闭放电区域 4，由此封闭放电区域4和管状封接区域IO之间的连接室。所述封接区域段12同样包括电 极8和供电元件18之间的连接区域22。 在该情况下，所述封接区域段12例如按如下方式制造利用火焰、激光辐照或等离子体辐照来局部加热该区域周围的放电容器2的石英玻璃，从而使其在所述加热的区域 中收縮在一起。被加热的石英玻璃的这种收縮完全闭合放电区域4，并且还以真空密封的方 式封闭电极和钼箔之间的连接点22。此外，为了能够保持放电容器4中的压力，第一封接区 域还是压力稳定的。作为收縮的替代方式，当然还可以通过利用其他方法，例如通过挤压来 制造第一封接区域。 所述收縮的区域可以覆盖所述箔的至多一半。然而，第一封接区域段12也可以延 伸到非常靠近放电室4的位置。箔24的其余区域和供电元件针20不受所述封接过程影响， 并且在放电容器2和供电元件18、20之间保持空间间距26。 在图1C中示出的随后的方法步骤中，打开放电容器2的末端16，且可以将涂层材料28引入供电元件18、20和放电容器2之间的室26中。 涂层材料28在室26中保持到直至在供电元件18、20上形成层。 为了在供电元件18、20上形成铬层，例如将铬溶液倾入室26中，所述铬层通过接通供电元件18、20将铬电化学沉积到供电元件18、20上来形成。 随后可以从室26除去涂覆期间没有使用的材料。 在涂布过程之后或者代替涂布过程，可以将气体引入区域26中。这种气体一方面 可以是辅助放电灯运行的点火气体，但是另一方面也可以引入以反应方式辅助用于形成第 二封接区域段14的封接步骤的气体。 在图1D中示出的另一方法步骤中，通过挤压或封接形成第二封接区域段14。所述供电元件18、20此时具有涂层30，其可靠地防止了所用的供电元件材料氧化。 在图1D中，两个封接区域段12和14布置为相互直接相邻。然而，还可以在封接区域段12和14之间留有可以包含具有任意组成的气体的空间。 所述封接或挤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造封接区域，特别是用于放电灯的放电容器的封接区域的方法，所述封接区域中封接有元件并且包括第一封接区域段和第二封接区域段，其特征在于，在制造所述第一封接区域段和制造所述第二封接区域段之间将由材料制成的包封物施加到所述元件上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯施坦格，
申请(专利权)人：奥斯兰姆有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]