用于制造有机发光装置的方法以及这样的装置制造方法及图纸

技术编号:5517732 阅读:222 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种电子装置,至少包括:衬底(5);在该衬底上的一区域(1),该区域必须受保护以免受湿气和/或氧气;至少一个接触部(5,6);至少包括第一无机层(20)的封装层系统,至少一个接触部从所述密封区域延伸至衬底的未被封装层系统密封的部分,该接触部包括分流器(19),即断路,该断路通过导电电桥来桥接;封装系统的第一无机层被施加使得其与导电电桥直接物理接触;该电桥具有一结构和形状,该结构和形状可以被封装层系统密封地覆盖并且由湿气和/或氧气不能透过的材料制成。本发明专利技术还提供了一种用于制造这样的装置的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造有机发光装置的方法以及这样的装置本专利技术提供了 一种用于制造电子装置的方法,该方法至少包括 提供衬底; 在该衬底上提供一区域,该区域必须受保护而免受湿气(水 蒸汽)和/或氧气; 才是供至少一个4妾触部U妾触,触点,contact); 提供至少包括第一无机层的封装层系统,该第一无机层是在 形成该封装系统时所施加的该封装系统的第 一个无才几层,该封装系 统至少密封该区域以免受湿气和/或氧气;该至少 一 个接触部从所述密封区域延伸到该衬底的未被封装 层系统密封的部分。本专利技术还涉及一种电子装置,该电子装置至少包括 在该4于底上的一区域,该区域必须受保护而免受湿气和/或氧 至少一个4妄触部; 至少包括第一无机层的封装层系统,该第一无机层是在形成 该封装系统时所施加的封装系统的第 一个无才几层,该封装系统至少 密封该区域以免受湿气和/或氧气;该至少 一个4妄触部/人所述密封区i或延伸到该邱于底的未一皮封装 层系统密封的部分。这样的装置例如可以是无源以及有源类型的有片几发光装置、太 阳能电池、有才几电子装置、有才几太阳能电池或者Si装置,其区域例 如传感器区域必须通过封装层系统来保护以免受湿气或氧气。这样的方法和装置从涉及有机发光装置的WO2006/071106已 知。在该/>开中陈述了下述内容广泛的研究已经揭示附图说明图1 -7所示的现有技术装置的问题在于, 由于封装层系统在毗邻第二侧3的堤岸结构(bank structure) 4的 边玄彖处不封闭(隔离,seal off)发光区,所以出现湿气和/或氧气的 入4曼。图1中示出的细节II和III在图2和3中图示,且在图4中 甚至更详细地图示。研究表明,金属4妄触部5的边纟彖5a不平整且 脆弱。这是由接触部是由多层金属合金,例如MoCr、 Al、 MoCr 形成的事实所引起,这些层^皮蚀刻以形成4妾触部5。由于A1蚀刻快 于MoCr ,所以4妄触部5 一皮底切,这4吏得4妄触部5的边纟彖5a脆弱。 金属石卒片10 (参见图2、图5和图7)可以导致随后形成的封装层 结构的损伤。应注意,用于形成阳极线的蚀刻层或者由不同材料制 成的才矣触部有时也不平整,这可以导致类似的问题。此夕卜,如图2 至图5所示,在堤岸结构4的边缘4a和金属接触部5的边缘5a的 交叉处,形成孔11。孔11不能由封装层系统有岁文地封闭,并且湿 气和氧气将通过孔11入侵到发光区1。这些问题通过图8所示的实施方式来解决。在该装置中,形成 堤岸结构4的光致抗蚀剂层4相对于根据现有技术的装置中的层被 方文大,即,至这样的效果,除了待形成的每条阴才及线的4妄触位置 14(参见图5和图6)之外,该光致抗蚀剂层4在毗邻至少一个第二 侧3的接触部5上方完全地延伸,待形成的相应阴极线与相应接触 部5之间的电4妻触通过该4妄触4立置14来建立。通过该特4正,4妄触 部5的脆弱的边缘5a变得平滑并且孔11被覆盖。因此,随后沉积 的封装层结构将更容易一致并且封装层结构破坏的风险被最小化。封闭侧面3是最为重要的,因为湿气将沿着阴才及分离器9非常迅速 地;参入到发光区l中。这将直4妄导致OLED的损4毛。应注意,WO2006/071106的图1-7与本申i青基本上相同并且参 考数字l-14指代相同部件。本专利技术涉及相关的问题,但提供了不同的解决方案。该问题是 由下述事实引起的,即,该至少一个4妻触部具有一种结构或者由一 种材料制成,这使得难以获得用封装层系统的完美密封。用于4妄触部的MoCr、 Al、 MoCr层结构由于其高导电率及其耐 久性而被使用。第一 MoCr层用于Al在衬底上更好的附着(粘附)。 Al层用于提供低电阻导电率。第二 MoCr层用于保护Al层免受腐 蚀。其他类型的接触部可以是多孔的。这样的接触部例如可以通过 将包含Al或者Ag的膏料(浆料,paste )印刷在衬底上并且随后加 热该膏津+来形成。这是非常节省成本的^^妻触部和/或4妻触线施加在 衬底上的方式而无需困难的CVD或PECVD才支术或者蚀刻步骤。在其^也情况中,4妻触部可由有才几材津十形成。当封装层系统施加 于其上时,这样的有机材料在多数情况下不适于形成完美密封。这 是因为有机材料会传输湿气、氧气或者其他这种不期望的物质。如上所述,该接触部具有的问题是不能够与封装层系统恰当地 密封防止湿气和氧气的侵入。为了解决该问题,才艮据本专利技术,在此处上文的前言部分中定义 的方法中 该至少一个4妻触部包#舌分流器(shunt),即断^各(interruption ),该断^各通过导电电桥来4乔才妄; 封装系统的第 一无机层被施加使得其与导电电桥直接物理接触; 该电桥具有一结构和形状,该结构和形状能够被封装层系统 密封地覆盖,并且由湿气和/或氧气不能透过的材料制成。由于封装系统的第 一无机层与分流器之间的直接物理接触,以 及特殊导电电桥具有可以被封装层系统密封地覆盖且由湿气和/或 氧气不能透过的材料制成的结构和形状,因此避免了水和湿气侵入 密去j"区i或的问题。在本专利技术的另 一详细描述中,分流器内的电桥可以是透明导电 氧化物例如ITO的层。对于OLED,这才羊的层无"i仑如^f可必须应用(施 加)在发光区内。由于可以4吏分流器的长度4交短,因此相对于Al 而言ITO的更高电阻并不构成问题。另一方面,从工艺观点来看, 使用ITO作为电桥材料是有利的,因为无论如何均存在应用ITO的 工艺步骤,并且因为ITO致密,因此不能被湿气和氧气渗透。此外, ITO与封装层系统的第一无机层之间的良好附着是可行的。在一可替换的实施方式中,分流器内的电桥可以是透明导电氧 化物例如ITO的层以及位于该层顶部上的MoCr层。在又一可替换的实施方式中,分流器内的电桥可以是透明导电 氧化物例如ITO的层以及位于该层顶部上的MoCr层和Al层。如上所述,该至少一个冲妄触部可以包括MoCr层、该MoCr层 顶部上的Al层以及该Al层顶部上的MoCr层。在一可替换的实施方式中,该至少一个接触部可以包括多孔导电材并+ 。多孑L导电材泮+可以包括通过印刷4支术^皮施加且随后净皮加热 的Al或Ag。在又一可^^换的实施方式中,该至少一个4妻触部可以包4舌有才几 导电材料。才艮据本专利技术,上述前言部分的电子装置的至少 一个接触部具有 一结构或者由 一材料制成,使得通过封装层系统难以获得完美的密 封, 该至少一个4妄触部包4舌分流器,即断^各,该断^各通过导电电 桥来桥接; 该封装系统的第 一无才几层#皮施加佳_得其与该导电电桥直4妄物 理接触; 该电才乔具有一结构和形状,该结构和形^I犬可以,皮去J"装层系统 密封地覆盖并且由湿气和/或氧气不能透过的材料制成。在一实施方式中,该电子装置可以是有才几发光装置,其包括 沿第一方向延伸的平4于导电线; 与第一导电线电接触的第一接触部; 第二^妾触部; 第一接触线; 第二接触线,该第二接触部具有带有所述电桥的分流器; 位于该第一导电线的至少部分上以形成发光区的有源层,该 有源层中至少包括发光聚合物;以及 第二平行导电线,该第二平行导电线沿与第一方向交叉的第 二方向延伸并且与第二4妻触部电^妄触。在许多情况中,衬底i殳置有连接器用于将OLE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造电子装置的方法,至少包括:  提供衬底;  在所述衬底上提供一区域,所述区域必须受保护以免受湿气和/或氧气;  提供至少一个接触部;  提供至少包括第一无机层的封装层系统,所述第一无机层是在形成所述封装系统时所施加的所述封装系统的第一个无机层,所述封装系统至少密封所述区域以免受湿气和/或氧气;  所述至少一个接触部从所述密封区域延伸至所述衬底的未被所述封装层系统密封的部分,所述接触部具有一结构或者由一材料制成,使得经由所述封装层系统难以获得完美的密封,  所述至少一个接触部包括分流器,即断路,所述断路通过导电电桥来桥接;  所述封装系统的所述第一无机层被施加使得其与所述导电电桥直接物理接触;  所述电桥具有一结构和形状,所述结构和形状可以被所述封装层系统密封地覆盖并且由湿气和/或氧气不能透过的材料制成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:巴斯扬埃米尔范伦斯吕迪格兰格
申请(专利权)人:OTB太阳能有限公司
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]

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