用于冷却半导体芯片的热交换器和制造该热交换器的方法技术

通过控制正在产生的蒸汽气泡的状态实现设有微流动通道的相变热交换器的稳定操作和改进的可靠性。在热交换器中，微流动通道被制造成两层并由基于层之间的压差产生弹性变形的材料形成。层相互连接，阻挡装置设置在连接部分中，阻挡装置具有阻挡冷却剂从冷却剂供应侧层流入到微流动通道侧层的给定阻挡水平。在正常状态下，将冷却剂供应侧层的内部压力保持为比微流动通道的内部压力高的值。当产生蒸汽气泡时，使微流动通道的内部压力高于冷却剂供应侧层的内部压力，由此弹性体升高且蒸汽气泡分散在多个微流动通道中。可选地，可采用将冷却剂供应侧层的内部压力保持在比微流动通道的内部压力低的压力下、并当出现蒸汽气泡时蒸汽气泡被吸向较低压力侧的结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种利用微通道和沸腾现象的、用于冷却半导体的热交换 器和一种制造这种热交换器的方法。
技术介绍
已经开发展出用于传递由半导体产生的大量热量的技术，所述技术包 括将具有高热导率的材料粘附到半导体的外部部分，并形成直径为数百微 米或小于数百微米的微通道，从而执行液体冷却。近来，正在研究使用在接近沸点的温度下在通道中流动的冷却剂，从 而利用冷却剂的蒸发热量并因此获得更高热传递效果的技术。虽然还没有说明通过沸腾提高热传递性能的详细机构，但是例如在蒸 汽产生器中，随着蒸汽干燥度的增加，传热系数变得越低却是公知常识。假设这是因为用作热传递表面的通道的内壁与气相冷却剂之间的接 触面沿着流动方向变得更大。通常，气相的热传递性能比液相的热传递性 能低，由此自然地，不能预期通过从液相到气相的相移提高热传递性能。尽可能快地使产生的气泡从热量产生表面分离并从通道内除去所述 气泡的可行方法包括增加冷却剂的流动速度从而强制清除气泡；对通道的内壁进行表面处理以抑制气泡的产生；和连接通道以使其相交，从而最 小化通道中的压差(例如，参考专利文献l)。然而，这些恰恰是导致损害微 通道的性能的消极方法。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于冷却半导体芯片的热交换器，包括：　第一层，所述第一层包括多个微通道，冷却剂流动通过所述多个微通道；　第二层，所述第二层被设置成与所述第一层相邻且包括供应通路，所述冷却剂通过所述供应通路被供应给所述微通道；和　阻挡单 元，所述阻挡单元阻挡所述冷却剂从所述供应通路流入到所述微通道中，　其中，所述第一层与所述第二层之间的分隔部基本上由弹性材料构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本仁，三洼和幸，北城荣，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]