基于双噁二唑部分的Ｒｏｍｐ－可聚合的电子传输材料制造技术

本发明专利技术总体上涉及一种溶液可处理的降冰片烯单体、聚（降冰片烯）均聚物、并且含有一个官能化的双噁二唑侧链的聚（降冰片烯）共聚化合物，并涉及一种电子注入／传输层、一种空穴阻挡层或一种发射材料、有机电子装置并且包括这些化合物的组合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及降冰片烯单体、聚(降冰片烯)均聚物，以及含有一个官能化的 双噁二唑侧链的聚(降冰片烯)共聚物化合物，并且涉及电子注入/传输和/或空穴阻挡 层，电子传输发射材料，以及一种有机发光层的主体材料，有机电子装置，以及包括这些化 合物的组合物。
技术介绍
近年来，许多研究已集中在应用于电光装置和有机发光二极管的聚合材料的 开发。单体噁二唑类可以具有有效的电子注入和传输功能，呈现空穴阻挡特性，并且还 可以作为磷光有机发光二极管的主体。C. Adachi等，Appl. Phys. Lett. ,1990,56,799 ； G.Hughes 等,Mater. Chem.，2005，15，94 :Michikawa 等，T. Mater. Chem. , 2006,16,221 ；以及 M. K. Leung 等，Org. Lett. 2007,9，235。自从使用噁二唑小分子2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD) (如下所示)的最初研究以来，单体2，5_ 二芳基-1，3，4-噁二唑由于它们接受电子的特性 以及它们的高热稳定性，已被用作OLE本文档来自技高网...

【技术保护点】
由以下化学式代表的化合物：　　＊＊＊　　其中：　　Ｒ和Ｗ是独立选择的芳烃，这些芳烃包括六到二十个碳原子、可任选被１、２或３个独立选择的烷基或烷氧基取代，　　Ｙ缺失或是Ｃ↓［６］－Ｃ↓［２０］芳烃，　　其中：　　Ｍ↓［１］和Ｍ↓［３］是可任选的或独立选自：　　＊－＊－Ｏ－＊，＊－Ｏ－＊－＊，＊－＊－Ｏ－Ｒ↓［１］＊，＊Ｒ↓［１］－Ｏ－＊－＊，　　＊－－Ｏ－－＊，　　＊Ｒ↓［１］－－Ｏ－－＊，＊－－Ｏ－－Ｒ↓［１］＊，　　＊－－Ｏ－－Ｒ↓［２］＊，或　＊Ｒ↓［２］－－Ｏ－－＊，并且Ｍ↓［１］和Ｍ↓［３］是在由＊所表示的位置连接到降冰片烯或Ｒ上；　　Ｒ↓［１］和Ｒ↓［２］是可任选的独立选择的Ｃ↓［１...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S马德，S巴洛，Y张，S帕尔，B基佩伦，B多默克，A哈尔迪，M韦克，A金约诺克，
申请(专利权)人：佐治亚科技研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]