氙回收系统及回收设备技术方案

本发明专利技术提供了具有高回收效率的简单高纯度Ｘｅ回收方法及设备，其通过从来自半导体制造工艺（例如等离子体蚀刻）的、包含低浓度Ｘｅ的废气中功能性地除去例如水、ＣＯ↓［２］及ＦＣｓ的成分而实现。对于包含氙及氟碳化合物的样品。本发明专利技术的特征为至少具有第一吸附装置（Ａ１），其填充有串联排列的孔径大小为４＊或更小的合成沸石和氧化铝；气体分离装置（Ａ２），其由硅氧烷或聚乙烯中空纤维气体分离膜组件４构成；第二吸附装置（Ａ３），其填充有活性炭、孔径大小为５或更大的合成沸石、孔径大小为５＊或更大的碳分子筛、或这些的组合；和反应装置（Ａ４），其填充有钙化合物作为反应物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及氙(下文称为"Xe")回收系统及回收设备，且本专利技术特别可用于在制造设备(例如用于半导体制造工厂中的等离子体蚀刻设备)中用作辅助气体的氙的回收系统和回收设备。在本文中，"回收"是指使用例如吸附和膜分离的装置以可再使用的形式选择性地从样品中取出特定组分。
技术介绍
Xe在半导体制造过程(例如等离子体蚀刻法)中用作辅助气体。Xe在制程过程中不会被反应等消耗，并作为废气随水、二氧化碳(C02)以及例如氟代烃(FC)的反应产物(例如CHF3、 CF4、 C2F6及C2F4)排出。因为Xe极昂贵且为稀有元素，因此需要回收并再循环在废气中的Xe。为了回收Xe,需要从不影响半导体过程的阶段收集废气。特别地，如果从位于半导体制造过程下游的反应性气体的解毒设备(通过燃烧、催化反应或吸附去除一氧化碳(CO)、氟(F2)、氟化氢(HF)等)的下游收集废气，可以避免影响半导体制造过程。但是，因为从该阶段收集的废气仅包含大约0.1至1体积％ (下文称为"％")的Xe和大约相同浓度的作为杂质的其它物质，例如水、C02及FC,因此需要克服技术问题。换言之，为了从不会负面影响制造过程的阶段回收并浓本文档来自技高网...

【技术保护点】
从包含氙和至少氟碳化合物的样品中回收氙的系统，以及氙回收系统，其特征是至少包括所述样品下述加工过程的加工操作：　（Ａ１）使用吸附剂吸附并除去作为前述氟碳化合物的一种的三氟甲烷；　（Ａ２）使用气体分离膜除去作为前述氟碳化合物的一种 的具有饱和键的氟碳化合物，并将氙浓缩；　（Ａ３）使用吸附剂吸附并回收前述氙，并使氙与所述吸附剂分离；　（Ａ４）使用反应物除去作为前述氟碳化合物的一种的具有不饱和键的氟碳化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：木本雅裕，小浦辉政，福田幸生，楢崎胜贵，桥本泰司，酒井彻，横木和夫，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]