使用ＨＩＰＩＭＳ的反应溅射制造技术

本发明专利技术提供了用于将绝缘层溅射沉积到形成在衬底中并且具有高的深宽比的腔体的表面上的方法及设备。至少部分地由要被包括在所述绝缘层中的材料形成的靶以及所述衬底被提供在由外壳限定的大体上封闭的室中。等离子体在所述大体上封闭的室内被点燃并且磁场紧邻所述靶的表面被提供以至少部分地紧邻所述靶的所述表面包含所述等离子体。电压迅速地被增加以在阴极和阳极之间重复地建立高功率电脉冲。所述电脉冲的平均功率为至少０．１千瓦，并且可以可选地大得多。所述溅射沉积的操作参数被控制以促进所述绝缘层在金属模式与反应模式之间的过渡模式中的溅射沉积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及反应溅射方法及设备，并且更具体地涉及用于建立合适的溅射 速率并且使在靶与阳极或者设备的其他部分之间所经历的电孤放电最少的方法及设备。
技术介绍
反应磁控溅射通常被用于从金属靶制造氮化物或者氧化物层。其中反应电磁管 溅射可以被采用的应用的例子包括用于磨损保护目的的硬涂层的制造；用于滤波的光 涂层和减反射涂层的制造；以及电子产业中的扩散势垒层及绝缘层的制造。然而，根据 常规的溅射沉积工艺所产生的这样的层常常包括对于在其中所述层要被采用的特定应用 不是最优的特性，诸如硬度、密度、气孔含量。脉冲溅射工艺已经被建议作为用于改进这些层的这样的特性的一种尝试。根据 最近的发展，具有非常高的功率的且以非常短的脉冲形式的的脉冲等离子体已经产生大 于90%的高金属蒸汽离子化，所述脉冲举例来说诸如具有0.5与10%之间的低占空比以 及高达若干兆瓦的功率水平的脉冲。这样的沉积工艺通常被称作高功率脉冲磁控溅射 (High Power Impulse Magnetron Sputtering) ( "HIPIMS")(通常也被称作高功率脉冲磁 控溅射(High Power Pulsed Ma本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将绝缘层溅射沉积到形成在衬底中并且具有高的深宽比的腔体的表面上的溅射设备，所述设备包括：　　外壳，所述外壳限定大体上封闭的室；　　底座，所述底座被暴露于所述室的内部用于在溅射沉积期间支撑处于所述室内的恰当位置的衬底；　　磁体组件，所述磁体组件用于提供紧邻至少部分地由要被包括在要被沉积到所述腔体的表面上的绝缘层中的材料形成的靶的表面的磁场；　　电源，所述电源用于通过要被保持在所述磁场内的等离子体中迅速的电压增加在阴极和阳极之间建立高功率电脉冲，其中所述电脉冲的平均功率为至少０．１千瓦；以及　　控制器，所述控制器用于控制所述溅射设备的操作参数以大体上在金属模式与反应模式之间的过渡模式中进行...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J韦查特，S卡德莱克，M埃尔加扎利，
申请(专利权)人：OC欧瑞康巴尔斯公司，
类型：发明
国别省市：LI[列支敦士登]