用于验证编程的分段位扫描制造技术

一组非易失性存储元件经受编程过程以便存储一组数据。在所述编程过程期间，执行一个或一个以上验证操作以确定所述非易失性存储元件是否已达到其存储适当数据的目标条件。基于所述非易失性存储元件的重叠群组是否具有少于阈值数目的未正确编程的非易失性存储元件来作出关于是否继续编程或编程是否成功的决定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非易失性存储装置的技术。
技术介绍
半导体存储器装置变得越来越常用于各种电子装置。举例来说，非易失性半导体存 储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算装置、非移动计算装置及其它 装置。电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)及快闪存储器是最常见的非易失性半导 体存储器。许多类型的EEPROM及快闪存储器利用位于半导体衬底中的沟道区上方且与其隔 离的浮动栅极。浮动栅极位于源极区与漏极区之间。控制栅极提供在浮动栅极上，且与 其隔离。晶体管的阈值电压受保持在浮动栅极上的电荷量的控制。也就是说，在晶体管 接通以允许其源极与漏极之间导电之前必须施加到控制栅极的最小电压量受浮动栅极 上的电荷电平的控制。快闪存储器系统的一个实例使用NAND结构，其包含将多个晶体管串联排列并夹在 两个选择栅极之间。所述串联晶体管和所述选择栅极称为NAND串。图1是展示一个 NAND串的俯视图。图2是其等效电路。图1和图2中描绘的NAND串包含四个串联 并夹在第一 (或漏极)选择栅极120与第二 (或源极)选择栅极122之间的晶体管100、 102、 104和106。选择栅极120将NAND本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于编程非易失性存储装置的方法，其包括：　作为编程过程的一部分使一组非易失性存储元件经受编程，所述组非易失性存储元件包含非易失性存储元件的重叠群组；　测试每一群组是否具有少于阈值数目的未正确编程的非易失性存储元件；以及　 　基于每一群组是否具有少于所述阈值数目的未正确编程的非易失性存储元件来继续所述编程过程。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彦，龟井辉彦，杰弗里W卢策，
申请(专利权)人：桑迪士克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]