调适存储器系统中的字线脉冲宽度技术方案

本发明专利技术揭示用于调适存储器系统中使用的字线（ＷＬ）脉冲宽度的系统、电路和方法。本发明专利技术的一个实施例针对一种包括存储器系统的设备。所述存储器系统包括：存储器，其根据具有相关联ＷＬ脉冲宽度的字线（ＷＬ）脉冲操作；内建自测（ＢＩＳＴ）单元，其与所述存储器介接，所述ＢＩＳＴ单元经配置以运行所述存储器的内部功能性的自测，并提供指示所述存储器通过还是未通过所述自测的信号；以及自适应ＷＬ控制电路，其与所述ＢＩＳＴ单元和所述存储器介接，所述自适应ＷＬ控制电路经配置以基于所述ＢＩＳＴ单元提供的所述信号而调节所述存储器的所述ＷＬ脉冲宽度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及存储器系统。更明确地说，本专利技术的实施例涉及调适存储器 系统中使用的字线脉冲宽度。
技术介绍
随着CMOS技术持续缩放到较小尺寸，归因于工艺控制限制以及基本物理限制的 工艺变化趋于增加。例如内嵌式SRAM等内嵌式存储器由于侵入性设计规则及其与其它数 字逻辑相比较小的大小而尤其容易受到较大工艺变化的影响。为了应对工艺变化的此较大 增加，存储器电路设计者通常使用过于保守的设计方法以便实现高参数和功能良率。举例来说，设计者可通过设计特定集成电路(IC)以在较广的工艺变化范围(包含 局部(每一 IC内)和全局(IC之间)变化两者)内起作用来针对良率折衷性能(例如，速 度)和/或功率消耗。这导致所生产的较大百分比的IC可操作(即，增加的良率)，但性能 和/或功率消耗的牺牲在未经历完全范围的工艺变化的那些IC中可能较大。归因于工艺 变化的统计性质，经历较大性能和/或功率消耗降级的IC的实际数目可能相当高。图1是说明常规存储器系统100的示意图。100包含存储器110、内建自测(BIST) 电路120，和脉冲宽度设定模块130。BIST 120测试存储器110的内部功能性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括存储器系统的设备，所述存储器系统包括：存储器，其根据具有相关联字线（ＷＬ）脉冲宽度的ＷＬ脉冲操作；内建自测（ＢＩＳＴ）单元，其与所述存储器介接，所述ＢＩＳＴ单元经配置以运行所述存储器的内部功能性的自测，并提供指示所述存储器通过还是未通过所述自测的信号；以及自适应ＷＬ控制电路，其与所述ＢＩＳＴ单元和所述存储器介接，所述自适应ＷＬ控制电路经配置以基于所述ＢＩＳＴ单元提供的所述信号而调节所述存储器的所述ＷＬ脉冲宽度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕默德H阿布拉赫马，杨赛森，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]