一种ＩＧＢＴ关断浪涌电压箝位及抑制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种ＩＧＢＴ关断浪涌电压箝位及抑制电路，包括：双电源驱动放大电路、瞬态抑制二极管电路、ＩＧＢＴ薄膜吸收电容、ＶＣＥ检测电路以及ＩＧＢＴ驱动芯片，其中双电源驱动放大电路包括正电源（ＶＣＣ）、负电源（ＶＥＥ）、ＰＮＰ三极管（Ｑ１）、ＮＰＮ三极管（Ｑ２）、门极关断电阻（Ｒ２）、门极开启电阻（Ｒ３）以及限流电组（Ｒ１），ＰＮＰ三极管（Ｑ１）和ＮＰＮ三极管（Ｑ２）组成集电极互补推挽功率驱动放大电路。本发明专利技术提供的电路首先从源头减小ＩＧＢＴ关断时产生的浪涌电压值，其次使用瞬态抑制电路和薄膜电容对已产生的关断浪涌电压进行箝位和抑制，非常可靠和有效的保证了电机驱动系统的正常运行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子电路领域，具体涉及一种IGBT关断浪涌电压箝位及抑制电路。
技术介绍
由于绝缘栅双极晶体管IGBT具有易驱动、开关频率高、外壳绝缘等优点，目前已 成为电机驱动控制器使用的主流开关器件。IGBT的电压等级(Vces)是其承受正向阻断电 压的极限值，超过该值IGBT就会被击穿烧毁，因此IGBT运行中母线电压尖峰的箝位及抑制 是关系到该器件系统使用可靠性的一个重要指标。由于主电路存在杂散电感和IGBT元件内部的分布电感，IGBT关断时会产生一高 于母线直流电压的电压尖峰，其中超出母线电压的部分称为关断过电压或关断浪涌电压 Δ Vce。Δ Vce = L。X di。ff/dt，L。为主电路杂散电感和I GBT元件内部的分布电感之和，di。ff/ dt为IGBT元件电流下降率。以600V/400A的IGBT模块为例，当母线电压采用350V系统 时，如果驱动电机的相电流有效值达到250A时，电机驱动系统产生的关断浪涌电压△^〃就 很容易超过250V，这样直流母线电压的电压尖峰值就超过了 IGBT的电压等级600V，IGBT就 会过压击穿烧毁。所以设计一种IGBT的关断浪涌电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＩＧＢＴ关断浪涌电压箝位及抑制电路，其特征在于，包括：双电源驱动放大电路、瞬态抑制二极管电路、ＩＧＢＴ薄膜吸收电容、ＶＣＥ检测电路以及ＩＧＢＴ驱动芯片，其中双电源驱动放大电路包括正电源（ＶＣＣ）、负电源（ＶＥＥ）、ＰＮＰ三极管（Ｑ１）、ＮＰＮ三极管（Ｑ２）、门极关断电阻（Ｒ２）、门极开启电阻（Ｒ３）以及限流电组（Ｒ１），ＰＮＰ三极管（Ｑ１）和ＮＰＮ三极管（Ｑ２）组成集电极互补推挽功率驱动放大电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴瑞，王野，闫永亮，顾伟，
申请(专利权)人：奇瑞汽车股份有限公司，
类型：发明
国别省市：34[]