【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及式I化合物及其药学活性盐,其中:R1是氢、低级烷基、-(CR2)n-OH、-(CH2)n-芳基或-(CH2)n-杂芳基,它们任选被卤素、低级烷氧基或被卤素取代的低级烷基所取代,或者是任选被羟基取代的-(CR2)n-环烷基、-(CH2)n-杂环基、-(CH2)n-NH-S(O)2CH3,或者是-(CR2)nO-低级烷基或被卤素取代的低级烷基;R是氢或低级烷基,并且当存在两个R基团时,它们可以相同或可以不同;R2是2,2-二氧代-2,3-二氢-1H-苯并[c]噻吩基、6,7-二氢-5H-环戊二烯并嘧啶-2-基、2,2-二氟-苯并[1,3]间二氧杂环戊烯-5-基、2,2,3,3-四氟-2,3-二氢-苯并[1,4]二噁烯-6-基,或者是芳基或杂芳基,它们任选被一个或多个选自下组的取代基取代:卤素、低级烷基、环烷基、-(CH2)n-羟基、被卤素取代的低级烷基、被卤素取代的低级烷氧基、-S(O)2-低级烷基、-(CH2)n ...
【技术保护点】
式Ⅰ化合物和它们的药学活性盐、外消旋混合物、对映体、旋光异构体及其互变异构形式, *** Ⅰ 其中: R↑[1]是氢、低级烷基、-(CR↓[2])↓[n]-OH、 -(CH↓[2])↓[n]-芳基或-(CH↓[2] )↓[n]-杂芳基,它们任选被卤素、低级烷氧基或被卤素取代的低级烷基所取代,或者是 任选被羟基取代的-(CR↓[2])↓[n]-环烷基、 -(CH↓[2])↓[n]-杂环基、 -(CH↓[2])↓[n]-NH-S(O)↓[ 2]CH↓[3],或者是 -(CR↓[2])↓[n]O- ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2006-10-19 06122586.81.式I化合物和它们的药学活性盐、外消旋混合物、对映体、旋光异
构体及其互变异构形式,
其中:
R1是氢、低级烷基、-(CR2)n-OH、
-(CH2)n-芳基或-(CH2)n-杂芳基,它们任选被卤素、低级烷氧基或被
卤素取代的低级烷基所取代,或者是
任选被羟基取代的-(CR2)n-环烷基、
-(CH2)n-杂环基、
-(CH2)n-NH-S(O)2CH3,或者是
-(CR2)nO-低级烷基或
被卤素取代的低级烷基;
R是氢或低级烷基,并且当存在两个R基团时,它们可以相同或可以
不同;
R2是2,2-二氧代-2,3-二氢-1H-苯并[c]噻吩基、
6,7-二氢-5H-环戊二烯并嘧啶-2-基、
2,2-二氟-苯并[1,3]间二氧杂环戊烯-5-基、
2,2,3,3-四氟-2,3-二氢-苯并[1,4]二噁烯-6-基,或者是
芳基或杂芳基,它们任选被一个或多个选自下组的取代基取代:
卤素、低级烷基、环烷基、-(CH2)n-羟基、被卤素取代的低级烷基、
被卤素取代的低级烷氧基、-S(O)2-低级烷基、-(CH2)n-S(O)2-NH-低
级烷基、-(CH2)n-O-低级烷基、硝基、氨基、氰基、-NHC(O)-低级
烷基、-C(O)NH-低级烷基或O-四氢-萘基,或者被以下基团取代:
任选被卤素取代的-(CH2)n-芳基,或
任选被卤素取代的-CH=CH-芳基,或
任选被卤素、低级烷氧基或被卤素取代的低级烷基取代的
-(CH2)n-O-芳基,或
任选被卤素取代的-O-(CH2)n-芳基,或
-(CH2)n-杂芳基,或
-(CH2)n-O-杂芳基,或
任选被=O取代的-(CH2)n-杂环基,或
任选被低级烷基取代的-(CH2)n-O-杂环基,或
-S-芳基,
-CH(OH)-芳基,
-C(CH3)2-芳基,
-NR-芳基,或
2-氧代-2H-吡啶-1-基;
R3是氢或低级烷基;
R4是氢或低级烷基;
n是0、1、2、3或4,
以下化合物除外:
4-苯基氨基甲基-咪唑-二盐酸盐,
苄基-(3H-咪唑-4-基甲基)-苯基-胺,
(1H-咪唑-4-基甲基)-(4-甲氧基-苯基)-胺,
(3,4-二氯-苯基)-(1H-咪唑-4-基甲基)-胺,
(4-氯-苯基)-(1H-咪唑-4-基甲基)-胺,
(4-溴-苯基)-(1H-咪唑-4-基甲基)-胺,
(3,5-二氯-苯基)-(1H-咪唑-4-基甲基)-胺和
(3-氯-苯基)-(1H-咪唑-4-基甲基)-胺。
2.根据权利要求1所述的化合物和它们的药学活性盐、外消旋混合物、
对映体、旋光异构体及其互变异构形式,所述化合物是式IA化合物
其中:
R1是氢、低级烷基、任选被卤素、低级烷氧基或被卤素取代的低级烷
基取代的-(CH2)n-芳基,或者是
任选被羟基取代的-(CR2)n-环烷基,或者是-(CR2)nOH、-(CH2)n-杂
环基、-(CH2)n-NH-S(O)2CH3、-(CR2)nO-低级烷基或被卤素取代的
低级烷基;
R是氢或低级烷基,并且当存在两个R基团时,它们可以相同或可以
不同;
R2是芳基或杂芳基,它们任选被一个或多个选自下组取代基取代:
卤素、低级烷基、低级烷氧基、-(CH2)n-羟基、被卤素取代的低级
烷基、被卤素取代的低级烷氧基、-S(O)2-低级烷基、
-(CH2)n-S(O)2-NH-低级烷基、-(CH2)n-O-低级烷基、硝基、氨基、
-NHC(O)-低级烷基或-C(O)NH-低级烷基,或者任选被卤素取代的
-(CH2)n-芳基,或者任选被卤素、低级烷氧基或被卤素取代的低级
烷基取代的芳氧基,
或者芳基或杂芳基任选被以下基团取代:苄氧基、-S-芳基、
-CH(OH)-芳基、-C(CH3)2-芳基、...
【专利技术属性】
技术研发人员:G盖雷,A格尔格勒,K格勒布克斯宾登,R诺克罗斯,H思塔德尔,
申请(专利权)人:弗哈夫曼拉罗切有限公司,
类型:发明
国别省市:CH[瑞士]
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