【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总的来说涉及具有阴极-阳极-门极(cathode-anode-gate)结构的半导 体开关器件，并且特别地它涉及用于半导体开关器件与外部电路单元的电连接的连接器 件。具体地，半导体开关器件包括具有沉积在其上的半导体开关器件的阴极、阳极和门极的 衬底和用于电连接半导体开关器件的阴极、阳极和门极与外部电路的连接部件。
技术介绍
半导体开关器件与外部电路单元的电连接是关键问题(特别地如果该半导体开 关器件必须处理大电流和电压的话)。这样的半导体开关器件的示例是集成门极换向晶闸 管(integrated gate commutatedthyrister，IGCT)。IGCT 是门极可控关断开关，其像绝缘 栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)那样关断，但像晶闸管那样导 通且具有最低导体损耗。集成门极换向晶闸管是用于需要高功率应用的功率开关器件，例 如中等电压驱动器(drive)、牵引、风力转换器、AC激励系统、电池能量存储系统、固态断路 器、牵引线助推器(traction line booster)、牵引功...
【技术保护点】
一种用于具有阴极盘的半导体开关器件到外部电路单元的电连接的连接器件，所述连接器件包括具有同轴结构的阴极－门极连接单元，其包括用于电连接所述半导体开关器件的阴极和门极到所述外部电路单元的门极导体和阴极导体，其中所述阴极导体包括适用于连接所述阴极导体到所述阴极盘的阴极连接端子。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：D科泰特，T斯蒂亚斯尼，T威克斯特伦，
申请(专利权)人：ABB研究有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]
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