用于钝化完整性测试的嵌入式结构制造技术

本发明专利技术涉及一种用于测试覆盖半导体器件的钝化层（１０８）的完整性的方法和系统。将导电材料的结构层（１０４）沉积到所述半导体器件的衬底（１０２）的至少一部分顶部表面上。所述结构层（１０４）包括多个带（１０４．１，１０４．２），所述多个带与至少两个触点（１０６．１，１０６．２）相连，并且设置在至少一部分顶部表面上，使得连续带（１０４．１，１０４．２）或所述带（１０４．１，１０４．２）的连续部分与不同的触点（１０６．１，１０６．２）相连。将钝化层（１０８）沉积到所述衬底（１０２）的至少一部分顶部表面和所述结构层（１０４）上，使得将所述钝化层（１０８）的材料设置在导电材料的带（１０４．１，１０４．２）之间、并且设置在所述结构层（１０４）的顶部上。然后将导电材料沉积到所述钝化层（１０８）上，并且测量所述至少两个触点（１０６．１，１０６．２）之间的电阻。依赖于所述测量的电阻，确定与关于所述钝化层（１０８）的完整性有关的指示。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及半导体器件领域，更具体地，涉及用于测试覆盖半导体器件的钝 化层完整性的方法和系统。
技术介绍
半导体器件用于大多数现代电子装置和电气装置。半导体器件的制造包括光刻和 化学步骤的多步骤序列，在此期间在由诸如硅及其各种化合物之类的半导体材料制成的晶 片上逐渐地产生电路。半导体器件的最上层称作钝化层。所述钝化层保护衬底免于损坏， 例如在后续制造步骤期间保护衬底免于刮伤以及防止沾污物到达下面的层。半导体器件的许多可观察故障已经归因于钝化层中诸如针孔和裂缝之类的缺陷。 在沉积钝化层期间以及在沉积后处理期间产生钝化层中的缺陷。用于检测钝化层中缺陷的一种方法是使用显微镜的光学检查。然而，使用这种方 法通常不可以确定缺陷是否实际上穿透所述钝化层，因此几乎不可能检测到针孔。用于确定钝化层完整性的现有技术测试的其他情况是诸如正磷酸测试之类的化 学测试。然而，正磷酸测试也不会揭示所有缺陷，并且正磷酸测试也不会将这种测试用于有 机钝化层，例如所述有机钝化层由例如聚酰亚胺构成，因为这种酸消耗了聚酰亚胺。非常需要克服这些缺陷，并且提供一种用于测试覆盖半导体器件的钝化层的完整 性的方法和系统。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供半导体器件的衬底（１０２）；在所述衬底（１０２）的至少一部分顶部表面上提供导电材料结构层（１０４），所述结构层包括多个带（１０４．１，１０４．２），所述多个带与至少两个触点（１０６．１，１０６．２）相连，并且设置在所述至少一部分顶部表面上，使得连续的带（１０４．１，１０４．２）或所述带（１０４．１，１０４．２）的连续部分与不同的触点（１０６．１，１０６．２）相连；将钝化层（１０８）沉积到所述衬底（１０２）的所述至少一部分顶部表面以及所述结构层（１０４）上，使得将所述钝化层（１０８）的材料设置在导电材料的带（１０４．１，１０４．２）之间、并且设置在所述结构层（１０４）的顶部上...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：露西A鲁斯韦耶，雅克兰塞巴斯蒂恩，帕特里斯加芒，多明克乔恩，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]