【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
该专利技术涉及适合液晶设备或半导体设备等电子装置的制造的利用了等离子(plasma)反应炉处理系统的电子装置的制造方法。
技术介绍
这种等离子反应炉处理系统具有:'内置等离子发生器(例如,平行平板型电极方式、微波天线方式等)的加工箱(process chamber);将1种或者2种以上的惰性气体源(例如,Ar、 Kr、 Xe等)分别与加工箱连接的惰性气体的供应管道;将1种或者2种以上的加工气体源(例如,H2、 02、 NF3、 Cl2、SiCl4、 HBr、 SF6、 C5F8、 CF4等)分别与加工箱连接的加工气体的供应管道;以及连接加工箱和排气泵的箱内气体的排出管道。在各个惰性气体以及各个加工气体的供应管道的每一个中有可将流过其管道的气体的流量调整为所设定的值的流量调整器,并且在箱内气体的排出管道中有压力控制器,该压力控制器具有将流量控制阀的开度向着被提供的压力设定值和经由压力测量单元测量的压力测量值的偏差减少的方向自动地变更的功能。但是,在这种等离子反应炉处理系统中,需要在加工开始时、加工的途中、加工的结束时进行加工箱内气体介质(atmosphere )的 ...
【技术保护点】
一种利用了等离子反应炉处理系统的电子装置的制造方法, 所述等离子反应炉处理系统包括: 加工箱,内置等离子发生器; 惰性气体的供应管道,将1种或者2种以上的惰性气体源分别与加工箱连接; 加工气体的供应管道,将1种或者2 种以上的加工气体源分别与加工箱连接;以及 箱内气体的排出管道,连接加工箱和排气泵, 在惰性气体的供应管道以及加工气体的供应管道的每一个中有压力控制型流量调整器,该压力控制型流量调整器具有以下功能,即将流量控制阀的开度向着被提供的 流量设定值和对应于由压力测量单元测量的流体压力的流量检测值的偏差 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:井上善规,森下贞治,大见忠弘,
申请(专利权)人:欧姆龙株式会社,国立大学法人东北大学,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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