光刻设备和器件制造方法技术

本发明专利技术公开一种光刻设备，其构造成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。该设备包括：第一辐射剂量探测器和第二辐射剂量探测器，每个探测器包括构造成接收辐射流和发射由于接收所述辐射流而产生的二次电子的二次电子发射表面，从辐射传播的方向看，所述第一辐射剂量探测器位于所述第二辐射剂量探测器的下游；和计量表，其连接到每个探测器，用以探测由来自各个电子发射表面的所述二次电子发射导致的电流或电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种设备和一种用于制造器件的方法。光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(retide)的图案形成装置用于形成在 所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如， 硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过利用投影系统把图案成像到提供到衬底上的辐射 敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图 案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓步进机，在所述步 进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部 分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描" 方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬 底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的 方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。通过例如碳在光刻投影设备中的光学部件上形成的分子污染(例如在 EUV光刻投影设备中的掠入射和多层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种构造成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上的光刻设备，所述设备包括：　第一辐射剂量探测器和第二辐射剂量探测器，每个探测器包括二次电子发射表面，所述二次电子发射表面构造成接收辐射流和发射由于接收所述辐射流而产生的二次电子，从辐射传 播的方向看，所述第一辐射剂量探测器位于所述第二辐射剂量探测器的上游；和　计量表，其连接到每个探测器，用以探测由来自各个电子发射表面的所述二次电子发射导致的电流或电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：MMJW范赫彭，VY班尼恩，JPH德卡斯特尔，JHJ莫尔斯，LHJ斯蒂文斯，BT沃尔斯克里基恩，YV塞德尔尼科，MHL范德威尔登，WA索尔，K杰里森，T斯蒂恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，卡尔蔡斯SMT股份公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]