用于晶片表面处理的织构化和清洗剂及其应用制造技术

本发明专利技术涉及单晶晶片表面处理的液体试剂，所述液体试剂含有碱性刻蚀剂和至少一种低挥发性有机化合物。该类型的体系可以在单一的刻蚀步骤中用于晶片表面的清洗、损伤蚀刻和织构化，以及只用于具有不同表面质量的硅晶片的织构化，无论所述晶片是高表面损伤的线锯晶片还是具有最小损伤密度的化学抛光表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及单晶晶片表面处理的液体试剂，所述液体试剂含有碱性刻蚀剂和至少 一种低挥发性有机化合物。该类型的体系可以在单一的刻蚀步骤中用于晶片表面的清洗、 损伤蚀刻和织构化，以及只用于具有不同表面质量的硅晶片的织构化，无论所述晶片是高 表面损伤的线锯晶片还是具有最小损伤密度的化学抛光表面。
技术介绍
在现有的生产方法中，在线锯之后浆料残渣的晶片清洗和晶片织构化是在两个不 同的工艺步骤中完成的。这两个过程由晶片生产商和太阳能电池生产商可操作地实施。浆 料晶片清洗由晶片生产商在线锯之后立即进行。主要包括移除由线锯过程施加在晶片表面 上的污染物。其中尤其包括硅的磨损，线锯和所用的研磨剂及粘结剂(浆料)成分的磨损。 清洗后的晶片在离开清洗单元后，或多或少会有对表面的晶体损伤，该晶体损伤必须在进 一步的加工步骤中去除。晶片表面的织构化，如果已经实施，则属于太阳能电池生产商的事情。在高效率太 阳能电池的生产过程中，在此之前是一个复杂的三部分连续清洗步骤，在芯片工业中，该步 骤在晶片的后续清洗之后。该 RCA 清洗(D. C. Burkman, D. Deal，D. C. Grant, C. A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于单晶晶片表面处理的液体织构化和清洗剂，含有至少一种用于单晶硅的碱性蚀刻剂和至少一种沸点高于１１０℃的低挥发性有机化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2007-12-6 102007058829.3一种用于单晶晶片表面处理的液体织构化和清洗剂，含有至少一种用于单晶硅的碱性蚀刻剂和至少一种沸点高于110℃的低挥发性有机化合物。2.根据权利要求1所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述低挥发性有机化合物的 沸点为至少120°C，特别是至少150°C。3.根据权利要求1所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述有机化合物选自饱和或 不饱和脂肪族或芳香族羧酸、二羧酸、羟基羧酸、氨基羧酸、c4-c18(多)醇及其混合物。4.根据前一权利要求所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述有机化合物选自草酸、 丙二酸、马来酸、己二酸、苹果酸、柠檬酸、酒石酸、乳酸、甲酸、其盐以及其甲基酯和乙基酯 以及它们的混合物。5.根据权利要求1-3中任一项所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述低挥发性有 机化合物选自乙二胺四乙酸(EDTA)、1，2-环己二胺四乙酸(⑶TA)及其盐。6.根据权利要求1-3中任一项所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述低挥发性有 机化合物是聚山梨酯。7.根据权利要求1-3中任一项所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述低挥发性有 机化合物是聚亚乙基山梨醇酐单月桂酸酯。8.根据权利要求1-3中任一项所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述(多)醇选自 直链、支链或环状C4-C8 二醇；直链、支链或环状C6-C12三醇及其混合物。9.根据权利要求8所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述(多)醇选自1，5_戊二 醇、1，6-己二醇、顺/反-1，X-环戊二醇(X = 2，3)、顺/反-1，X-环己二醇(X = 2，3，4)、 顺/反-1，X-环庚二醇(X = 2，3，4)、环己三醇、环庚三醇、环壬三醇，特别是1，4，7_环壬 三醇、顺/反-1，4-环己二醇及其混合物。10.根据前述权利要求中任一项所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述有机化合物 的浓度相对于织构化和清洗剂总量为1-20重量％，特别是2-10重量％。11.根据前述权利要求中任一项所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述有机化合物 是至少一种可取代的芳香族磺酸或可取代的芳香族二醇。12.根据前一权利要求所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述磺酸或所述芳香族二 醇的浓度相对于处理液的总量为0. 1-10重量％。13.根据前两个权利要求中任一项所述的织构化和清洗剂，其特征在于，所述有机化合 物是甲苯磺酸。14.根据前述权利要求中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：库诺梅耶，马克舒曼，丹尼尔凯瑞，特里萨奥雷拉纳佩雷斯，约亨任特舒，马丁齐默，伊莱亚斯基尔希加斯纳，伊娃齐默，丹尼尔伯罗，阿帕德米哈伊罗什塔什，
申请(专利权)人：弗劳恩霍弗应用技术研究院，
类型：发明
国别省市：DE[德国]