【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】二萘嵌苯二酰亚胺衍生物作为空气稳定的n-沟道有机半导体的用途
技术介绍
专利
本专利技术涉及二萘嵌苯二酰亚胺(perylene diimide)衍生物作为空气稳定 的n-型有机半导体的用途。 相关技术说明在微电子领域中，长期存在开发可在最低可能的失败率下方^更地且廉 价复制的较小器件的方法的需求。现代数字集成电路基于场效应晶体管 (FET)，其依赖于电场控制半导体材料中的沟道的电导率。有机场效 应晶体管(OFET)允许生产用于具有大的有效面积的集成电路的柔性或不 可破碎的衬底。由于OFET使得能够生产复杂电路，它们具有广泛的潜在 应用领域(如在象素显示器的驱动电路中)。薄膜晶体管(TFT)是通过将用于 金属接触、半导体活性层和介电层的薄膜沉积而制得的特殊种类的场效应 晶体管。TFT的沟道区域为沉积至衬底(如在液晶显示器中施加TFT的玻 璃)上的薄膜。用于集成电路(IC)的半导体的主要类别为互补金属氧化物半导体 (CMOS)。 CMOS芯片仍然在微处理器、微控制器、静态RAM和其它数 字逻辑电路中普遍存在。在过去数年中，很大努力用于合成高性能的n-沟 道有机半导体以...
【技术保护点】
一种生产有机场效应晶体管的方法，其包括如下步骤： ａ）提供包含位于衬底上的栅极结构、源极和漏极的衬底，和 ｂ）向栅极结构、源极和漏极位于其中的衬底区域施加至少一种式Ｉ的化合物作为ｎ－型有机半导体化合物： ＊＊＊ （Ⅰ） 其中 Ｒ↑［１］为（Ｃ↓［ｎ］Ｈ↓［２ｎ］）－Ｒ↑［ａ］基团或３－５元饱和的未取代的或取代的碳环，其中Ｒ↑［ａ］为氢或选自未取代的或取代的如下基团：环烷基、双环烷基、环烯基、杂环烷基、芳基和杂芳基，ｎ为１－４的整数， Ｒ↑ ［２］为（Ｃ↓［ｎ］Ｈ↓［２ｎ］）－Ｒ↑［ｂ］基团或３－５元饱和...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-8-11 11/502,544;US 2006-10-17 11/550,2501. 一种生产有机场效应晶体管的方法，其包括如下步骤a)提供包含位于衬底上的栅极结构、源极和漏极的衬底，和b)向栅极结构、源极和漏极位于其中的衬底区域施加至少一种式I的化合物作为n-型有机半导体化合物其中R1为(CnH2n)-Ra基团或3-5元饱和的未取代的或取代的碳环，其中Ra为氢或选自未取代的或取代的如下基团环烷基、双环烷基、环烯基、杂环烷基、芳基和杂芳基，n为1-4的整数，R2为(CnH2n)-Rb基团或3-5元饱和的未取代的或取代的碳环，其中Rb为氢或选自未取代的或取代的如下基团环烷基、双环烷基、环烯基、杂环烷基、芳基和杂芳基，n为1-4的整数。2. 根据权利要求1的方法，其中式I中n为l或2。3. 根据权利要求1或2的方法，其中式I中W和Rb选自(11.3) (11.4)(11.15) (11.16)其中在式11.5、 IL8、 11.11和11.14中基团Rh相互独立地选自d-C3烷基、C广C3 氟代烷基、氟、氯、溴、NE、2、硝基和l基，其中Ei和E^目互独立地为 氬、烷基、环烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基，在式11.6、 11.7、 11.9、 11,10、 11.12、 11.13、 11.15和11.16中基团Ri相互独立地选自d-C3烷基，x在式H.5、 H，6和IL7中为1、 2、 3、 4或5,在式IL8、 II.9和11.10中为1、 2、 3或4， 在式11.11、 11.12和11.13中为1、 2或3， 在式11.14、 IU5和IU6中为1或2。4.根据权利要求1的方法，其中将下式化合物用作n-型有机半导体化 合物<formula>formula see original document page 4</formula>5. 根据前述权利要求中任一项的方法，其中通过物理蒸气沉积将式I 化合物施加至衬底。6. 根据权利要求5的方法，其中在沉积过程中衬底材料的温度小于对应于蒸气压的温度。7. 根据权利要求5或6的方法，其中在沉积过程中衬底材料的温度为 20-250°C，优选50-200。C。8. 根据权利要求5-7中任一项的方法，其中将式I化合物以平均厚度 为10-1000nm,优选15-350nm的层施加至衬底上。9. 根据权利要求1-8中任一项的方法，其中将式I化合物以至少部分 结晶形式施加。10. 根据权利要求1-8中任一项的方法，其中将式I化合物以薄膜形式 施加至4于底。11. 根据前迷权利要求中任一项的方法，其包括在衬底表面上沉积至少一种能够与衬底表面结合且能够结合至少一种式(I)化合物的化合物(C1)的步骤。12. 根据权利要求11的方法，其中化合物(C1)选自烷基三烷氧基硅烷， 尤其为正十八烷基三甲氧M烷或正十八烷基三乙氧^烷。13. 根据权利要求ll的方法，其中化合物(C1)选自六烷基二硅氮烷， 尤其为六甲基二硅氮烷。14. 根据前迷权利要求中任一项的方法，其中使用由通过升华、物理 蒸气传输、再结晶或两种或更多种这些方法的组合提纯而得到的式I化合 物。15. —种有机场效应晶体管，其包含 -衬底，-位于衬底上的栅极结构、源极和漏极，和-至少一种至少在栅极结构、源极和漏极位于其中的衬底区域上的作为n-型有机半导体化合物的式I化合物RiR2 (I)其中R为(CnH2n)-Ra基团或3-5元饱和的未取代的或取代的碳环，其中为氢或选自未取代的或取代的如下基团环烷基、双环烷基、环烯基、杂环烷基、芳基和杂芳基，n为1-4的整数，R为(CnH2n)-Rb基团或3-5元饱和的未取代的或取代的碳环，其中Rb 为氢或选自未取代的或取代的如下基团环烷基、双环烷基、环烯基、杂 环烷基、芳基和杂芳基，n为l-4的整数。16. 根据权利要求15的有机场效应晶体管，其呈薄膜晶体管形式。17. —种生产包含n-型有机场效应晶体管图案的衬底的方法，其中至 少部分晶体管包含作为n-型有机半导体化合物的式I化合物且通过权利要求1-14中任一项所定义的方法获得。18. —种包含n-型有机场效应晶体管图案的衬底，其中至少部分晶体管包含至少一种式I化合物作为ii-型有机半导体化合物<formula>formula see original document page 6</formula>其中R1为(CnH化)-Ra基团或3-5元饱和的未取代的或取代的碳环，其中Ra 为...
【专利技术属性】
技术研发人员：M克内曼，P埃尔克，M高梅，Z包，MM凌，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，利兰斯坦福青年大学托管委员会，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。