【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于浸入式光刻的光学装置,其包含至少一个施加了 疏水性涂层的组件,该疏水性涂层在操作投影镜期间暴露于紫外辐射, 该至少一个组件在操作投影镜期间至少部分地被浸渍液润湿。本专利技术进 一步涉及包含该光学装置的投影曝光设备。
技术介绍
一般而言,用液体,特别是水润湿光学组件,这对其光学特性有负 面影响。例如,润湿会导致在其表面上形成诸如盐的污染物质。为了防 止光学元件被水润湿,或者为了从该光学元件快速去除水,已知为光学 元件提供疏水性涂层。在本申请的范畴内,术语疏水性涂层如一般情况指的是其表面包括与水的接触角为90°或更大的涂层。6JP 2003-161806 A描述了一种具有抗反射涂层的光学元件,其中在玻 璃基底的未涂布区域中形成防水层。在该装置中,防水涂层在抗反射涂 层附近形成,或者在玻璃基底的侧面缘边上形成。以此方式,可以避免 湿气驻留在光学元件与相关支撑结构之间的空间中。US 5,494,712描述了一种用于将聚合物层施加至基底以减少其被水 润湿的方法。该层优选包含一种或多种有机硅化合物,例如硅烷或硅氧 垸,并借助等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)进行施加。润湿的问题在显微光刻,特别是浸入式光刻中同样显著。在显微光 刻中,出于制造半导体组件的目的,借助投影镜在縮小的规模上将掩模 上的结构绘制在感光基底上。为了实现该应用所需的高分辨率,使用紫 外波长范围内, 一般在250mn以下的照明辐射。为了进一步提高分辨率 和景深,在浸入式光刻中,在投影镜的最后光学元件与感光基底之间设 置浸渍液,通常是蒸馏水,以提高折射率。在该装置中,投影镜的最 ...
【技术保护点】
用于浸入式光刻的光学装置,其包含: 施加了疏水性涂层(6,7;108)的至少一个组件(1,105),该疏水性涂层(6,7;108)在操作投影镜(13,102)期间暴露于紫外辐射,该至少一个组件(1,105)在操作投影镜(13,102) 期间至少部分地被浸渍液(22,107)润湿,其特征在于, 该疏水性涂层(6,7;108)包含至少一层吸收和/或反射波长小于260nm的紫外辐射的抗紫外层(6,108)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2006-9-12 102006043548.6;DE 2006-12-28 102006061、用于浸入式光刻的光学装置,其包含施加了疏水性涂层(6,7;108)的至少一个组件(1,105),该疏水性涂层(6,7;108)在操作投影镜(13,102)期间暴露于紫外辐射,该至少一个组件(1,105)在操作投影镜(13,102)期间至少部分地被浸渍液(22,107)润湿,其特征在于,该疏水性涂层(6,7;108)包含至少一层吸收和/或反射波长小于260nm的紫外辐射的抗紫外层(6,108)。2、 根据权利要求l的光学装置,其中所述组件为由在紫外范围内的 波长下为透明的材料制成的光学元件(1),该光学元件(1)优选形成投 影镜(13, 102)的末端元件。3、 根据权利要求2的光学装置,其中所述疏水性涂层(6, 7)形成 于所述光学元件(1)的光学清晰直径以外。4、 根据权利要求2或3的光学装置,其中将反射减弱涂层(9)施 加至所述光学元件(1),所述疏水性涂层(6, 7)设置于所述光学元件(1)的未涂布区域内,优选接近于所述反射减弱涂层(9)。5、 根据权利要求2至4之一所述的光学装置,其中在所述抗紫外层 (6)的顶部之上施加所述疏水层(7)。6、 根据权利要求5的光学装置,其中所述疏水层(7)的材料选自 以下组中二氧化铬(Cr02)、硅烷、硅氧垸、DLC、氟化物、疏水性清漆和疏水性粘合剂、聚合物,优选为碳氟化合物聚合物,特别是Optron、 戰l禾口 Teflon AF。7、 根据权利要求2至6之一所述的光学装置,其中所述透明材料选 自以下组中氟化钙(CaF2)、石英玻璃(Si02)和二氧化锗(Ge02)。8、 根据权利要求2至7之一所述的光学装置,其中所述抗紫外层(6) 对于900nm或更大波长的辐射是透明的。9、 根据权利要求2至8之一所述的光学装置,其中所述光学元件(1) 被设计为平凸透镜,平面表面(2)包含圆锥形透镜部件(3)。10、 根据权利要求9的光学装置,其中所述疏水性涂层(6, 7)设 置于所述圆锥形透镜部件(3)的圆锥形侧表面(5)和/或所述平面表面(2)上。11、 根据权利要求9或10的光学装置,其中所述光学元件(1)的 圆锥形透镜部件(3)的至少正面(4)浸入所述浸渍液(22)中。12、 根据前述权利要求之一所述的光学装置,其进一步包含用于测 定所述投影镜(102)的光学特性的光学测量设备(101),在所述投影镜(102)与所述光学测量设备(101)之间设置有浸渍液(107),而且在 所述浸渍液(...
【专利技术属性】
技术研发人员:S西克斯,M利尔,R迪辛,B盖尔里奇,M威德曼,A舒伯特,T冯巴本,T伊尔,
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT股份公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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